Power semiconductor apparatus and manufacturing method therefor

A lead frame (4) includes an inner lead (5), an outer lead (2) connected to the inner lead (5), and a power die pad (7). A power semiconductor device (9) is bonded onto the power die pad (7). A first metal thin line (11) electrically connects the inner lead (5) and the power semiconductor device (9)...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Sakamoto, Ken, Shikano, Taketoshi, Kondo, Satoshi, Iwai, Takamasa, Kawashima, Hiroshi
Format: Patent
Sprache:eng
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