Solid-state imaging device

Unit pixel cells each includes: a photoelectric conversion film; a transparent electrode; a pixel electrode; an amplification transistor; a reset transistor; and an element isolation STI and a leakage suppression region for electrically isolating the amplification transistor and the reset transistor...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Matsunaga Yoshiyuki
Format: Patent
Sprache:eng
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