Light emitting semiconductor device

A light emitting semiconductor device comprises an upper cladding layer (106) consisting of a first upper cladding layer (106a) provided on an active layer (105) and a second upper cladding layer (106b) provided on the first upper cladding layer (106a) to increase the light emitting efficiency and r...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: OGIHARA MITSUHIKO, HAMANO HIROSHI, TANINAKA MASUMI
Format: Patent
Sprache:eng
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