A METHOD OF ALLOWING A STABLE POWER TRANSMISSION INTO A PLASMA PROCESSING CHAMBER

A method of processing a metal layer on a substrate. The method comprises disposing the substrate in a chamber having a dielectric member and processing gas. An interior surface of the dielectric member is heated to a temperature above about 150 DEG C and the metal layer is processed when processing...

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Hauptverfasser: HWANG, JENG, H, MAK, STEVE, S., Y, CHIANG, KANG-LIE
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A method of processing a metal layer on a substrate. The method comprises disposing the substrate in a chamber having a dielectric member and processing gas. An interior surface of the dielectric member is heated to a temperature above about 150 DEG C and the metal layer is processed when processing power is passed through the heated dielectric member. Heating of the interior surface of the dielectric member essentially prevents deposits from forming on the interior surface and allows a stable power transmission through the dielectric member. L'invention concerne un procédé de traitement d'une couche métallique sur un substrat. Le procédé consiste à disposer le substrat dans une chambre comportant un élément diélectrique et un gaz de traitement. Une surface intérieure de l'élément diélectrique est chauffée à une température supérieure à 150 DEG C environ et la couche métallique est traitée par passage d'une énergie de traitement dans l'élément diélectrique chauffé. Le chauffage de la surface intérieure de l'élément diélectrique empêche essentiellement la formation de dépôts sur la surface intérieure et permet d'effectuer une transmission d'énergie stable dans l'élément diélectrique.