METHOD FOR INCREASING LASER MODULATION BANDWIDTH
The inventive method relates to the regulation of the laser modulation bandwidth of injection lasers, in particular dynamic single-mode modulation lasers and single frequency lasers by modifying a doping of confining doped underlayers of a maximal optical confinement nearest to an active layer and b...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; rus |
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| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | CHELNYY, ALEKSANDER ALEKSANDROVICH |
| description | The inventive method relates to the regulation of the laser modulation bandwidth of injection lasers, in particular dynamic single-mode modulation lasers and single frequency lasers by modifying a doping of confining doped underlayers of a maximal optical confinement nearest to an active layer and by regulating a ratio between a P concentration of holes in the underlayer of the maximal optical confinement of the p-type conductivity from the p-type side and an N concentration of electrons in the underlayer of the maximal optical confinement from the n-type side (P/N ratio). The P concentration is chosen from a range between 4*10 cm and 1*10 cm, and the N concentration is chosen from a range between 2*10 cm and 2*10 cm, the P/N ratio being greater than one. In addition, the following conditions shall be fulfilled: a background impurity level is maintained between the confining doped underlayers of the maximal optical confinement which are nearest to the active layer, including the active layer itself; edges of a p-i-n space charge of a heterojunction are arranged in the confining doped underlayers of the maximal optical confinement.
L'invention porte sur un procédé de régulation de la bande de fréquence utile de modulation de lasers à injection, notamment de lasers haute fréquence, monomode et monofréquence. Ce procédé consiste à modifier le dopage des couches de base du confinement optique maximal, plus près d'une couche active, en intervenant sur le rapport des concentrations P/N (trous de la couche de base du confinement optique maximal à conductivité du type p, du côté du type p/électrons de couche de base du confinement optique maximal à conductivité du type p, du côté du type p (rapport P/N). On choisit la concentration dans une plage de 4*10 cm à 1*10 cm pour P, la concentration dans une plage de 2*10 cm à 2*10 cm pour N, le rapport P/N étant supérieur à 1. On veillera notamment à maintenir un niveau d'impuretés de base entre les couches de base dopées du confinement optique maximal, avoisinant la couche active, y compris cette dernière, la zone de charge d'une hétérojonction p-i-n ne dépassant pas les limites des couches de base dopées du confinement optique maximal. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO0219483A2</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO0219483A2</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO0219483A23</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDDwdQ3x8HdRcPMPUvD0cw5ydQz29HNX8HEMdg1S8PV3CfVxDPH091NwcvRzCfd0CfHgYWBNS8wpTuWF0twMCm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx4f4GRoaWJhbGjkbGRCgBAOheJgw</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD FOR INCREASING LASER MODULATION BANDWIDTH</title><source>esp@cenet</source><creator>CHELNYY, ALEKSANDER ALEKSANDROVICH</creator><creatorcontrib>CHELNYY, ALEKSANDER ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><description><![CDATA[The inventive method relates to the regulation of the laser modulation bandwidth of injection lasers, in particular dynamic single-mode modulation lasers and single frequency lasers by modifying a doping of confining doped underlayers of a maximal optical confinement nearest to an active layer and by regulating a ratio between a P concentration of holes in the underlayer of the maximal optical confinement of the p-type conductivity from the p-type side and an N concentration of electrons in the underlayer of the maximal optical confinement from the n-type side (P/N ratio). The P concentration is chosen from a range between 4*10 cm<-3> and 1*10 cm<-3>, and the N concentration is chosen from a range between 2*10 cm<-3> and 2*10 cm<-3>, the P/N ratio being greater than one. In addition, the following conditions shall be fulfilled: a background impurity level is maintained between the confining doped underlayers of the maximal optical confinement which are nearest to the active layer, including the active layer itself; edges of a p-i-n space charge of a heterojunction are arranged in the confining doped underlayers of the maximal optical confinement.
L'invention porte sur un procédé de régulation de la bande de fréquence utile de modulation de lasers à injection, notamment de lasers haute fréquence, monomode et monofréquence. Ce procédé consiste à modifier le dopage des couches de base du confinement optique maximal, plus près d'une couche active, en intervenant sur le rapport des concentrations P/N (trous de la couche de base du confinement optique maximal à conductivité du type p, du côté du type p/électrons de couche de base du confinement optique maximal à conductivité du type p, du côté du type p (rapport P/N). On choisit la concentration dans une plage de 4*10 cm<-3> à 1*10 cm<-3> pour P, la concentration dans une plage de 2*10 cm<-3> à 2*10 cm<-3> pour N, le rapport P/N étant supérieur à 1. On veillera notamment à maintenir un niveau d'impuretés de base entre les couches de base dopées du confinement optique maximal, avoisinant la couche active, y compris cette dernière, la zone de charge d'une hétérojonction p-i-n ne dépassant pas les limites des couches de base dopées du confinement optique maximal.]]></description><edition>7</edition><language>eng ; fre ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; DEVICES USING STIMULATED EMISSION ; ELECTRICITY</subject><creationdate>2002</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20020307&DB=EPODOC&CC=WO&NR=0219483A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20020307&DB=EPODOC&CC=WO&NR=0219483A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>CHELNYY, ALEKSANDER ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><title>METHOD FOR INCREASING LASER MODULATION BANDWIDTH</title><description><![CDATA[The inventive method relates to the regulation of the laser modulation bandwidth of injection lasers, in particular dynamic single-mode modulation lasers and single frequency lasers by modifying a doping of confining doped underlayers of a maximal optical confinement nearest to an active layer and by regulating a ratio between a P concentration of holes in the underlayer of the maximal optical confinement of the p-type conductivity from the p-type side and an N concentration of electrons in the underlayer of the maximal optical confinement from the n-type side (P/N ratio). The P concentration is chosen from a range between 4*10 cm<-3> and 1*10 cm<-3>, and the N concentration is chosen from a range between 2*10 cm<-3> and 2*10 cm<-3>, the P/N ratio being greater than one. In addition, the following conditions shall be fulfilled: a background impurity level is maintained between the confining doped underlayers of the maximal optical confinement which are nearest to the active layer, including the active layer itself; edges of a p-i-n space charge of a heterojunction are arranged in the confining doped underlayers of the maximal optical confinement.
