METHOD OF OBTAINING DIELECTRIC COATINGS
The abstract is absent. 1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свой...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | Slepnev Ju.V Inkin V.N Poltoratskij Eh.A Rodionov A.V Il'ichev Eh.A Emel'janov A.V |
| description | The abstract is absent.
1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой - подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10 - 10 ) соответственно и температуре подложек 600 - 650С.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем, что после формирования диэлектрических слоев на их поверхности методом осаждения из газовой фазы формируют пассивирующие слои полупроводникового твердого раствора из ряда Ga AlAs:O или диэлектрика. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_SU940601A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>SU940601A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_SU940601A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZFD3dQ3x8HdR8HdT8HcKcfT08_RzV3DxdPVxdQ4J8nRWcPZ3DAEKBfMwsKYl5hSn8kJpbgZ5N9cQZw_d1IL8-NTigsTk1LzUkvjgUEsTAzMDQ0dDY8IqAFKNIwM</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD OF OBTAINING DIELECTRIC COATINGS</title><source>esp@cenet</source><creator>Slepnev Ju.V ; Inkin V.N ; Poltoratskij Eh.A ; Rodionov A.V ; Il'ichev Eh.A ; Emel'janov A.V</creator><creatorcontrib>Slepnev Ju.V ; Inkin V.N ; Poltoratskij Eh.A ; Rodionov A.V ; Il'ichev Eh.A ; Emel'janov A.V</creatorcontrib><description>The abstract is absent.
1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой - подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10 - 10 ) соответственно и температуре подложек 600 - 650С.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем, что после формирования диэлектрических слоев на их поверхности методом осаждения из газовой фазы формируют пассивирующие слои полупроводникового твердого раствора из ряда Ga AlAs:O или диэлектрика.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1996</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19960520&DB=EPODOC&CC=SU&NR=940601A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19960520&DB=EPODOC&CC=SU&NR=940601A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Slepnev Ju.V</creatorcontrib><creatorcontrib>Inkin V.N</creatorcontrib><creatorcontrib>Poltoratskij Eh.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Rodionov A.V</creatorcontrib><creatorcontrib>Il'ichev Eh.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Emel'janov A.V</creatorcontrib><title>METHOD OF OBTAINING DIELECTRIC COATINGS</title><description>The abstract is absent.
1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой - подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10 - 10 ) соответственно и температуре подложек 600 - 650С.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем, что после формирования диэлектрических слоев на их поверхности методом осаждения из газовой фазы формируют пассивирующие слои полупроводникового твердого раствора из ряда Ga AlAs:O или диэлектрика.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1996</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFD3dQ3x8HdR8HdT8HcKcfT08_RzV3DxdPVxdQ4J8nRWcPZ3DAEKBfMwsKYl5hSn8kJpbgZ5N9cQZw_d1IL8-NTigsTk1LzUkvjgUEsTAzMDQ0dDY8IqAFKNIwM</recordid><startdate>19960520</startdate><enddate>19960520</enddate><creator>Slepnev Ju.V</creator><creator>Inkin V.N</creator><creator>Poltoratskij Eh.A</creator><creator>Rodionov A.V</creator><creator>Il'ichev Eh.A</creator><creator>Emel'janov A.V</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19960520</creationdate><title>METHOD OF OBTAINING DIELECTRIC COATINGS</title><author>Slepnev Ju.V ; Inkin V.N ; Poltoratskij Eh.A ; Rodionov A.V ; Il'ichev Eh.A ; Emel'janov A.V</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_SU940601A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>1996</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Slepnev Ju.V</creatorcontrib><creatorcontrib>Inkin V.N</creatorcontrib><creatorcontrib>Poltoratskij Eh.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Rodionov A.V</creatorcontrib><creatorcontrib>Il'ichev Eh.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Emel'janov A.V</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Slepnev Ju.V</au><au>Inkin V.N</au><au>Poltoratskij Eh.A</au><au>Rodionov A.V</au><au>Il'ichev Eh.A</au><au>Emel'janov A.V</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF OBTAINING DIELECTRIC COATINGS</title><date>1996-05-20</date><risdate>1996</risdate><abstract>The abstract is absent.
1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой - подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10 - 10 ) соответственно и температуре подложек 600 - 650С.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем, что после формирования диэлектрических слоев на их поверхности методом осаждения из газовой фазы формируют пассивирующие слои полупроводникового твердого раствора из ряда Ga AlAs:O или диэлектрика.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_SU940601A1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
| title | METHOD OF OBTAINING DIELECTRIC COATINGS |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-29T16%3A07%3A49IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Slepnev%20Ju.V&rft.date=1996-05-20&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ESU940601A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |