Method for polishing cobalt-containing substrate

The invention is a method for chemical mechanical polishing a semiconductor substrate having cobalt or cobalt alloy containing features containing Co0. The method mixes 0.1 to 2 wt % hydrogen peroxide oxidizing agent (α) into a slurry containing 0.5 to 3 wt % colloidal silica particles (β), the coll...

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Hauptverfasser: Wang, Hongyu, Theivanayagam, Murali G
Format: Patent
Sprache:eng
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