SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device according to the present disclosure includes a first insulating film, a second insulating film, and a tungsten film provided between the first insulating film and the second insulating film, the tungsten film having a crystal particle, wherein a thickness T of the tungsten fil...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: IKENO, Daisuke, UMINO, Ryosuke, KAJITA, Akihiro, KITAMURA, Masayuki
Format: Patent
Sprache:eng
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