PHOTO-LITHOGRAPHIC METHOD FOR SEMICONDUCTORS

The present invention relates to a method for forming structures on a semiconductor wafer (7) by photo-lithographic steps and by ion implant steps comprising the steps of: deposi-tion of a resist layer (14) on a surface of said semiconductor wafer (7), exposing said resist layer to light of a predeter-mined wavelength through a reticle (4) and an optical system (3, 4, 5) so as to form an image of said reticle on said semi-conductor surface, developing and cleansing said surface of said semiconductor wafer (7) so as to remove at least partly said resist layer (14) depending on whether or not said resist layer had been exposed, implantation of ions so as to determine the conductivity of said semiconductor in said cleansed areas of said semiconductor surface. In order to allow for changes in depth and dose of an implant at different locations within the IC using a single lithographic step fine structures (10) are deposited in predetermined areas and in a predetermined distribution on said reticle (4) before exposing said resist (14) to said light, said fine structures having at least one dimension being smaller than the resolution of said optical system (3, 5, 6). La présente invention se rapporte à un procédé de formation de structures sur un dispositif semi-conducteur (7) au moyen d'étapes photolithographiques et d'étapes d'implantation ioniques consistant: à déposer une couche de photorésine (14) sur une surface de ladite plaquette semi-conductrice (7), à exposer ladite couche de photorésine à une lumière d'une longueur d'onde prédéterminée au moyen d'un réticule (4) et d'un système optique (3, 4, 5) de manière à former une image dudit réticule sur ladite surface semi-conductrice, à développer et à nettoyer ladite surface de plaquette semi-conductrice (7) afin de retirer au moins partiellement la couche de photorésine (14) suivant que ladite couche a été exposée ou non, à implanter les ions de manière à déterminer la conductivité dudit semi-conducteur dans les zones nettoyées de la surface semi-conductrice. Afin de permettre des changements de profondeur d'implantation et de quantité des éléments implantés en différents emplacements sur le circuit intégré en une seule étape lithographique, des structures fines (10) sont déposées dans des zones préétablies et suivant une répartition préétablie sur ledit réticule (4) avant d'exposer la photorésine (14) à la lumière, lesdites structures fines ayant au moins une dimension inférieure à la résolution du système