METHOD FOR PRODUCING NEW THERMO-ELECTRIC MATERIAL n-PbBi4Te7
A method for producing new thermo-electric material n-PbBiTecomprises the loading of starting substance into quarts vacuum ampoule, which is placed into furnace, which temperature is higher melting temperature of starting components, ampoule is soaked at this temperature, homogenizing annealing is c...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | HORICHOK IHOR VOLODYMYROVYCH FREIK DMYTRO MYKHAILOVYCH DYKUN NATALIA IVANIVNA |
| description | A method for producing new thermo-electric material n-PbBiTecomprises the loading of starting substance into quarts vacuum ampoule, which is placed into furnace, which temperature is higher melting temperature of starting components, ampoule is soaked at this temperature, homogenizing annealing is carried out and is cooled on air to room temperature, after that obtained ingots are grinded and pressing is carried out. Lead (Pb), bismuth (Bi) and tellurium (Te) high cleanliness level (99.999 %) are used as starting components, which in the mass ratio correspond to compound PbBiTe.
Способ получения нового термоэлектрического материала n-РbВиТезаключается в том, что исходное вещество загружают в кварцевую вакуумную ампулу, которую помещают в печь, температура которой превышает температуры плавления исходных компонентов, ампулу выдерживают при этой температуре, проводят гомогенизирующий отжиг и охлаждают на воздухе до комнатной температуры, после чего полученные слитки дробят и проводят прессование. В качестве исходных компонентов используют свинец (Рb), висмут (Ви) и теллур (Те) высокого класса (99,999 %), которые в массовом соотношении соответствуют соединению РbВиТе.
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВіТеполягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування. Як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те) високого класу чистоти (99,999 %), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВіТе. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_UA49970UU</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>UA49970UU</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_UA49970UU3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZLDxdQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdfb0c1fwcw1XCPFwDfL113X1cXUOCfJ0VvB1DHEN8nT0UcjTDUhyyjQJSTXnYWBNS8wpTuWF0twMcm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxoY4mlpbmBqGhxgQVAAA6sSki</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD FOR PRODUCING NEW THERMO-ELECTRIC MATERIAL n-PbBi4Te7</title><source>esp@cenet</source><creator>HORICHOK IHOR VOLODYMYROVYCH ; FREIK DMYTRO MYKHAILOVYCH ; DYKUN NATALIA IVANIVNA</creator><creatorcontrib>HORICHOK IHOR VOLODYMYROVYCH ; FREIK DMYTRO MYKHAILOVYCH ; DYKUN NATALIA IVANIVNA</creatorcontrib><description>A method for producing new thermo-electric material n-PbBiTecomprises the loading of starting substance into quarts vacuum ampoule, which is placed into furnace, which temperature is higher melting temperature of starting components, ampoule is soaked at this temperature, homogenizing annealing is carried out and is cooled on air to room temperature, after that obtained ingots are grinded and pressing is carried out. Lead (Pb), bismuth (Bi) and tellurium (Te) high cleanliness level (99.999 %) are used as starting components, which in the mass ratio correspond to compound PbBiTe.
Способ получения нового термоэлектрического материала n-РbВиТезаключается в том, что исходное вещество загружают в кварцевую вакуумную ампулу, которую помещают в печь, температура которой превышает температуры плавления исходных компонентов, ампулу выдерживают при этой температуре, проводят гомогенизирующий отжиг и охлаждают на воздухе до комнатной температуры, после чего полученные слитки дробят и проводят прессование. В качестве исходных компонентов используют свинец (Рb), висмут (Ви) и теллур (Те) высокого класса (99,999 %), которые в массовом соотношении соответствуют соединению РbВиТе.
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВіТеполягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування. Як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те) високого класу чистоти (99,999 %), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВіТе.</description><language>eng ; rus</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2010</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20100525&DB=EPODOC&CC=UA&NR=49970U$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,781,886,25568,76551</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20100525&DB=EPODOC&CC=UA&NR=49970U$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HORICHOK IHOR VOLODYMYROVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>FREIK DMYTRO MYKHAILOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>DYKUN NATALIA IVANIVNA</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCING NEW THERMO-ELECTRIC MATERIAL n-PbBi4Te7</title><description>A method for producing new thermo-electric material n-PbBiTecomprises the loading of starting substance into quarts vacuum ampoule, which is placed into furnace, which temperature is higher melting temperature of starting components, ampoule is soaked at this temperature, homogenizing annealing is carried out and is cooled on air to room temperature, after that obtained ingots are grinded and pressing is carried out. Lead (Pb), bismuth (Bi) and tellurium (Te) high cleanliness level (99.999 %) are used as starting components, which in the mass ratio correspond to compound PbBiTe.
Способ получения нового термоэлектрического материала n-РbВиТезаключается в том, что исходное вещество загружают в кварцевую вакуумную ампулу, которую помещают в печь, температура которой превышает температуры плавления исходных компонентов, ампулу выдерживают при этой температуре, проводят гомогенизирующий отжиг и охлаждают на воздухе до комнатной температуры, после чего полученные слитки дробят и проводят прессование. В качестве исходных компонентов используют свинец (Рb), висмут (Ви) и теллур (Те) высокого класса (99,999 %), которые в массовом соотношении соответствуют соединению РbВиТе.
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВіТеполягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування. Як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те) високого класу чистоти (99,999 %), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВіТе.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2010</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLDxdQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdfb0c1fwcw1XCPFwDfL113X1cXUOCfJ0VvB1DHEN8nT0UcjTDUhyyjQJSTXnYWBNS8wpTuWF0twMcm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxoY4mlpbmBqGhxgQVAAA6sSki</recordid><startdate>20100525</startdate><enddate>20100525</enddate><creator>HORICHOK IHOR VOLODYMYROVYCH</creator><creator>FREIK DMYTRO MYKHAILOVYCH</creator><creator>DYKUN NATALIA IVANIVNA</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20100525</creationdate><title>METHOD FOR PRODUCING NEW THERMO-ELECTRIC MATERIAL n-PbBi4Te7</title><author>HORICHOK IHOR VOLODYMYROVYCH ; FREIK DMYTRO MYKHAILOVYCH ; DYKUN NATALIA IVANIVNA</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_UA49970UU3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2010</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HORICHOK IHOR VOLODYMYROVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>FREIK DMYTRO MYKHAILOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>DYKUN NATALIA IVANIVNA</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HORICHOK IHOR VOLODYMYROVYCH</au><au>FREIK DMYTRO MYKHAILOVYCH</au><au>DYKUN NATALIA IVANIVNA</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PRODUCING NEW THERMO-ELECTRIC MATERIAL n-PbBi4Te7</title><date>2010-05-25</date><risdate>2010</risdate><abstract>A method for producing new thermo-electric material n-PbBiTecomprises the loading of starting substance into quarts vacuum ampoule, which is placed into furnace, which temperature is higher melting temperature of starting components, ampoule is soaked at this temperature, homogenizing annealing is carried out and is cooled on air to room temperature, after that obtained ingots are grinded and pressing is carried out. Lead (Pb), bismuth (Bi) and tellurium (Te) high cleanliness level (99.999 %) are used as starting components, which in the mass ratio correspond to compound PbBiTe.
Способ получения нового термоэлектрического материала n-РbВиТезаключается в том, что исходное вещество загружают в кварцевую вакуумную ампулу, которую помещают в печь, температура которой превышает температуры плавления исходных компонентов, ампулу выдерживают при этой температуре, проводят гомогенизирующий отжиг и охлаждают на воздухе до комнатной температуры, после чего полученные слитки дробят и проводят прессование. В качестве исходных компонентов используют свинец (Рb), висмут (Ви) и теллур (Те) высокого класса (99,999 %), которые в массовом соотношении соответствуют соединению РbВиТе.
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВіТеполягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування. Як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те) високого класу чистоти (99,999 %), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВіТе.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_UA49970UU |
| source | esp@cenet |
| subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
| title | METHOD FOR PRODUCING NEW THERMO-ELECTRIC MATERIAL n-PbBi4Te7 |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-16T22%3A42%3A55IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=HORICHOK%20IHOR%20VOLODYMYROVYCH&rft.date=2010-05-25&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EUA49970UU%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |