THE PROCESS OF CREATING A LOW-TEMPERATURE OHMIC CONTACT TO SEMICONDUCTORS OF A3B5 TYPE

The process of creating a low-temperature ohmic contact to semiconductors of A3B5 type includes cleaning of the surface of semiconductor plate and spraying of a preheated plate with two contact-creating layers of metal layer and of germanium layer, then a diffusion barrier layer of a refractory compound and the outer contact layer, then the adopted structure is annealed in an atmosphere of a mixture of hydrogen and nitrogen. The gold layer with thickness of 150-200 nm is sprayed as the first contact-creating layer, the germanium layer is sprayed with thickness of 10-50 nm, the layer of titanium boride is sprayed as a diffuse layer, and it is performed the rapid thermal annealing of the contact structure within 10-30 seconds at a temperature of 400-500° C. Способ создания низкотемпературного омического контакта к полупроводникам типа А3В5 включает очистку поверхности пластины полупроводника и напыление на предварительно подогретую пластину двух контактообразующих слоев из слоя металла и слоя германия, затем слой диффузионного барьера тугоплавкого соединения и внешний контактный слой, после чего принятую структуру отжигают в атмосфере смеси водорода и азота. Как первый контактообразующий слой напыляют слой золота толщиной 150-200 нм, слой германия напыляют толщиной 10-50 нм, как диффузный слой напыляют слой боридов титана и осуществляют быстрый термический отжиг контактной структуры в течение 10-30 сек. при температуре 400-500 ° C. Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5 включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту. Як перший контактоутворюючий шар напилюють шар золота товщиною 150-200 нм, шар германію напилюють товщиною 10-50 нм, як дифузійний шар напилюють шар бориду титану і здійснюють швидкий термічний відпал контактної структури протягом 10-30 сек. при температурі 400-500 °C.