Focused ion beam for thin film resistor trim on aluminum nitride substrates

A method for trimming thin film resistors. A focused inert ion beam is employed to selectively remove portions of a resistive film deposited on a substrate.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	LAU, JAMES C, LOWERY, MAURICE, LUI, KENNETH
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY RESISTORS SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!