METHOD FOR GENERATION OF COLLECTOR REGIONS OF P-N-P TRANSISTORS

FIELD: semiconductor engineering. SUBSTANCE: high-resistance regions of collector of p-n-p transistor are generated by means of diffusion of p-type dope from ion-doped layer, which has been preliminary generated, into surface of crystal until front of this diffusion joins front of diffusion of p-type dope from submersed p+ layer. This results in possibility increase breakthrough voltage of junction between collector and base of p-n-p transistor, and to increase reproducibility of characteristics of p-n-p transistors. EFFECT: improved electric characteristics. 9 dwg Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров интегральной схемы за счет увеличения пробивного напряжения перехода коллектор-база p-n-p-транзистора и улучшения воспроизводимости параметров p-n-p-транзисторов. Это достигается тем, что формирование высокоомной области коллектора p-n-p -транзистора производится диффузией примеси p-типа из предварительно созданного ионолегированного слоя в рабочую поверхность кристалла до смыкания фронта этой диффузии с фронтом диффузии примеси p-типа из погруженного p- слоя. 9 ил.