METHOD OF HERMETIC SEALING OF RADIOELECTRONIC UNIT
FIELD: electrical and radioelectronic equipment. SUBSTANCE: application of the antiadhesion layer is effected by filling of the radioelectronic unit with liquid dielectric at a kinematic viscosity of 4 St. Then the radioelectronic unit is placed in an autoclave and filled with a compound that is ins...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | SHEVCHENKO T.A SOVETKIN JU.F ERSHOVA V.M AGEVNINA T.M NAJMARK EH.A |
| description | FIELD: electrical and radioelectronic equipment. SUBSTANCE: application of the antiadhesion layer is effected by filling of the radioelectronic unit with liquid dielectric at a kinematic viscosity of 4 St. Then the radioelectronic unit is placed in an autoclave and filled with a compound that is insoluble in liquid dielectric (the compound density being higher by 1.1 and more times), for example, an epoxy compound, at a temperature of 40 C and residual pressure of 0.66 to 2.66 kPa. Liquid dielectric is expelled from the gaps over the entire space of the radioelectronic unit. The filled compound is subjected to curing. EFFECT: enhanced dielectric strength of products by prevention of compound cracking. 1 dwg
Изобретение относится к электро- и радиоэлектронной аппаратуре и может быть использовано для герметизации радиоэлектронного блока (РЭБ). Цель - повышение электрической прочности изделия путем исключения растрескивания компаунда. Для этого нанесение антиадгезионного слоя осуществляют заполнением РЭБ жидким диэлектриком с кинематической вязкостью до 4 ст. Затем РЭБ помещают в автоклав и заливают не растворяющимся в жидком диэлектрике компаундом с большей плотностью большей в 1,1 и более раза, например эпоксидным компаундом, при температуре 40С и остаточном давлении 0,66 - 2,66 кПа. Жидкий диэлектрик вытесняется из зазоров по всему объему РЭБ. После заливки производят отверждение компаунда. 1 ил. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_SU1651767A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>SU1651767A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_SU1651767A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDDydQ3x8HdR8HdT8HANAnI8nRWCXR19PP3cQWJBji6e_q4-rs4hQf5-QKlQP88QHgbWtMSc4lReKM3NoODmGuLsoZtakB-fWlyQmJyal1oSHxxqaGZqaG5m7mhoTIQSACIqJn8</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD OF HERMETIC SEALING OF RADIOELECTRONIC UNIT</title><source>esp@cenet</source><creator>SHEVCHENKO T.A ; SOVETKIN JU.F ; ERSHOVA V.M ; AGEVNINA T.M ; NAJMARK EH.A</creator><creatorcontrib>SHEVCHENKO T.A ; SOVETKIN JU.F ; ERSHOVA V.M ; AGEVNINA T.M ; NAJMARK EH.A</creatorcontrib><description>FIELD: electrical and radioelectronic equipment. SUBSTANCE: application of the antiadhesion layer is effected by filling of the radioelectronic unit with liquid dielectric at a kinematic viscosity of 4 St. Then the radioelectronic unit is placed in an autoclave and filled with a compound that is insoluble in liquid dielectric (the compound density being higher by 1.1 and more times), for example, an epoxy compound, at a temperature of 40 C and residual pressure of 0.66 to 2.66 kPa. Liquid dielectric is expelled from the gaps over the entire space of the radioelectronic unit. The filled compound is subjected to curing. EFFECT: enhanced dielectric strength of products by prevention of compound cracking. 1 dwg
Изобретение относится к электро- и радиоэлектронной аппаратуре и может быть использовано для герметизации радиоэлектронного блока (РЭБ). Цель - повышение электрической прочности изделия путем исключения растрескивания компаунда. Для этого нанесение антиадгезионного слоя осуществляют заполнением РЭБ жидким диэлектриком с кинематической вязкостью до 4 ст. Затем РЭБ помещают в автоклав и заливают не растворяющимся в жидком диэлектрике компаундом с большей плотностью большей в 1,1 и более раза, например эпоксидным компаундом, при температуре 40С и остаточном давлении 0,66 - 2,66 кПа. Жидкий диэлектрик вытесняется из зазоров по всему объему РЭБ. После заливки производят отверждение компаунда. 1 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS ; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS ; PRINTED CIRCUITS</subject><creationdate>1994</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19940330&DB=EPODOC&CC=SU&NR=1651767A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19940330&DB=EPODOC&CC=SU&NR=1651767A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SHEVCHENKO T.A</creatorcontrib><creatorcontrib>SOVETKIN JU.F</creatorcontrib><creatorcontrib>ERSHOVA V.M</creatorcontrib><creatorcontrib>AGEVNINA T.M</creatorcontrib><creatorcontrib>NAJMARK EH.A</creatorcontrib><title>METHOD OF HERMETIC SEALING OF RADIOELECTRONIC UNIT</title><description>FIELD: electrical and radioelectronic equipment. SUBSTANCE: application of the antiadhesion layer is effected by filling of the radioelectronic unit with liquid dielectric at a kinematic viscosity of 4 St. Then the radioelectronic unit is placed in an autoclave and filled with a compound that is insoluble in liquid dielectric (the compound density being higher by 1.1 and more times), for example, an epoxy compound, at a temperature of 40 C and residual pressure of 0.66 to 2.66 kPa. Liquid dielectric is expelled from the gaps over the entire space of the radioelectronic unit. The filled compound is subjected to curing. EFFECT: enhanced dielectric strength of products by prevention of compound cracking. 1 dwg
Изобретение относится к электро- и радиоэлектронной аппаратуре и может быть использовано для герметизации радиоэлектронного блока (РЭБ). Цель - повышение электрической прочности изделия путем исключения растрескивания компаунда. Для этого нанесение антиадгезионного слоя осуществляют заполнением РЭБ жидким диэлектриком с кинематической вязкостью до 4 ст. Затем РЭБ помещают в автоклав и заливают не растворяющимся в жидком диэлектрике компаундом с большей плотностью большей в 1,1 и более раза, например эпоксидным компаундом, при температуре 40С и остаточном давлении 0,66 - 2,66 кПа. Жидкий диэлектрик вытесняется из зазоров по всему объему РЭБ. После заливки производят отверждение компаунда. 1 ил.</description><subject>CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS</subject><subject>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS</subject><subject>PRINTED CIRCUITS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1994</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDDydQ3x8HdR8HdT8HANAnI8nRWCXR19PP3cQWJBji6e_q4-rs4hQf5-QKlQP88QHgbWtMSc4lReKM3NoODmGuLsoZtakB-fWlyQmJyal1oSHxxqaGZqaG5m7mhoTIQSACIqJn8</recordid><startdate>19940330</startdate><enddate>19940330</enddate><creator>SHEVCHENKO T.A</creator><creator>SOVETKIN JU.F</creator><creator>ERSHOVA V.M</creator><creator>AGEVNINA T.M</creator><creator>NAJMARK EH.A</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19940330</creationdate><title>METHOD OF HERMETIC SEALING OF RADIOELECTRONIC UNIT</title><author>SHEVCHENKO T.A ; SOVETKIN JU.F ; ERSHOVA V.M ; AGEVNINA T.M ; NAJMARK EH.A</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_SU1651767A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>1994</creationdate><topic>CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS</topic><topic>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS</topic><topic>PRINTED CIRCUITS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SHEVCHENKO T.A</creatorcontrib><creatorcontrib>SOVETKIN JU.F</creatorcontrib><creatorcontrib>ERSHOVA V.M</creatorcontrib><creatorcontrib>AGEVNINA T.M</creatorcontrib><creatorcontrib>NAJMARK EH.A</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SHEVCHENKO T.A</au><au>SOVETKIN JU.F</au><au>ERSHOVA V.M</au><au>AGEVNINA T.M</au><au>NAJMARK EH.A</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF HERMETIC SEALING OF RADIOELECTRONIC UNIT</title><date>1994-03-30</date><risdate>1994</risdate><abstract>FIELD: electrical and radioelectronic equipment. SUBSTANCE: application of the antiadhesion layer is effected by filling of the radioelectronic unit with liquid dielectric at a kinematic viscosity of 4 St. Then the radioelectronic unit is placed in an autoclave and filled with a compound that is insoluble in liquid dielectric (the compound density being higher by 1.1 and more times), for example, an epoxy compound, at a temperature of 40 C and residual pressure of 0.66 to 2.66 kPa. Liquid dielectric is expelled from the gaps over the entire space of the radioelectronic unit. The filled compound is subjected to curing. EFFECT: enhanced dielectric strength of products by prevention of compound cracking. 1 dwg
Изобретение относится к электро- и радиоэлектронной аппаратуре и может быть использовано для герметизации радиоэлектронного блока (РЭБ). Цель - повышение электрической прочности изделия путем исключения растрескивания компаунда. Для этого нанесение антиадгезионного слоя осуществляют заполнением РЭБ жидким диэлектриком с кинематической вязкостью до 4 ст. Затем РЭБ помещают в автоклав и заливают не растворяющимся в жидком диэлектрике компаундом с большей плотностью большей в 1,1 и более раза, например эпоксидным компаундом, при температуре 40С и остаточном давлении 0,66 - 2,66 кПа. Жидкий диэлектрик вытесняется из зазоров по всему объему РЭБ. После заливки производят отверждение компаунда. 1 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_SU1651767A1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS PRINTED CIRCUITS |
| title | METHOD OF HERMETIC SEALING OF RADIOELECTRONIC UNIT |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-30T23%3A13%3A52IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=SHEVCHENKO%20T.A&rft.date=1994-03-30&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ESU1651767A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |