METHOD FOR OBTAINING OF MICROCRYSTALS OF INDIUM ARSENIDE
A method for obtaining of microcrystals of indium arsenide comprises the degassing of quartz ampoule in which is placed substrate with preliminary applied on it micro-particles of gold and indium arsenide, soldering and placing into electric resistance furnace with heating of zone of source of indiu...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus ; ukr |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | A method for obtaining of microcrystals of indium arsenide comprises the degassing of quartz ampoule in which is placed substrate with preliminary applied on it micro-particles of gold and indium arsenide, soldering and placing into electric resistance furnace with heating of zone of source of indium arsenide and ampoule in such mode is soaked to obtaining of InAs microcrystals, at that quartz ampoule is filled transport gas - chloride hydrogen after degassing and before soldering, and is placed into electric resistance furnace with heating of substrate zone.
Способ получения микрокристаллов арсенида индия, в соответствии с которым кварцевую ампулу, в которой размещают подкладку с предварительно нанесенными на нее микрочастичками золота и арсенид индия вакуумируют, запаивают и размещают в электропечи сопротивления с нагревом зоны источника арсенида индия, и в таком режиме ампулу выдерживают до получения микрокристаллов InAs, заключается в том, что после вакуумирования перед запаиванием кварцевую ампулу заполняют транспортным газом - хлористым водородом, и размещают в электропечи сопротивления с нагревом зоны подкладки.
Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота та арсенід індію, вакуумують, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію, і у такому режимі ампулу витримують до отримання мікрокристалів InAs, полягає в тому, що після вакуумування перед запаюванням кварцову ампулу заповнюють транспортним газом - хлористим воднем, та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони підкладки. |
---|