MIS DEVICE HAVING A TRENCH GATE ELECTRODE AND METHOD OF MAKING THE SAME

A trench MOSFET (40) includes active corner regions (25) and a thick insulative layer (33) centrally located at the bottom of the trench (19). A thin gate insulative layer (15) lines the sidewall and peripheral portion of the bottom surface of the trench (19). A gate (14) fills the trench, adjacent to the thin insulative layer (15). The gate (14) is adjacent to the sides and top of the thick insulative layer (33). The thick insulative layer (33) separates the gate (14) from the drain conductive region (13) at the bottom of the trench (19) yielding a reduced gate-to-drain capacitance and making the MOSFET (40) particularly suitable for high frequency applications. L'invention concerne un MOSFET (40) en tranchée qui comporte des zones (25) de coins actives et une couche isolante (33) épaisse placée centralement au fond de la tranchée (19). Une couche isolante de grille mince (15) recouvre la paroi et une partie périphérique du fond de la tranchée (19). Une grille (14), qui remplit la tranchée, jouxte la couche isolante mince (15), ainsi que les côtés et le haut de la couche isolante (33) épaisse. Cette dernière (33) sépare la grille (14) de la zone conductrice de drain (13) au fond de la tranchée (19), ce qui produit une capacité grille-drain réduite et rend le MOSFET (40) particulièrement approprié pour des applications à fréquence élevée.