METHOD FOR DETERMINATION OF DISTRIBUTION OF ADMIXTURES IN VOLUME OF MONO-CRYSTAL

A method for determination of distribution of admixtures in volume of monocrystal includes irradiation of monocrystal, registration of radiation, calculation of concentration of admixtures in monocrystal. Irradiation of monocrystal is performed with X-ray radiation, in sequence one removes layers of monocrystal with thickness about 3-5 wavelengths of absorption, with measurement of intensity of X-ray diffraction lines in each layer, and with determination of change of intensity of X-ray diffraction lines,where:- intensity before removal of layers, imp./s;- intensity after removal of layer, imp./s;Calculation of concentration of admixtures in each layer of monocrystal is carried out by formula:, in atomic parts,where:- parameter of crystalline lattice of monocrystal,;- parameter that takes into account the structure of monocrystal;- difference of radii of atoms of admixture and monocrystal,;- Miller indices,with plotting dependence of concentration of admixtureson the depth of the layer by which distribution of admixtures in the volume of monocrystal is determined. Способ определения распределения примесей в объеме монокристалла включает облучение монокристалла, регистрацию излучения, расчет концентрации примесей в монокристалле. Облучение монокристалла осуществляют рентгеновским излучением, последовательно удаляют слои монокристалла толщиной порядка 3-5 длин абсорбции, измеряют интенсивность дифракционных рентгеновских линий в каждом слое, определяют изменение интенсивности дифракционных рентгеновских линий,где:- интенсивность до удаления слоев, имп./с;- интенсивность после удаления слоя, имп./с;расчет концентрации примесей в каждом слое монокристалла осуществляют по формуле:, в атомных частях,где:- параметр кристаллической решетки моно Спосіб визначення розподілу домішок в об'ємі монокристала включає опромінення монокристала, реєстрацію випромінювання, розрахунок концентрації домішок в монокристалі. Опромінювання монокристала здійснюють рентгенівським випромінюванням, послідовно видаляють шари монокристала товщиною порядку 3-5 довжин абсорбції, вимірюють інтенсивність дифракційних рентгенівських ліній у кожному шарі, визначають зміну інтенсивності дифракційних рентгенівських ліній,де:- інтенсивність до видалення шарів, імп./с;- інтенсивність після видалення шару, імп./с;розрахунок концентрації домішок у кожному шарі монокристала здійснюють за формулою:, в атомних частинах,де:- параметр кристалічної ґратки монокристала,;- параметр, що враховує структуру мо