FAST RECOVERY DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
A fast recovery diode includes a substrate; an epitaxial layer formed on the substrate; a P-type low-concentration doping region formed in an upper portion of the epitaxial layer and a P-type high-concentration doping region formed on the P-type low-concentration doping region; a P-type guard ring f...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng |
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