Heterojunction bipolar transistor and method for forming the same
A heterojunction bipolar transistor includes an emitter layer on a base layer on a collector layer on an upper sub-collector layer over a bottom sub-collector layer, a first dielectric film over the bottom sub-collector layer, the base layer and the emitter layer, a base electrode on the first diele...
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Format: | Patent |
Sprache: | chi ; eng |
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