TWI735905B

A semiconductor memory device includes: a first wiring and a second wiring; a first selection transistor, a memory transistor, and a second selection transistor connected between the first wiring and the second wiring; and a third wiring and a fourth wiring connected to gate electrodes of the first...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: HARAGUCHI, SHINYA
Format: Patent
Sprache:chi
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