METHOD FOR PRODUCING AN ADDRESSABLE FIELD-EMISSION CATHODE AND AN ASSOCIATED DISPLAY STRUCTURE
The inventive method relates to microelectronic and consists in the application of an emission layer to elements of an addressable field-emission electrode with the aid of a gas-phase synthesis method in a hydrogen flow accompanied by a supply of a carbonaceous gas. A dielectric backing is made of a...
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| Format: | Patent |
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| creator | SAMORODOV, VLADIMIR ANATOLIEVICH SUETIN, NIKOLAI VLADISLAVOVICH BLYABLIN, ALEXANDR ALEXANDROVICH RAKHIMOV, ALEXANDR TURSUNOVICH |
| description | The inventive method relates to microelectronic and consists in the application of an emission layer to elements of an addressable field-emission electrode with the aid of a gas-phase synthesis method in a hydrogen flow accompanied by a supply of a carbonaceous gas. A dielectric backing is made of a high-temperature resistant material and discrete elements of the addressable field-emission electrode are made of a high-temperature resistant metal. the growth rate of the emission layer on the dielectric backing is smaller than the growth rate of the emission layer on the metallic discrete elements as a result of a selected process of depositing the carbonaceous emission layer, namely the backing temperature, the temperature of the reactor threads, the pumping speed of a gas mixture through the reactor, a selected distance between the reactor threads and the backing and a settling time. The cathode metallic discrete elements can be made of two metallic layers. The upper metallic layer is removed before the formation of required configurations from the remaining layer. The layer materials are selected in such a way that the emission characteristics thereof can ensure a required current from the upper metallic layer. For producing a display structure, a control grid is obtained from the metal layer having an emission threshold higher than a field density at which the cathode emits the required current. The inventive method enables to avoid operations of removing the emission layer making it possible to produce flat displays having high characteristics in addition to high performance and low cost.
L'invention relève de la micro-électronique et consiste à appliquer une couche d'émission sur les éléments d'une cathode adressable à champ d'émission par procédé de synthèse en phase gazeuse dans un flux d'hydrogène, avec amenée d'un gaz carboné. Le substrat diélectrique est constitué d'un matériau à température élevé, les éléments discrets de la cathode adressable à champ d'émission étant faits d'un métal à température élevée. La sélection du mode de sédimentation de la couche d'émission contenant du carbone (notamment de la température du substrat, la température des filaments du réacteur, la vitesse de pompage du mélange gazeux à travers le réacteur, la sélection de l'écart entre les filaments métalliques du réacteur et le substrat, de la distance entre l'écran à grille et le substrat, le temps de sédimentation) on obtient une vitesse de croissance de la couche à é |
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L'invention relève de la micro-électronique et consiste à appliquer une couche d'émission sur les éléments d'une cathode adressable à champ d'émission par procédé de synthèse en phase gazeuse dans un flux d'hydrogène, avec amenée d'un gaz carboné. Le substrat diélectrique est constitué d'un matériau à température élevé, les éléments discrets de la cathode adressable à champ d'émission étant faits d'un métal à température élevée. La sélection du mode de sédimentation de la couche d'émission contenant du carbone (notamment de la température du substrat, la température des filaments du réacteur, la vitesse de pompage du mélange gazeux à travers le réacteur, la sélection de l'écart entre les filaments métalliques du réacteur et le substrat, de la distance entre l'écran à grille et le substrat, le temps de sédimentation) on obtient une vitesse de croissance de la couche à émission sur le substrat diélectrique qui est inférieure à la vitesse de croissance de la couche à émission sur les éléments métalliques discrets. Les éléments métalliques discrets de la cathode peuvent être faits à partir de deux couches de métaux. On enlève la couche de métal supérieure jusqu'à obtenir les configurations requises de la partie restante de la couche. On sélectionne les matériaux des couches de manière à ce que leurs caractéristiques d'émission garantissent le courant nécessaire depuis la couche de métal supérieure. Lors de la fabrication d'une structure d'afficheur, la grille de commande est formée à partir d'un métal dont le seuil d'émission est supérieur à la tension du champ à laquelle la cathode émet le courant désiré. Le procédé de l'invention permet d'éviter le stade d'enlèvement de la couche d'émission, ce qui permet de créer des afficheurs plats ayant de bonnes caractéristiques, un rendement élevé et un faible coût de fabrication.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2001</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20010830&DB=EPODOC&CC=WO&NR=0163637A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25544,76292</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20010830&DB=EPODOC&CC=WO&NR=0163637A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SAMORODOV, VLADIMIR ANATOLIEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>SUETIN, NIKOLAI VLADISLAVOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>BLYABLIN, ALEXANDR ALEXANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>RAKHIMOV, ALEXANDR TURSUNOVICH</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCING AN ADDRESSABLE FIELD-EMISSION CATHODE AND AN ASSOCIATED DISPLAY STRUCTURE</title><description>The inventive method relates to microelectronic and consists in the application of an emission layer to elements of an addressable field-emission electrode with the aid of a gas-phase synthesis method in a hydrogen flow accompanied by a supply of a carbonaceous gas. A dielectric backing is made of a high-temperature resistant material and discrete elements of the addressable field-emission electrode are made of a high-temperature resistant metal. the growth rate of the emission layer on the dielectric backing is smaller than the growth rate of the emission layer on the metallic discrete elements as a result of a selected process of depositing the carbonaceous emission layer, namely the backing temperature, the temperature of the reactor threads, the pumping speed of a gas mixture through the reactor, a selected distance between the reactor threads and the backing and a settling time. The cathode metallic discrete elements can be made of two metallic layers. The upper metallic layer is removed before the formation of required configurations from the remaining layer. The layer materials are selected in such a way that the emission characteristics thereof can ensure a required current from the upper metallic layer. For producing a display structure, a control grid is obtained from the metal layer having an emission threshold higher than a field density at which the cathode emits the required current. The inventive method enables to avoid operations of removing the emission layer making it possible to produce flat displays having high characteristics in addition to high performance and low cost.
