DEVICE FOR GROWING OF MONOCRYSTALS WITH LOW CLARITY FOR THERMAL RADIATION

The invention relates to the preparation of crystals, in particular the preparation of crystals from smelt of Chokhralskii's method. A device for single crystals growing comprises platinum crucible for smelt, mechanism withdrawal of crystal, induction heater, located around crucible, and reflec...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Sidletskyi Oleh Tsezarevyh, Kryvoshein Vadym Ivanovych, Bondar Valerii Hryhorovych
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator	Sidletskyi Oleh Tsezarevyh Kryvoshein Vadym Ivanovych Bondar Valerii Hryhorovych
description	The invention relates to the preparation of crystals, in particular the preparation of crystals from smelt of Chokhralskii's method. A device for single crystals growing comprises platinum crucible for smelt, mechanism withdrawal of crystal, induction heater, located around crucible, and reflecting baffle placed on crucible, which is made as ring plate, which outer diameter amounts to 0.96-0.98 from diameter of crucible, and distance between internal diameter of baffle and growing crystal amounts to 4±0.5 mm. The invention allows obtaining of crystals of big length with high quality on all its length due to maintenance of resistance of process of growing, i.e. to increase of operating factor of growing crystals. Изобретение относится к области получения кристаллов, в частности получения кристаллов из расплава методом Чохральского. Устройство для выращивания монокристаллов содержит платиновый тигель для расплава, механизм вытягивания кристалла, индукционный нагреватель, расположенный вокруг тигля, и размещенный на тигле отражательный экран, который представляет собой кольцевую пластину, внешний диаметр которой составляет 0,96-0,98 от диаметра тигля, а расстояние между внутренним диаметром экрана и выращенным кристаллом составляет 4±0,5 мм. Изобретение позволяет получать кристаллы большой длины с высоким качеством по всей его длине за счет обеспечения стойкости процесса выращивания, т.е. увеличить коэффициент использования выращенных кристаллов. Винахід належить до галузі одержання кристалів, зокрема одержання кристалів з розплаву методом Чохральского. Пристрій для вирощування монокристалів містить платиновий тигель для розплаву, механізм витягування кристалу, індукційний нагрівач, розташований навкруги тиглю, і розміщений на тиглі відбивний екран, який являє собою кільцеву пластину, зовнішній діаметр якої становить 0,96-0,98 від діаметра тиглю, а відстань між внутрішнім діаметром екрану і вирощуваним кристалом становить 4±0,5 мм. Винахід дозволяє одержувати кристали великої довжини з високою якістю по всій його довжині за рахунок забезпечення стійкого процесу вирощування, тобто збільшити коефіцієнт використання вирощуваних кристалів.
format	Patent
fullrecord	<record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_UA86135C2</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>UA86135C2</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_UA86135C23</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZPB0cQ3zdHZVcPMPUnAP8g_39HNX8HdT8PX383cOigwOcfQJVgj3DPFQ8PEPV3D2cQzyDIkEKw7xcA3ydfRRCHJ08XQM8fT342FgTUvMKU7lhdLcDHJuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8aGOFmaGxqbORsYEFQAAPXosFg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>DEVICE FOR GROWING OF MONOCRYSTALS WITH LOW CLARITY FOR THERMAL RADIATION</title><source>esp@cenet</source><creator>Sidletskyi Oleh Tsezarevyh ; Kryvoshein Vadym Ivanovych ; Bondar Valerii Hryhorovych</creator><creatorcontrib>Sidletskyi Oleh Tsezarevyh ; Kryvoshein Vadym Ivanovych ; Bondar Valerii Hryhorovych</creatorcontrib><description>The invention relates to the preparation of crystals, in particular the preparation of crystals from smelt of Chokhralskii's method. A device for single crystals growing comprises platinum crucible for smelt, mechanism withdrawal of crystal, induction heater, located around crucible, and reflecting baffle placed on crucible, which is made as ring plate, which outer diameter amounts to 0.96-0.98 from diameter of crucible, and distance between internal diameter of baffle and growing crystal amounts to 4±0.5 mm. The invention allows obtaining of crystals of big length with high quality on all its length