METHOD OF SELECTIVELY ETCHING A METAL LAYER FROM A MICROSTRUCTURE

The invention relates to a method of etching a portion of a metal layer of a microstructure comprised of the metal layer disposed on a transparent conducting oxide (TCO) layer, and in particular, to selectively etching the portion of the metal layer and not the TCO layer.

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1. Verfasser: Sebastian Muthu
Format: Patent
Sprache:eng
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