L'invention porte sur un procédé de régulation de la bande de fréquence utile de modulation de lasers à injection, notamment de lasers haute fréquence, monomode et monofréquence. Ce procédé consiste à modifier le dopage des couches de base du confinement optique maximal, plus près d'une couche active, en intervenant sur le rapport des concentrations P/N (trous de la couche de base du confinement optique maximal à conductivité du type p, du côté du type p/électrons de couche de base du confinement optique maximal à conductivité du type p, du côté du type p (rapport P/N). On choisit la concentration dans une plage de 4*10 cm<-3> à 1*10 cm<-3> pour P, la concentration dans une plage de 2*10 cm<-3> à 2*10 cm<-3> pour N, le rapport P/N étant supérieur à 1. On veillera notamment à maintenir un niveau d'impuretés de base entre les couches de base dopées du confinement optique maximal, avoisinant la couche active, y compris cette dernière, la zone de charge d'une hétérojonction p-i-n ne dépassant pas les limites des couches de base dopées du confinement optique maximal.]]></description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>DEVICES USING STIMULATED EMISSION</subject><subject>ELECTRICITY</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2002</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDDwdQ3x8HdRcPMPUvD0cw5ydQz29HNX8HEMdg1S8PV3CfVxDPH091NwcvRzCfd0CfHgYWBNS8wpTuWF0twMCm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx4f4GRoaWJhbGjkbGRCgBAOheJgw</recordid><startdate>20020307</startdate><enddate>20020307</enddate><creator>CHELNYY, ALEKSANDER ALEKSANDROVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20020307</creationdate><title>METHOD FOR INCREASING LASER MODULATION BANDWIDTH</title><author>CHELNYY, ALEKSANDER ALEKSANDROVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO0219483A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; rus</language><creationdate>2002</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>DEVICES USING STIMULATED EMISSION</topic><topic>ELECTRICITY</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>CHELNYY, ALEKSANDER ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>CHELNYY, ALEKSANDER ALEKSANDROVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR INCREASING LASER MODULATION BANDWIDTH</title><date>2002-03-07</date><risdate>2002</risdate><abstract><![CDATA[The inventive method relates to the regulation of the laser modulation bandwidth of injection lasers, in particular dynamic single-mode modulation lasers and single frequency lasers by modifying a doping of confining doped underlayers of a maximal optical confinement nearest to an active layer and by regulating a ratio between a P concentration of holes in the underlayer of the maximal optical confinement of the p-type conductivity from the p-type side and an N concentration of electrons in the underlayer of the maximal optical confinement from the n-type side (P/N ratio). The P concentration is chosen from a range between 4*10 cm<-3> and 1*10 cm<-3>, and the N concentration is chosen from a range between 2*10 cm<-3> and 2*10 cm<-3>, the P/N ratio being greater than one. In addition, the following conditions shall be fulfilled: a background impurity level is maintained between the confining doped underlayers of the maximal optical confinement which are nearest to the active layer, including the active layer itself; edges of a p-i-n space charge of a heterojunction are arranged in the confining doped underlayers of the maximal optical confinement.
L'invention porte sur un procédé de régulation de la bande de fréquence utile de modulation de lasers à injection, notamment de lasers haute fréquence, monomode et monofréquence. Ce procédé consiste à modifier le dopage des couches de base du confinement optique maximal, plus près d'une couche active, en intervenant sur le rapport des concentrations P/N (trous de la couche de base du confinement optique maximal à conductivité du type p, du côté du type p/électrons de couche de base du confinement optique maximal à conductivité du type p, du côté du type p (rapport P/N). On choisit la concentration dans une plage de 4*10 cm<-3> à 1*10 cm<-3> pour P, la concentration dans une plage de 2*10 cm<-3> à 2*10 cm<-3> pour N, le rapport P/N étant supérieur à 1. On veillera notamment à maintenir un niveau d'impuretés de base entre les couches de base dopées du confinement optique maximal, avoisinant la couche active, y compris cette dernière, la zone de charge d'une hétérojonction p-i-n ne dépassant pas les limites des couches de base dopées du confinement optique maximal.]]></abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; fre ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_WO0219483A2 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS DEVICES USING STIMULATED EMISSION ELECTRICITY |
| title | METHOD FOR INCREASING LASER MODULATION BANDWIDTH |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-19T03%3A16%3A38IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=CHELNYY,%20ALEKSANDER%20ALEKSANDROVICH&rft.date=2002-03-07&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO0219483A2%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |