MULTICHANNEL READING DEVICE BASED ON CHARGE COUPLING UNITS
FIELD: integral microelectronics. SUBSTANCE: each channel of device has additional diffusion area which type of conductance is opposite to that of substrate, and gate. This additional diffusion area is connected to writing gate and there is charge coupling from additional gate to additional diffusio...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | Ol'shanetskaja V.V Krymskij A.I Li I.I |
| description | FIELD: integral microelectronics. SUBSTANCE: each channel of device has additional diffusion area which type of conductance is opposite to that of substrate, and gate. This additional diffusion area is connected to writing gate and there is charge coupling from additional gate to additional diffusion area. Additional gate is also connected to drain of field-effect transistor. EFFECT: increased sensitivity due to increased precision of suppression of signal components carrying no information. 2 dwg
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Цель изобретения повышение чувствительности путем повышения точности подавления неинформационных компонент сигнала. Многоканальное устройство считывания на ПЗС содержит в каждом канале дополнительную диффузионную область противоположного подложке типа проводимости и затвор, причем дополнительная диффузионная область электрически соединена с затвором записи, а дополнительный затвор зарядно связан с дополнительной диффузионной областью и электрически со стоком МДП-транзистора. 2 ил. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_SU1702829A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>SU1702829A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_SU1702829A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZLDyDfUJ8XT2cPTzc_VRCHJ1dPH0c1dwcQ3zdHZVcHIMdnVR8PdTAMoHubsqOPuHBviA5EP9PEOCeRhY0xJzilN5oTQ3g4Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJfHCoobmBkYWRpaOhMRFKAFHPKJE</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>MULTICHANNEL READING DEVICE BASED ON CHARGE COUPLING UNITS</title><source>esp@cenet</source><creator>Ol'shanetskaja V.V ; Krymskij A.I ; Li I.I</creator><creatorcontrib>Ol'shanetskaja V.V ; Krymskij A.I ; Li I.I</creatorcontrib><description>FIELD: integral microelectronics. SUBSTANCE: each channel of device has additional diffusion area which type of conductance is opposite to that of substrate, and gate. This additional diffusion area is connected to writing gate and there is charge coupling from additional gate to additional diffusion area. Additional gate is also connected to drain of field-effect transistor. EFFECT: increased sensitivity due to increased precision of suppression of signal components carrying no information. 2 dwg
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Цель изобретения повышение чувствительности путем повышения точности подавления неинформационных компонент сигнала. Многоканальное устройство считывания на ПЗС содержит в каждом канале дополнительную диффузионную область противоположного подложке типа проводимости и затвор, причем дополнительная диффузионная область электрически соединена с затвором записи, а дополнительный затвор зарядно связан с дополнительной диффузионной областью и электрически со стоком МДП-транзистора. 2 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1995</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19950820&DB=EPODOC&CC=SU&NR=1702829A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76318</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19950820&DB=EPODOC&CC=SU&NR=1702829A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Ol'shanetskaja V.V</creatorcontrib><creatorcontrib>Krymskij A.I</creatorcontrib><creatorcontrib>Li I.I</creatorcontrib><title>MULTICHANNEL READING DEVICE BASED ON CHARGE COUPLING UNITS</title><description>FIELD: integral microelectronics. SUBSTANCE: each channel of device has additional diffusion area which type of conductance is opposite to that of substrate, and gate. This additional diffusion area is connected to writing gate and there is charge coupling from additional gate to additional diffusion area. Additional gate is also connected to drain of field-effect transistor. EFFECT: increased sensitivity due to increased precision of suppression of signal components carrying no information. 2 dwg
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Цель изобретения повышение чувствительности путем повышения точности подавления неинформационных компонент сигнала. Многоканальное устройство считывания на ПЗС содержит в каждом канале дополнительную диффузионную область противоположного подложке типа проводимости и затвор, причем дополнительная диффузионная область электрически соединена с затвором записи, а дополнительный затвор зарядно связан с дополнительной диффузионной областью и электрически со стоком МДП-транзистора. 2 ил.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1995</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLDyDfUJ8XT2cPTzc_VRCHJ1dPH0c1dwcQ3zdHZVcHIMdnVR8PdTAMoHubsqOPuHBviA5EP9PEOCeRhY0xJzilN5oTQ3g4Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJfHCoobmBkYWRpaOhMRFKAFHPKJE</recordid><startdate>19950820</startdate><enddate>19950820</enddate><creator>Ol'shanetskaja V.V</creator><creator>Krymskij A.I</creator><creator>Li I.I</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19950820</creationdate><title>MULTICHANNEL READING DEVICE BASED ON CHARGE COUPLING UNITS</title><author>Ol'shanetskaja V.V ; Krymskij A.I ; Li I.I</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_SU1702829A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>1995</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Ol'shanetskaja V.V</creatorcontrib><creatorcontrib>Krymskij A.I</creatorcontrib><creatorcontrib>Li I.I</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Ol'shanetskaja V.V</au><au>Krymskij A.I</au><au>Li I.I</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>MULTICHANNEL READING DEVICE BASED ON CHARGE COUPLING UNITS</title><date>1995-08-20</date><risdate>1995</risdate><abstract>FIELD: integral microelectronics. SUBSTANCE: each channel of device has additional diffusion area which type of conductance is opposite to that of substrate, and gate. This additional diffusion area is connected to writing gate and there is charge coupling from additional gate to additional diffusion area. Additional gate is also connected to drain of field-effect transistor. EFFECT: increased sensitivity due to increased precision of suppression of signal components carrying no information. 2 dwg
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Цель изобретения повышение чувствительности путем повышения точности подавления неинформационных компонент сигнала. Многоканальное устройство считывания на ПЗС содержит в каждом канале дополнительную диффузионную область противоположного подложке типа проводимости и затвор, причем дополнительная диффузионная область электрически соединена с затвором записи, а дополнительный затвор зарядно связан с дополнительной диффузионной областью и электрически со стоком МДП-транзистора. 2 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_SU1702829A1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
| title | MULTICHANNEL READING DEVICE BASED ON CHARGE COUPLING UNITS |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-13T07%3A51%3A34IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Ol'shanetskaja%20V.V&rft.date=1995-08-20&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ESU1702829A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |