Method of manufacturing a 3d semiconductor wafer

A system includes a semiconductor device. The semiconductor device includes a first single crystal silicon layer comprising first transistors, first alignment marks, and at least one metal layer overlying the first single crystal silicon layer, wherein the at least one metal layer comprises copper o...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: OR-BACH, ZVI, SEKAR, DEEPAK C, CRONQUIST, BRIAN, BEINGLASS, ISRAEL, DE JONG, J. L, WURMAN, ZEEV
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!