L'invention relève de la micro-électronique et consiste à appliquer une couche d'émission sur les éléments d'une cathode adressable à champ d'émission par procédé de synthèse en phase gazeuse dans un flux d'hydrogène, avec amenée d'un gaz carboné. Le substrat diélectrique est constitué d'un matériau à température élevé, les éléments discrets de la cathode adressable à champ d'émission étant faits d'un métal à température élevée. La sélection du mode de sédimentation de la couche d'émission contenant du carbone (notamment de la température du substrat, la température des filaments du réacteur, la vitesse de pompage du mélange gazeux à travers le réacteur, la sélection de l'écart entre les filaments métalliques du réacteur et le substrat, de la distance entre l'écran à grille et le substrat, le temps de sédimentation) on obtient une vitesse de croissance de la couche à émission sur le substrat diélectrique qui est inférieure à la vitesse de croissance de la couche à émission sur les éléments métalliques discrets. Les éléments métalliques discrets de la cathode peuvent être faits à partir de deux couches de métaux. On enlève la couche de métal supérieure jusqu'à obtenir les configurations requises de la partie restante de la couche. On sélectionne les matériaux des couches de manière à ce que leurs caractéristiques d'émission garantissent le courant nécessaire depuis la couche de métal supérieure. Lors de la fabrication d'une structure d'afficheur, la grille de commande est formée à partir d'un métal dont le seuil d'émission est supérieur à la tension du champ à laquelle la cathode émet le courant désiré. 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A dielectric backing is made of a high-temperature resistant material and discrete elements of the addressable field-emission electrode are made of a high-temperature resistant metal. the growth rate of the emission layer on the dielectric backing is smaller than the growth rate of the emission layer on the metallic discrete elements as a result of a selected process of depositing the carbonaceous emission layer, namely the backing temperature, the temperature of the reactor threads, the pumping speed of a gas mixture through the reactor, a selected distance between the reactor threads and the backing and a settling time. The cathode metallic discrete elements can be made of two metallic layers. The upper metallic layer is removed before the formation of required configurations from the remaining layer. The layer materials are selected in such a way that the emission characteristics thereof can ensure a required current from the upper metallic layer. For producing a display structure, a control grid is obtained from the metal layer having an emission threshold higher than a field density at which the cathode emits the required current. The inventive method enables to avoid operations of removing the emission layer making it possible to produce flat displays having high characteristics in addition to high performance and low cost.
L'invention relève de la micro-électronique et consiste à appliquer une couche d'émission sur les éléments d'une cathode adressable à champ d'émission par procédé de synthèse en phase gazeuse dans un flux d'hydrogène, avec amenée d'un gaz carboné. Le substrat diélectrique est constitué d'un matériau à température élevé, les éléments discrets de la cathode adressable à champ d'émission étant faits d'un métal à température élevée. La sélection du mode de sédimentation de la couche d'émission contenant du carbone (notamment de la température du substrat, la température des filaments du réacteur, la vitesse de pompage du mélange gazeux à travers le réacteur, la sélection de l'écart entre les filaments métalliques du réacteur et le substrat, de la distance entre l'écran à grille et le substrat, le temps de sédimentation) on obtient une vitesse de croissance de la couche à émission sur le substrat diélectrique qui est inférieure à la vitesse de croissance de la couche à émission sur les éléments métalliques discrets. Les éléments métalliques discrets de la cathode peuvent être faits à partir de deux couches de métaux. On enlève la couche de métal supérieure jusqu'à obtenir les configurations requises de la partie restante de la couche. On sélectionne les matériaux des couches de manière à ce que leurs caractéristiques d'émission garantissent le courant nécessaire depuis la couche de métal supérieure. Lors de la fabrication d'une structure d'afficheur, la grille de commande est formée à partir d'un métal dont le seuil d'émission est supérieur à la tension du champ à laquelle la cathode émet le courant désiré. Le procédé de l'invention permet d'éviter le stade d'enlèvement de la couche d'émission, ce qui permet de créer des afficheurs plats ayant de bonnes caractéristiques, un rendement élevé et un faible coût de fabrication.</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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