CRYSTALLINE COMPOSITIONS, RADIATION DETECTOR ELEMENTS, AND METHODS OF FORMATION
A crystalline composition can include a crystal lattice containing Te and at least one of Cd and Zn at lattice points. The crystalline composition can also include a dopant provided at an average concentration inducing a resistivity of the crystalline composition greater than about 1x0 Ohm-centimete...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
container_end_page | |
---|---|
container_issue | |
container_start_page | |
container_title | |
container_volume | |
creator | GLASS, HOWARD, L FLINT, JAMES, PATRICK |
description | A crystalline composition can include a crystal lattice containing Te and at least one of Cd and Zn at lattice points. The crystalline composition can also include a dopant provided at an average concentration inducing a resistivity of the crystalline composition greater than about 1x0 Ohm-centimeter. Also, the dopant may be p-type dopant and the crystalline composition can exhibit properties sufficient to detect radiation in at least one of a X-ray and a gamma ray portion of an electromagnetic spectrum. In particular, the dopant can be Sb. The dopant can compensate n-type native defects in the crystal lattice. Accordingly, a radiation detector element can contain Sb and at least two different additional chemical elements, for example, Te and at least one of Cd and Zn. One possible method of forming such a crystalline composition includes forming a crystal lattice from a starting charge containing Sb, perhaps at a concentration of about 5 ppma.
Une composition cristalline peut comprendre un réseau de cristaux contenant Te et Cd et/ou Zn aux points du réseau. Cette composition cristalline peut aussi comprendre un dopant dans une concentration moyenne induisant une résisitivité de cette composition cristalline supérieure à environ 1x0 Ohm-centimètre. Ce dopant peut aussi être du type p et cette composition cristalline peut présenter des propriétés suffisantes pour détecter un rayonnement au moins dans la plage des rayons X et/ou des rayons gamma du spectre électromagnétique. En particulier, ce dopant peut être Sb. Ce dopant peut compenser des défauts naturels de type n dans le réseau de cristaux. Par conséquent, un élément détecteur de rayonnement peut contenir Sb et au moins deux éléments chimiques différents additionnels, par exemple Te et Cd et/ou Zn. Un procédé de formation de composition cristalline consiste à former un réseau de cristaux à partir d'une charge de départ contenant Sb, peut être à une concentration d'environ 5 ppma. |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO02099167A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO02099167A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO02099167A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZPB3DooMDnH08fH0c1Vw9vcN8A_2DPH09wvWUQhydPF0BLEVXFxDXJ1D_IMUXH1cfV39QoCSjn4uCr6uIR7-LsEK_m4Kbv5BvmC1PAysaYk5xam8UJqbQdHNNcTZQze1ID8-tbggMTk1L7UkPtzfwMjA0tLQzNzR0JgYNQBx0S8s</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>CRYSTALLINE COMPOSITIONS, RADIATION DETECTOR ELEMENTS, AND METHODS OF FORMATION</title><source>esp@cenet</source><creator>GLASS, HOWARD, L ; FLINT, JAMES, PATRICK</creator><creatorcontrib>GLASS, HOWARD, L ; FLINT, JAMES, PATRICK</creatorcontrib><description>A crystalline composition can include a crystal lattice containing Te and at least one of Cd and Zn at lattice points. The crystalline composition can also include a dopant provided at an average concentration inducing a resistivity of the crystalline composition greater than about 1x0 Ohm-centimeter. Also, the dopant may be p-type dopant and the crystalline composition can exhibit properties sufficient to detect radiation in at least one of a X-ray and a gamma ray portion of an electromagnetic spectrum. In particular, the dopant can be Sb. The dopant can compensate n-type native defects in the crystal lattice. Accordingly, a radiation detector element can contain Sb and at least two different additional chemical elements, for example, Te and at least one of Cd and Zn. One possible method of forming such a crystalline composition includes forming a crystal lattice from a starting charge containing Sb, perhaps at a concentration of about 5 ppma.
Une composition cristalline peut comprendre un réseau de cristaux contenant Te et Cd et/ou Zn aux points du réseau. Cette composition cristalline peut aussi comprendre un dopant dans une concentration moyenne induisant une résisitivité de cette composition cristalline supérieure à environ 1x0 Ohm-centimètre. Ce dopant peut aussi être du type p et cette composition cristalline peut présenter des propriétés suffisantes pour détecter un rayonnement au moins dans la plage des rayons X et/ou des rayons gamma du spectre électromagnétique. En particulier, ce dopant peut être Sb. Ce dopant peut compenser des défauts naturels de type n dans le réseau de cristaux. Par conséquent, un élément détecteur de rayonnement peut contenir Sb et au moins deux éléments chimiques différents additionnels, par exemple Te et Cd et/ou Zn. Un procédé de formation de composition cristalline consiste à former un réseau de cristaux à partir d'une charge de départ contenant Sb, peut être à une concentration d'environ 5 ppma.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2002</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20021212&DB=EPODOC&CC=WO&NR=02099167A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76294</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20021212&DB=EPODOC&CC=WO&NR=02099167A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GLASS, HOWARD, L</creatorcontrib><creatorcontrib>FLINT, JAMES, PATRICK</creatorcontrib><title>CRYSTALLINE COMPOSITIONS, RADIATION DETECTOR ELEMENTS, AND METHODS OF FORMATION</title><description>A crystalline composition can include a crystal lattice containing Te and at least one of Cd and Zn at lattice points. The crystalline composition can also include a dopant provided at an average concentration inducing a resistivity of the crystalline composition greater than about 1x0 Ohm-centimeter. Also, the dopant may be p-type dopant and the crystalline composition can exhibit properties sufficient to detect radiation in at least one of a X-ray and a gamma ray portion of an electromagnetic spectrum. In particular, the dopant can be Sb. The dopant can compensate n-type native defects in the crystal lattice. Accordingly, a radiation detector element can contain Sb and at least two different additional chemical elements, for example, Te and at least one of Cd and Zn. One possible method of forming such a crystalline composition includes forming a crystal lattice from a starting charge containing Sb, perhaps at a concentration of about 5 ppma.
Une composition cristalline peut comprendre un réseau de cristaux contenant Te et Cd et/ou Zn aux points du réseau. Cette composition cristalline peut aussi comprendre un dopant dans une concentration moyenne induisant une résisitivité de cette composition cristalline supérieure à environ 1x0 Ohm-centimètre. Ce dopant peut aussi être du type p et cette composition cristalline peut présenter des propriétés suffisantes pour détecter un rayonnement au moins dans la plage des rayons X et/ou des rayons gamma du spectre électromagnétique. En particulier, ce dopant peut être Sb. Ce dopant peut compenser des défauts naturels de type n dans le réseau de cristaux. Par conséquent, un élément détecteur de rayonnement peut contenir Sb et au moins deux éléments chimiques différents additionnels, par exemple Te et Cd et/ou Zn. Un procédé de formation de composition cristalline consiste à former un réseau de cristaux à partir d'une charge de départ contenant Sb, peut être à une concentration d'environ 5 ppma.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2002</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPB3DooMDnH08fH0c1Vw9vcN8A_2DPH09wvWUQhydPF0BLEVXFxDXJ1D_IMUXH1cfV39QoCSjn4uCr6uIR7-LsEK_m4Kbv5BvmC1PAysaYk5xam8UJqbQdHNNcTZQze1ID8-tbggMTk1L7UkPtzfwMjA0tLQzNzR0JgYNQBx0S8s</recordid><startdate>20021212</startdate><enddate>20021212</enddate><creator>GLASS, HOWARD, L</creator><creator>FLINT, JAMES, PATRICK</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20021212</creationdate><title>CRYSTALLINE COMPOSITIONS, RADIATION DETECTOR ELEMENTS, AND METHODS OF FORMATION</title><author>GLASS, HOWARD, L ; FLINT, JAMES, PATRICK</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO02099167A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2002</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GLASS, HOWARD, L</creatorcontrib><creatorcontrib>FLINT, JAMES, PATRICK</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GLASS, HOWARD, L</au><au>FLINT, JAMES, PATRICK</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>CRYSTALLINE COMPOSITIONS, RADIATION DETECTOR ELEMENTS, AND METHODS OF FORMATION</title><date>2002-12-12</date><risdate>2002</risdate><abstract>A crystalline composition can include a crystal lattice containing Te and at least one of Cd and Zn at lattice points. The crystalline composition can also include a dopant provided at an average concentration inducing a resistivity of the crystalline composition greater than about 1x0 Ohm-centimeter. Also, the dopant may be p-type dopant and the crystalline composition can exhibit properties sufficient to detect radiation in at least one of a X-ray and a gamma ray portion of an electromagnetic spectrum. In particular, the dopant can be Sb. The dopant can compensate n-type native defects in the crystal lattice. Accordingly, a radiation detector element can contain Sb and at least two different additional chemical elements, for example, Te and at least one of Cd and Zn. One possible method of forming such a crystalline composition includes forming a crystal lattice from a starting charge containing Sb, perhaps at a concentration of about 5 ppma.
Une composition cristalline peut comprendre un réseau de cristaux contenant Te et Cd et/ou Zn aux points du réseau. Cette composition cristalline peut aussi comprendre un dopant dans une concentration moyenne induisant une résisitivité de cette composition cristalline supérieure à environ 1x0 Ohm-centimètre. Ce dopant peut aussi être du type p et cette composition cristalline peut présenter des propriétés suffisantes pour détecter un rayonnement au moins dans la plage des rayons X et/ou des rayons gamma du spectre électromagnétique. En particulier, ce dopant peut être Sb. Ce dopant peut compenser des défauts naturels de type n dans le réseau de cristaux. Par conséquent, un élément détecteur de rayonnement peut contenir Sb et au moins deux éléments chimiques différents additionnels, par exemple Te et Cd et/ou Zn. Un procédé de formation de composition cristalline consiste à former un réseau de cristaux à partir d'une charge de départ contenant Sb, peut être à une concentration d'environ 5 ppma.</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; fre |
recordid | cdi_epo_espacenet_WO02099167A1 |
source | esp@cenet |
subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
title | CRYSTALLINE COMPOSITIONS, RADIATION DETECTOR ELEMENTS, AND METHODS OF FORMATION |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-22T07%3A13%3A13IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=GLASS,%20HOWARD,%20L&rft.date=2002-12-12&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO02099167A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |