T-gate MESFET process using dielectric film lift-off technique

An improved method for forming a T-gate structure in a MESFET includes dielectric lift-off steps.

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	NGUYEN, XUAN, YOO, HYUNG MO
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	An improved method for forming a T-gate structure in a MESFET includes dielectric lift-off steps.