METHOD FOR PRODUCING FILMS of garnet ferrite CONTAINING Bi, with a given surface roughness
A method for producing films of garnet ferrite containing Bi with a given surface roughness includes a target producing which contains garnet ferrite components comprising Bi, the target components spraying on substrate from a nonmagnetic garnet, annealing the produced film at a temperature of cryst...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus ; ukr |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
container_end_page | |
---|---|
container_issue | |
container_start_page | |
container_title | |
container_volume | |
creator | SHAPOSHNIKOV OLEKSANDR MYKOLAIOVYCH KARAVAINYKOV ANDRII VIKTOROVYCH SHARAI IRYNA VIKTORIVNA BARIAKHTAR VIKTOR HRYHOROVYCH PROKOPOV ANATOLII ROMANOVYCH |
description | A method for producing films of garnet ferrite containing Bi with a given surface roughness includes a target producing which contains garnet ferrite components comprising Bi, the target components spraying on substrate from a nonmagnetic garnet, annealing the produced film at a temperature of crystallization of garnet ferrite in air at atmospheric pressure. In addition, the heating rate of the film to the crystallization temperature of the ferrite-garnet is set between 2 and 40 °C/min.
Способ получения пленок феррит-граната, содержащих Bi, с заданной шероховатостью поверхности включает изготовление мишени, содержащий компоненты феррит-граната, содержащего Bi, распыление компонентов мишени на подложку из немагнитного граната, отжиг полученной пленки при температуре кристаллизации феррит-граната на воздухе при атмосферном давлении. Кроме этого, скорость нагрева пленки до температуры кристаллизации феррит-граната устанавливают от 2 до 40 °C/мин.
Спосіб отримання плівок ферит-гранату, що містить Ві, із заданою шорсткістю поверхні включає виготовлення мішені, що містить компоненти ферит-гранату, що містить Ві, розпилення компонентів мішені на підкладку з немагнітного гранату, відпалювання отриманої плівки при температурі кристалізації ферит-гранату на повітрі при атмосферному тиску. Крім цього, швидкість нагрівання плівки до температури кристалізації ферит-гранату встановлюють від 2 до /хв. |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_UA87156UU</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>UA87156UU</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_UA87156UU3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZIjydQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdfb0c1dw8_TxDVbIT1NITyzKSy1RSEstKsosSVVw9vcLcfT0AylxytRRKM8syVBIVEjPLEvNUyguLUpLTE5VKMovTc_ISy0u5mFgTUvMKU7lhdLcDHJuriHOHrqpBfnxqcUFQMVAs-NDHS3MDU3NQkONCSoAAF3wNgA</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD FOR PRODUCING FILMS of garnet ferrite CONTAINING Bi, with a given surface roughness</title><source>esp@cenet</source><creator>SHAPOSHNIKOV OLEKSANDR MYKOLAIOVYCH ; KARAVAINYKOV ANDRII VIKTOROVYCH ; SHARAI IRYNA VIKTORIVNA ; BARIAKHTAR VIKTOR HRYHOROVYCH ; PROKOPOV ANATOLII ROMANOVYCH</creator><creatorcontrib>SHAPOSHNIKOV OLEKSANDR MYKOLAIOVYCH ; KARAVAINYKOV ANDRII VIKTOROVYCH ; SHARAI IRYNA VIKTORIVNA ; BARIAKHTAR VIKTOR HRYHOROVYCH ; PROKOPOV ANATOLII ROMANOVYCH</creatorcontrib><description>A method for producing films of garnet ferrite containing Bi with a given surface roughness includes a target producing which contains garnet ferrite components comprising Bi, the target components spraying on substrate from a nonmagnetic garnet, annealing the produced film at a temperature of crystallization of garnet ferrite in air at atmospheric pressure. In addition, the heating rate of the film to the crystallization temperature of the ferrite-garnet is set between 2 and 40 °C/min.
Способ получения пленок феррит-граната, содержащих Bi, с заданной шероховатостью поверхности включает изготовление мишени, содержащий компоненты феррит-граната, содержащего Bi, распыление компонентов мишени на подложку из немагнитного граната, отжиг полученной пленки при температуре кристаллизации феррит-граната на воздухе при атмосферном давлении. Кроме этого, скорость нагрева пленки до температуры кристаллизации феррит-граната устанавливают от 2 до 40 °C/мин.
Спосіб отримання плівок ферит-гранату, що містить Ві, із заданою шорсткістю поверхні включає виготовлення мішені, що містить компоненти ферит-гранату, що містить Ві, розпилення компонентів мішені на підкладку з немагнітного гранату, відпалювання отриманої плівки при температурі кристалізації ферит-гранату на повітрі при атмосферному тиску. Крім цього, швидкість нагрівання плівки до температури кристалізації ферит-гранату встановлюють від 2 до /хв.</description><language>eng ; rus ; ukr</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140127&DB=EPODOC&CC=UA&NR=87156U$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25562,76317</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140127&DB=EPODOC&CC=UA&NR=87156U$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SHAPOSHNIKOV OLEKSANDR MYKOLAIOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>KARAVAINYKOV ANDRII VIKTOROVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>SHARAI IRYNA VIKTORIVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>BARIAKHTAR VIKTOR HRYHOROVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>PROKOPOV ANATOLII ROMANOVYCH</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCING FILMS of garnet ferrite CONTAINING Bi, with a given surface roughness</title><description>A method for producing films of garnet ferrite containing Bi with a given surface roughness includes a target producing which contains garnet ferrite components comprising Bi, the target components spraying on substrate from a nonmagnetic garnet, annealing the produced film at a temperature of crystallization of garnet ferrite in air at atmospheric pressure. In addition, the heating rate of the film to the crystallization temperature of the ferrite-garnet is set between 2 and 40 °C/min.
