Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch

A method for selectively etching a silicon nitride layer on a substrate includes arranging a substrate on a substrate support of a substrate processing chamber. The substrate processing chamber includes an upper chamber region, an inductive coil arranged outside of the upper chamber region, a lower...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Yang, Dengliang, Park, Pilyeon, Zhu, Helen H, Park, Joon Hong, Yaqoob, Faisal
Format: Patent
Sprache:eng
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