PHOTO TRIAC
The abstract is absent. 1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по край...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | Teter'vova N.A Evseev Ju.A Dumanevich A.N Dudchenko N.V Belaja S.N |
| description | The abstract is absent.
1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного напряжения в режиме коммутации и повышения чувствительности к оптическому сигналу управления, проекция внутреннего контура металлизации по крайней мере одной дополнительной n-эмиттерной области на поверхность структуры хотя бы частично совпадает с границей внешнего n-эмиттерного слоя.2. Фотосимистор по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного тока за счет реализации регенеративного механизма включения, участок базы, управляемый световым потоком, расположен между дополнительным n-эмиттерными, частично металлизированными областями. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_SU898905A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>SU898905A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_SU898905A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZOAO8PAP8VcICfJ0dOZhYE1LzClO5YXS3Azybq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHBoRaWFpYGpo6GxoRVAAAPRRuJ</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>PHOTO TRIAC</title><source>esp@cenet</source><creator>Teter'vova N.A ; Evseev Ju.A ; Dumanevich A.N ; Dudchenko N.V ; Belaja S.N</creator><creatorcontrib>Teter'vova N.A ; Evseev Ju.A ; Dumanevich A.N ; Dudchenko N.V ; Belaja S.N</creatorcontrib><description>The abstract is absent.
1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного напряжения в режиме коммутации и повышения чувствительности к оптическому сигналу управления, проекция внутреннего контура металлизации по крайней мере одной дополнительной n-эмиттерной области на поверхность структуры хотя бы частично совпадает с границей внешнего n-эмиттерного слоя.2. Фотосимистор по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного тока за счет реализации регенеративного механизма включения, участок базы, управляемый световым потоком, расположен между дополнительным n-эмиттерными, частично металлизированными областями.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1996</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19960227&DB=EPODOC&CC=SU&NR=898905A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,781,886,25569,76552</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19960227&DB=EPODOC&CC=SU&NR=898905A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Teter'vova N.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Evseev Ju.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Dumanevich A.N</creatorcontrib><creatorcontrib>Dudchenko N.V</creatorcontrib><creatorcontrib>Belaja S.N</creatorcontrib><title>PHOTO TRIAC</title><description>The abstract is absent.
1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного напряжения в режиме коммутации и повышения чувствительности к оптическому сигналу управления, проекция внутреннего контура металлизации по крайней мере одной дополнительной n-эмиттерной области на поверхность структуры хотя бы частично совпадает с границей внешнего n-эмиттерного слоя.2. Фотосимистор по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного тока за счет реализации регенеративного механизма включения, участок базы, управляемый световым потоком, расположен между дополнительным n-эмиттерными, частично металлизированными областями.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1996</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZOAO8PAP8VcICfJ0dOZhYE1LzClO5YXS3Azybq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHBoRaWFpYGpo6GxoRVAAAPRRuJ</recordid><startdate>19960227</startdate><enddate>19960227</enddate><creator>Teter'vova N.A</creator><creator>Evseev Ju.A</creator><creator>Dumanevich A.N</creator><creator>Dudchenko N.V</creator><creator>Belaja S.N</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19960227</creationdate><title>PHOTO TRIAC</title><author>Teter'vova N.A ; Evseev Ju.A ; Dumanevich A.N ; Dudchenko N.V ; Belaja S.N</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_SU898905A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>1996</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Teter'vova N.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Evseev Ju.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Dumanevich A.N</creatorcontrib><creatorcontrib>Dudchenko N.V</creatorcontrib><creatorcontrib>Belaja S.N</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Teter'vova N.A</au><au>Evseev Ju.A</au><au>Dumanevich A.N</au><au>Dudchenko N.V</au><au>Belaja S.N</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PHOTO TRIAC</title><date>1996-02-27</date><risdate>1996</risdate><abstract>The abstract is absent.
1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного напряжения в режиме коммутации и повышения чувствительности к оптическому сигналу управления, проекция внутреннего контура металлизации по крайней мере одной дополнительной n-эмиттерной области на поверхность структуры хотя бы частично совпадает с границей внешнего n-эмиттерного слоя.2. Фотосимистор по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного тока за счет реализации регенеративного механизма включения, участок базы, управляемый световым потоком, расположен между дополнительным n-эмиттерными, частично металлизированными областями.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_SU898905A1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
| title | PHOTO TRIAC |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-14T18%3A21%3A25IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Teter'vova%20N.A&rft.date=1996-02-27&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ESU898905A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |