Contact resistance optimization via EPI growth engineering

A transistor contact structure and methods of making the same. The method includes forming a first semiconductor layer in a source/drain opening of a substrate, the first layer having a non-planar top surface; forming a second semiconductor layer directly on the first layer, the second layer having...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Stoker Matthew W, Ontalus Viorel C, Levesque Annie
Format: Patent
Sprache:eng
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