Front-side-type image sensor

The invention relates to a front-side imager comprising in succession: -a semiconductor carrier substrate, a first electrically insulating separating layer, and a single-crystal semiconductor layer, called the active layer, comprising a matrix array of photodiodes, wherein the imager further compris...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Sellier, Manuel, Schwarzenbach, Walter, Ecarnot, Ludovic
Format: Patent
Sprache:eng
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