BEOL COMPATIBLE FET STRUCTURE

This invention provides structures and a fabrication process for incorporating thin film transistors in back end of the line (BEOL) interconnect structures. The structures and fabrication processes described are compatible with processing requirements for the BEOL interconnect structures. The struct...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BERNSTEIN KERRY, TYBERG CHRISTY S, HOVEL HAROLD J, WISNIEFF ROBERT L, SAENGER KATHERINE L, CHU JACK O, BEDELL STEPHEN W
Format: Patent
Sprache:eng
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