Light emitting semiconductor device
A light emitting semiconductor device comprises an upper cladding layer (106) consisting of a first upper cladding layer (106a) provided on an active layer (105) and a second upper cladding layer (106b) provided on the first upper cladding layer (106a) to increase the light emitting efficiency and r...
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Hauptverfasser: | , , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng |
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