due to maintenance of resistance of process of growing, i.e. to increase of operating factor of growing crystals. Изобретение относится к области получения кристаллов, в частности получения кристаллов из расплава методом Чохральского. Устройство для выращивания монокристаллов содержит платиновый тигель для расплава, механизм вытягивания кристалла, индукционный нагреватель, расположенный вокруг тигля, и размещенный на тигле отражательный экран, который представляет собой кольцевую пластину, внешний диаметр которой составляет 0,96-0,98 от диаметра тигля, а расстояние между внутренним диаметром экрана и выращенным кристаллом составляет 4±0,5 мм. Изобретение позволяет получать кристаллы большой длины с высоким качеством по всей его длине за счет обеспечения стойкости процесса выращивания, т.е. увеличить коэффициент использования выращенных кристаллов. Винахід належить до галузі одержання кристалів, зокрема одержання кристалів з розплаву методом Чохральского. Пристрій для вирощування монокристалів містить платиновий тигель для розплаву, механізм витягування кристалу, індукційний нагрівач, розташований навкруги тиглю, і розміщений на тиглі відбивний екран, який являє собою кільцеву пластину, зовнішній діаметр якої становить 0,96-0,98 від діаметра тиглю, а відстань між внутрішнім діаметром екрану і вирощуваним кристалом становить 4±0,5 мм. Винахід дозволяє одержувати кристали великої довжини з високою якістю по всій його довжині за рахунок забезпечення стійкого процесу вирощування, тобто збільшити коефіцієнт використання вирощуваних кристалів.</description><language>eng ; rus ; ukr</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2009</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20090325&DB=EPODOC&CC=UA&NR=86135C2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20090325&DB=EPODOC&CC=UA&NR=86135C2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Sidletskyi Oleh Tsezarevyh</creatorcontrib><creatorcontrib>Kryvoshein Vadym Ivanovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Bondar Valerii Hryhorovych</creatorcontrib><title>DEVICE FOR GROWING OF MONOCRYSTALS WITH LOW CLARITY FOR THERMAL RADIATION</title><description>The invention relates to the preparation of crystals, in particular the preparation of crystals from smelt of Chokhralskii's method. A device for single crystals growing comprises platinum crucible for smelt, mechanism withdrawal of crystal, induction heater, located around crucible, and reflecting baffle placed on crucible, which is made as ring plate, which outer diameter amounts to 0.96-0.98 from diameter of crucible, and distance between internal diameter of baffle and growing crystal amounts to 4±0.5 mm. The invention allows obtaining of crystals of big length with high quality on all its length due to maintenance of resistance of process of growing, i.e. to increase of operating factor of growing crystals. Изобретение относится к области получения кристаллов, в частности получения кристаллов из расплава методом Чохральского. Устройство для выращивания монокристаллов содержит платиновый тигель для расплава, механизм вытягивания кристалла, индукционный нагреватель, расположенный вокруг тигля, и размещенный на тигле отражательный экран, который представляет собой кольцевую пластину, внешний диаметр которой составляет 0,96-0,98 от диаметра тигля, а расстояние между внутренним диаметром экрана и выращенным кристаллом составляет 4±0,5 мм. Изобретение позволяет получать кристаллы большой длины с высоким качеством по всей его длине за счет обеспечения стойкости процесса выращивания, т.е. увеличить коэффициент использования выращенных кристаллов. Винахід належить до галузі одержання кристалів, зокрема одержання кристалів з розплаву методом Чохральского. Пристрій для вирощування монокристалів містить платиновий тигель для розплаву, механізм витягування кристалу, індукційний нагрівач, розташований навкруги тиглю, і розміщений на тиглі відбивний екран, який являє собою кільцеву пластину, зовнішній діаметр якої становить 0,96-0,98 від діаметра тиглю, а відстань між внутрішнім діаметром екрану і вирощуваним кристалом становить 4±0,5 мм. Винахід дозволяє одержувати кристали великої довжини з високою якістю по всій його довжині за рахунок забезпечення стійкого процесу вирощування, тобто збільшити коефіцієнт використання вирощуваних кристалів.