Способ получения пленок феррит-граната, содержащих Bi, с заданной шероховатостью поверхности включает изготовление мишени, содержащий компоненты феррит-граната, содержащего Bi, распыление компонентов мишени на подложку из немагнитного граната, отжиг полученной пленки при температуре кристаллизации феррит-граната на воздухе при атмосферном давлении. Кроме этого, скорость нагрева пленки до температуры кристаллизации феррит-граната устанавливают от 2 до 40 °C/мин.
Спосіб отримання плівок ферит-гранату, що містить Ві, із заданою шорсткістю поверхні включає виготовлення мішені, що містить компоненти ферит-гранату, що містить Ві, розпилення компонентів мішені на підкладку з немагнітного гранату, відпалювання отриманої плівки при температурі кристалізації ферит-гранату на повітрі при атмосферному тиску. Крім цього, швидкість нагрівання плівки до температури кристалізації ферит-гранату встановлюють від 2 до /хв.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZIjydQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdfb0c1dw8_TxDVbIT1NITyzKSy1RSEstKsosSVVw9vcLcfT0AylxytRRKM8syVBIVEjPLEvNUyguLUpLTE5VKMovTc_ISy0u5mFgTUvMKU7lhdLcDHJuriHOHrqpBfnxqcUFQMVAs-NDHS3MDU3NQkONCSoAAF3wNgA</recordid><startdate>20140127</startdate><enddate>20140127</enddate><creator>SHAPOSHNIKOV OLEKSANDR MYKOLAIOVYCH</creator><creator>KARAVAINYKOV ANDRII VIKTOROVYCH</creator><creator>SHARAI IRYNA VIKTORIVNA</creator><creator>BARIAKHTAR VIKTOR HRYHOROVYCH</creator><creator>PROKOPOV ANATOLII ROMANOVYCH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20140127</creationdate><title>METHOD FOR PRODUCING FILMS of garnet ferrite CONTAINING Bi, with a given surface roughness</title><author>SHAPOSHNIKOV OLEKSANDR MYKOLAIOVYCH ; KARAVAINYKOV ANDRII VIKTOROVYCH ; SHARAI IRYNA VIKTORIVNA ; BARIAKHTAR VIKTOR HRYHOROVYCH ; PROKOPOV ANATOLII ROMANOVYCH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_UA87156UU3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus ; ukr</language><creationdate>2014</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SHAPOSHNIKOV OLEKSANDR MYKOLAIOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>KARAVAINYKOV ANDRII VIKTOROVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>SHARAI IRYNA VIKTORIVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>BARIAKHTAR VIKTOR HRYHOROVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>PROKOPOV ANATOLII ROMANOVYCH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SHAPOSHNIKOV OLEKSANDR MYKOLAIOVYCH</au><au>KARAVAINYKOV ANDRII VIKTOROVYCH</au><au>SHARAI IRYNA VIKTORIVNA</au><au>BARIAKHTAR VIKTOR HRYHOROVYCH</au><au>PROKOPOV ANATOLII ROMANOVYCH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PRODUCING FILMS of garnet ferrite CONTAINING Bi, with a given surface roughness</title><date>2014-01-27</date><risdate>2014</risdate><abstract>A method for producing films of garnet ferrite containing Bi with a given surface roughness includes a target producing which contains garnet ferrite components comprising Bi, the target components spraying on substrate from a nonmagnetic garnet, annealing the produced film at a temperature of crystallization of garnet ferrite in air at atmospheric pressure. In addition, the heating rate of the film to the crystallization temperature of the ferrite-garnet is set between 2 and 40 °C/min.
Способ получения пленок феррит-граната, содержащих Bi, с заданной шероховатостью поверхности включает изготовление мишени, содержащий компоненты феррит-граната, содержащего Bi, распыление компонентов мишени на подложку из немагнитного граната, отжиг полученной пленки при температуре кристаллизации феррит-граната на воздухе при атмосферном давлении. Кроме этого, скорость нагрева пленки до температуры кристаллизации феррит-граната устанавливают от 2 до 40 °C/мин.
Спосіб отримання плівок ферит-гранату, що містить Ві, із заданою шорсткістю поверхні включає виготовлення мішені, що містить компоненти ферит-гранату, що містить Ві, розпилення компонентів мішені на підкладку з немагнітного гранату, відпалювання отриманої плівки при температурі кристалізації ферит-гранату на повітрі при атмосферному тиску. Крім цього, швидкість нагрівання плівки до температури кристалізації ферит-гранату встановлюють від 2 до /хв.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; rus ; ukr |
recordid | cdi_epo_espacenet_UA87156UU |
source | esp@cenet |
subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
title | METHOD FOR PRODUCING FILMS of garnet ferrite CONTAINING Bi, with a given surface roughness |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-10T08%3A40%3A17IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=SHAPOSHNIKOV%20OLEKSANDR%20MYKOLAIOVYCH&rft.date=2014-01-27&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EUA87156UU%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |