REGULATED ACOUSTIC-ELECTRIC PHASE SHIFTER

FIELD: radio engineering. SUBSTANCE: device has sound conducting layer 1 which is made from single crystal with multiple domains. Crystal is Seignette-elastic and Seignette-electric isomorphic gadolinium molybdate which is made as Z-cut plate having at least one strip domain 2 and two domain edges 3...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Gorshkov D.Ju, Ermolov V.A, Ivashkin K.V, Alekseev A.N
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator Gorshkov D.Ju
Ermolov V.A
Ivashkin K.V
Alekseev A.N
description FIELD: radio engineering. SUBSTANCE: device has sound conducting layer 1 which is made from single crystal with multiple domains. Crystal is Seignette-elastic and Seignette-electric isomorphic gadolinium molybdate which is made as Z-cut plate having at least one strip domain 2 and two domain edges 3. This plate also has input acoustic transducer 4 and output acoustic transducer 5, control electrodes 6 and 7 are placed between transducers 4 and 5. Control electrodes are connected to output terminals 8 and 9 of regulated direct voltage power supply 10. In addition device has reference sine-shaped signal oscillator 14, control signal generator 18, additional input acoustic transducer 11 and additional output acoustic transducer 12 which provide additional acoustic channel. EFFECT: increased precision of regulation of phase shift. 1 dwg Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является повышение точности регулирования величины фазового сдвига регулируемого акустоэлектронного фазовращателя (РАФ). РАФ содержит звукопроводящую подложку 1, выполненную из полидоменного монокристалла сегнетоэластика-сегнетоэлектрика, изоморфного молибдата гадолиния в виде пластины Z-среза, содержащей по крайней мере один полосовой домен 2 с двумя плоскими доменными границами 3, и расположенные на ней основные входной 4 и выходной 5 преобразователи акустических волн, а также размещенные между преобразователями 4 и 5 управляющие электроды 6 и 7, подсоединенные к выходным клеммам 8 и 9 регулируемого источника 10 постоянного электрического напряжения. В РАФ введены также генератор 14 опорного синусоидального сигнала, блок 18 формирования сигнала управления и дополнительные входной 11 и выходной 12 преобразователи акустических волн, образующие дополнительный акустический канал. 1 ил.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_SU1753917A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>SU1753917A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_SU1753917A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZNAMcnUP9XEMcXVRcHT2Dw0O8XTWdfVxdQ4J8nRWCPBwDHZVCPbwdAtxDeJhYE1LzClO5YXS3AwKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHBoYbmpsaWhuaOhsZEKAEA8oQkNg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>REGULATED ACOUSTIC-ELECTRIC PHASE SHIFTER</title><source>esp@cenet</source><creator>Gorshkov D.Ju ; Ermolov V.A ; Ivashkin K.V ; Alekseev A.N</creator><creatorcontrib>Gorshkov D.Ju ; Ermolov V.A ; Ivashkin K.V ; Alekseev A.N</creatorcontrib><description>FIELD: radio engineering. SUBSTANCE: device has sound conducting layer 1 which is made from single crystal with multiple domains. Crystal is Seignette-elastic and Seignette-electric isomorphic gadolinium molybdate which is made as Z-cut plate having at least one strip domain 2 and two domain edges 3. This plate also has input acoustic transducer 4 and output acoustic transducer 5, control electrodes 6 and 7 are placed between transducers 4 and 5. Control electrodes are connected to output terminals 8 and 9 of regulated direct voltage power supply 10. In addition device has reference sine-shaped signal oscillator 14, control signal generator 18, additional input acoustic transducer 11 and additional output acoustic transducer 12 which provide additional acoustic channel. EFFECT: increased precision of regulation of phase shift. 1 dwg Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является повышение точности регулирования величины фазового сдвига регулируемого акустоэлектронного фазовращателя (РАФ). РАФ содержит звукопроводящую подложку 1, выполненную из полидоменного монокристалла сегнетоэластика-сегнетоэлектрика, изоморфного молибдата гадолиния в виде пластины Z-среза, содержащей по крайней мере один полосовой домен 2 с двумя плоскими доменными границами 3, и расположенные на ней основные входной 4 и выходной 5 преобразователи акустических волн, а также размещенные между преобразователями 4 и 5 управляющие электроды 6 и 7, подсоединенные к выходным клеммам 8 и 9 регулируемого источника 10 постоянного электрического напряжения. В РАФ введены также генератор 14 опорного синусоидального сигнала, блок 18 формирования сигнала управления и дополнительные входной 11 и выходной 12 преобразователи акустических волн, образующие дополнительный акустический канал. 1 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY ; ELECTRICITY ; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS ; RESONATORS</subject><creationdate>1995</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19950510&amp;DB=EPODOC&amp;CC=SU&amp;NR=1753917A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25544,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19950510&amp;DB=EPODOC&amp;CC=SU&amp;NR=1753917A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Gorshkov D.Ju</creatorcontrib><creatorcontrib>Ermolov V.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Ivashkin K.V</creatorcontrib><creatorcontrib>Alekseev A.N</creatorcontrib><title>REGULATED ACOUSTIC-ELECTRIC PHASE SHIFTER</title><description>FIELD: radio engineering. SUBSTANCE: device has sound conducting layer 1 which is made from single crystal with multiple domains. Crystal is Seignette-elastic and Seignette-electric isomorphic gadolinium molybdate which is made as Z-cut plate having at least one strip domain 2 and two domain edges 3. This plate also has input acoustic transducer 4 and output acoustic transducer 5, control electrodes 6 and 7 are placed between transducers 4 and 5. Control electrodes are connected to output terminals 8 and 9 of regulated direct voltage power supply 10. In addition device has reference sine-shaped signal oscillator 14, control signal generator 18, additional input acoustic transducer 11 and additional output acoustic transducer 12 which provide additional acoustic channel. EFFECT: increased precision of regulation of phase shift. 1 dwg Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является повышение точности регулирования величины фазового сдвига регулируемого акустоэлектронного фазовращателя (РАФ). РАФ содержит звукопроводящую подложку 1, выполненную из полидоменного монокристалла сегнетоэластика-сегнетоэлектрика, изоморфного молибдата гадолиния в виде пластины Z-среза, содержащей по крайней мере один полосовой домен 2 с двумя плоскими доменными границами 3, и расположенные на ней основные входной 4 и выходной 5 преобразователи акустических волн, а также размещенные между преобразователями 4 и 5 управляющие электроды 6 и 7, подсоединенные к выходным клеммам 8 и 9 регулируемого источника 10 постоянного электрического напряжения. В РАФ введены также генератор 14 опорного синусоидального сигнала, блок 18 формирования сигнала управления и дополнительные входной 11 и выходной 12 преобразователи акустических волн, образующие дополнительный акустический канал. 1 ил.</description><subject>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS</subject><subject>RESONATORS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1995</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNAMcnUP9XEMcXVRcHT2Dw0O8XTWdfVxdQ4J8nRWCPBwDHZVCPbwdAtxDeJhYE1LzClO5YXS3AwKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHBoYbmpsaWhuaOhsZEKAEA8oQkNg</recordid><startdate>19950510</startdate><enddate>19950510</enddate><creator>Gorshkov D.Ju</creator><creator>Ermolov V.A</creator><creator>Ivashkin K.V</creator><creator>Alekseev A.N</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19950510</creationdate><title>REGULATED ACOUSTIC-ELECTRIC PHASE SHIFTER</title><author>Gorshkov D.Ju ; Ermolov V.A ; Ivashkin K.V ; Alekseev A.N</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_SU1753917A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>1995</creationdate><topic>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS</topic><topic>RESONATORS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Gorshkov D.Ju</creatorcontrib><creatorcontrib>Ermolov V.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Ivashkin K.V</creatorcontrib><creatorcontrib>Alekseev A.N</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Gorshkov D.Ju</au><au>Ermolov V.A</au><au>Ivashkin K.V</au><au>Alekseev A.N</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>REGULATED ACOUSTIC-ELECTRIC PHASE SHIFTER</title><date>1995-05-10</date><risdate>1995</risdate><abstract>FIELD: radio engineering. SUBSTANCE: device has sound conducting layer 1 which is made from single crystal with multiple domains. Crystal is Seignette-elastic and Seignette-electric isomorphic gadolinium molybdate which is made as Z-cut plate having at least one strip domain 2 and two domain edges 3. This plate also has input acoustic transducer 4 and output acoustic transducer 5, control electrodes 6 and 7 are placed between transducers 4 and 5. Control electrodes are connected to output terminals 8 and 9 of regulated direct voltage power supply 10. In addition device has reference sine-shaped signal oscillator 14, control signal generator 18, additional input acoustic transducer 11 and additional output acoustic transducer 12 which provide additional acoustic channel. EFFECT: increased precision of regulation of phase shift. 1 dwg Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является повышение точности регулирования величины фазового сдвига регулируемого акустоэлектронного фазовращателя (РАФ). РАФ содержит звукопроводящую подложку 1, выполненную из полидоменного монокристалла сегнетоэластика-сегнетоэлектрика, изоморфного молибдата гадолиния в виде пластины Z-среза, содержащей по крайней мере один полосовой домен 2 с двумя плоскими доменными границами 3, и расположенные на ней основные входной 4 и выходной 5 преобразователи акустических волн, а также размещенные между преобразователями 4 и 5 управляющие электроды 6 и 7, подсоединенные к выходным клеммам 8 и 9 регулируемого источника 10 постоянного электрического напряжения. В РАФ введены также генератор 14 опорного синусоидального сигнала, блок 18 формирования сигнала управления и дополнительные входной 11 и выходной 12 преобразователи акустических волн, образующие дополнительный акустический канал. 1 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; rus
recordid cdi_epo_espacenet_SU1753917A1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
ELECTRICITY
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS
RESONATORS
title REGULATED ACOUSTIC-ELECTRIC PHASE SHIFTER
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-27T17%3A53%3A24IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Gorshkov%20D.Ju&rft.date=1995-05-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ESU1753917A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true