Nanostructure semiconductor light emitting device

A nanostructure semiconductor light emitting device includes: a base layer formed of a first-conductivity type nitride semiconductor material; and a plurality of light emitting nanostructures disposed on the base layer to be spaced apart from each other, wherein each of the plurality of light emitti...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Kim Jung Sub, Chun Dae Myung, Chung Byung Kyu, Seo Yeon Woo, Lee Dong Gun, Choi Soo Jeong
Format: Patent
Sprache:eng
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