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2009</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPB0cQ3zdHZVcPMPUnAP8g_39HNX8HdT8PX383cOigwOcfQJVgj3DPFQ8PEPV3D2cQzyDIkEKw7xcA3ydfRRCHJ08XQM8fT342FgTUvMKU7lhdLcDHJuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8aGOFmaGxqbORsYEFQAAPXosFg</recordid><startdate>20090325</startdate><enddate>20090325</enddate><creator>Sidletskyi Oleh Tsezarevyh</creator><creator>Kryvoshein Vadym Ivanovych</creator><creator>Bondar Valerii Hryhorovych</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20090325</creationdate><title>DEVICE FOR GROWING OF MONOCRYSTALS WITH LOW CLARITY FOR THERMAL RADIATION</title><author>Sidletskyi Oleh Tsezarevyh ; Kryvoshein Vadym Ivanovych ; Bondar Valerii Hryhorovych</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_UA86135C23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus ; ukr</language><creationdate>2009</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Sidletskyi Oleh Tsezarevyh</creatorcontrib><creatorcontrib>Kryvoshein Vadym Ivanovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Bondar Valerii Hryhorovych</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Sidletskyi Oleh Tsezarevyh</au><au>Kryvoshein Vadym Ivanovych</au><au>Bondar Valerii Hryhorovych</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DEVICE FOR GROWING OF MONOCRYSTALS WITH LOW CLARITY FOR THERMAL RADIATION</title><date>2009-03-25</date><risdate>2009</risdate><abstract>The invention relates to the preparation of crystals, in particular the preparation of crystals from smelt of Chokhralskii's method. A device for single crystals growing comprises platinum crucible for smelt, mechanism withdrawal of crystal, induction heater, located around crucible, and reflecting baffle placed on crucible, which is made as ring plate, which outer diameter amounts to 0.96-0.98 from diameter of crucible, and distance between internal diameter of baffle and growing crystal amounts to 4±0.5 mm. The invention allows obtaining of crystals of big length with high quality on all its length due to maintenance of resistance of process of growing, i.e. to increase of operating factor of growing crystals. Изобретение относится к области получения кристаллов, в частности получения кристаллов из расплава методом Чохральского. Устройство для выращивания монокристаллов содержит платиновый тигель для расплава, механизм вытягивания кристалла, индукционный нагреватель, расположенный вокруг тигля, и размещенный на тигле отражательный экран, который представляет собой кольцевую пластину, внешний диаметр которой составляет 0,96-0,98 от диаметра тигля, а расстояние между внутренним диаметром экрана и выращенным кристаллом составляет 4±0,5 мм. Изобретение позволяет получать кристаллы большой длины с высоким качеством по всей его длине за счет обеспечения стойкости процесса выращивания, т.е. увеличить коэффициент использования выращенных кристаллов. Винахід належить до галузі одержання кристалів, зокрема одержання кристалів з розплаву методом Чохральского. Пристрій для вирощування монокристалів містить платиновий тигель для розплаву, механізм витягування кристалу, індукційний нагрівач, розташований навкруги тиглю, і розміщений на тиглі відбивний екран, який являє собою кільцеву пластину, зовнішній діаметр якої становить 0,96-0,98 від діаметра тиглю, а відстань між внутрішнім діаметром екрану і вирощуваним кристалом становить 4±0,5 мм. Винахід дозволяє одержувати кристали великої довжини з високою якістю по всій його довжині за рахунок забезпечення стійкого процесу вирощування, тобто збільшити коефіцієнт використання вирощуваних кристалів.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext	fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language	eng ; rus ; ukr
recordid	cdi_epo_espacenet_UA86135C2
source	esp@cenet
subjects	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
title	DEVICE FOR GROWING OF MONOCRYSTALS WITH LOW CLARITY FOR THERMAL RADIATION
url	https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-29T19%3A33%3A34IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Sidletskyi%20Oleh%20Tsezarevyh&rft.date=2009-03-25&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EUA86135C2%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true