Semiconductor devices

A semiconductor device may include a substrate including a recess, a gate insulation layer on a surface of the recess, an impurity barrier layer on a surface of the gate insulation layer to cover the surface of the gate insulation layer, a first gate pattern on impurity barrier layer to fill a lower...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: WE, JUHYUNG, YOON, SUNGMI, KIM, JOOYUB, KIM, DAEHYUN, IM, DONGHYUN, CHUNG, CHUNHYUNG
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
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