Mesa Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser
The present invention provides an improved mesa vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL), in which a first distributed Bragg reflector (DBR) mesa of semiconductor material is disposed on a top surface of an active layer. A contact annulus is disposed on a contact region of a top surface of the...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng |
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