Electrical contact

A method for providing a low resistance non-agglomerated Ni monosilicide contact that is useful in semiconductor devices. Where the inventive method of fabricating a substantially non-agglomerated Ni alloy monosilicide comprises the steps of: forming a metal alloy layer over a portion of a Si-contai...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: CARRUTHERS, ROY A, CABRAL, CYRIL JR, HARPER, JAMES M.E, LAVOIE, CHRISTIAN, DETAVERNIER, CHRISTOPHE
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
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