DEVICE FOR PRODUCING OF INGOTS OF MULTICRYSTAL SILICON BY INDUCTION

The invention relates to devices for producing of multi-crystal silicon by induction. A device comprises the cooled crucible with moving bottom, four walls of which are formed as sections, divided vertical gaps. At that inner surface of cooled crucible forms melting space of rectangular or square cross-section, and each wall of cooled crucible has central section, which provides deficiency vertical gaps at middle of wall of melting space. The sections of cooled crucible provides expansion of melting space at least from level of inductor to bottom of cooling crucible, which angel is determined with the ratio:,where: d - size of smaller from rectangular sides or size of square side of cross-section of melting space on level of inductor,b - size of contiguous side of cross-section of melting space on level of inductor,k - empirical coefficient having valve from 1.5 to 2.Decreasing of spilling of silicon smelt provided due to offered implementation, this results to improvement of quality of produced multicrystal silicon. Винахід належить до пристроїв для отримання мультикристалічного кремнію індукційним методом. Пристрій включає охолоджуваний тигель з рухомим дном, чотири стінки якого утворені секціями, розділеними вертикальними щілинами. При цьому, внутрішня поверхня охолоджуваного тигля утворює плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу і кожна стінка охолоджуваного тигля має центральну секцію, що забезпечує відсутність вертикальної щілини по середині сторони плавильного простору. Секції охолоджуваного тигля забезпечують розширення плавильного простору принаймні від рівня індуктора до низу охолоджуваного тигля, кут якоговизначений співвідношенням:,де:d - розмір меншої зі сторін прямокутника або розмір сторони квадрата поперечного розрізу плавильного простору на рівні індуктора,b - розмір суміжної сторони поперечного розрізу плавильного простору на рівні індуктора,k - емпіричний коефіцієнт, що має значення від 1,5 до 2. За рахунок запропонованого виконання забезпечується зниження проливання розплаву кремнію, що приводить до покращення якості отриманого мультикристалічного кремнію.[Изобретение относится к устройствам для получения мультикристаллического кремния индукционным методом. Устройство включает охлаждаемый тигель с подвижным дном, четыре стенки которого образованы секциями, разделенными вертикальными щелями. При этом внутренняя поверхность охлаждаемого тигля образовывает плавильное пространство прямоугольного или квадратного по