METHOD OF DETERMINATION OF PARAMETERS OF TRAPS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS
FIELD: electronics, physics. SUBSTANCE: invention relates to physical methods of examinations. Measurement of parameters is conducted at two values of sample temperature. Pairs of pulses of voltages charging traps are fed to sample. Length of pulses is same but exceeds time of transition period of c...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | Masloboev Ju.P Poltoratskij Eh.A Il'ichev Eh.A |
| description | FIELD: electronics, physics. SUBSTANCE: invention relates to physical methods of examinations. Measurement of parameters is conducted at two values of sample temperature. Pairs of pulses of voltages charging traps are fed to sample. Length of pulses is same but exceeds time of transition period of charge of trap. Areas under curves of time dependence of transient currents registered during charge of traps are measured. Measurement is conducted at two different values of time intervals between pulses. Both intervals meet condition, whereandare areas under curves of transient currents. At one of temperatures amplitude of pulses is increased till difference ofandreaches maximum. Further on parameters of trap are calculated by found values. EFFECT: increased accuracy in determination of parameters of traps.
Изобретение относится к физическим методам исследования и может быть использовано для определения параметров ловушек в полупроводниковых материалах. Цель изобретения - повышение точности определения параметров. Согласно изобретению, измерение проводят при двух значениях температуры образца. На него подают пары импульсов напряжений, заряжающих ловушки. Длительность импульсов одинакова и превосходит время переходного процесса зарядки ловушек. Измеряют площади под кривыми временной зависимости переходных токов, регистрируемых при зарядке ловушек. Измерение проводят при двух разных значениях временного интервала между импульсами. Причем, при обоих интервалах удовлетворяется условие 0 |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_SU1385938A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>SU1385938A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_SU1385938A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZPD0dQ3x8HdR8HdTcHENcQ3y9fRzDPH09wMJBDgGOfqCBINBvJAgx4BgBU8_hWBXX09nfz-XUOcQ_yAFX0egAk9Hn2AeBta0xJziVF4ozc2g4OYa4uyhm1qQH59aXJCYnJqXWhIfHGpobGFqaWzhaGhMhBIA6cQtEQ</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD OF DETERMINATION OF PARAMETERS OF TRAPS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS</title><source>esp@cenet</source><creator>Masloboev Ju.P ; Poltoratskij Eh.A ; Il'ichev Eh.A</creator><creatorcontrib>Masloboev Ju.P ; Poltoratskij Eh.A ; Il'ichev Eh.A</creatorcontrib><description>FIELD: electronics, physics. SUBSTANCE: invention relates to physical methods of examinations. Measurement of parameters is conducted at two values of sample temperature. Pairs of pulses of voltages charging traps are fed to sample. Length of pulses is same but exceeds time of transition period of charge of trap. Areas under curves of time dependence of transient currents registered during charge of traps are measured. Measurement is conducted at two different values of time intervals between pulses. Both intervals meet condition, whereandare areas under curves of transient currents. At one of temperatures amplitude of pulses is increased till difference ofandreaches maximum. Further on parameters of trap are calculated by found values. EFFECT: increased accuracy in determination of parameters of traps.
Изобретение относится к физическим методам исследования и может быть использовано для определения параметров ловушек в полупроводниковых материалах. Цель изобретения - повышение точности определения параметров. Согласно изобретению, измерение проводят при двух значениях температуры образца. На него подают пары импульсов напряжений, заряжающих ловушки. Длительность импульсов одинакова и превосходит время переходного процесса зарядки ловушек. Измеряют площади под кривыми временной зависимости переходных токов, регистрируемых при зарядке ловушек. Измерение проводят при двух разных значениях временного интервала между импульсами. Причем, при обоих интервалах удовлетворяется условие 0<S,<S, где Sи S- площади под кривыми переходных токов. При одной из температур повышают амплитуды импульсов до тех пор, пока разность Sи Sне достигнет максимума. Далее не найденным величинам рассчитывают параметры ловушек.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1996</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19960610&DB=EPODOC&CC=SU&NR=1385938A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19960610&DB=EPODOC&CC=SU&NR=1385938A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Masloboev Ju.P</creatorcontrib><creatorcontrib>Poltoratskij Eh.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Il'ichev Eh.A</creatorcontrib><title>METHOD OF DETERMINATION OF PARAMETERS OF TRAPS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS</title><description>FIELD: electronics, physics. SUBSTANCE: invention relates to physical methods of examinations. Measurement of parameters is conducted at two values of sample temperature. Pairs of pulses of voltages charging traps are fed to sample. Length of pulses is same but exceeds time of transition period of charge of trap. Areas under curves of time dependence of transient currents registered during charge of traps are measured. Measurement is conducted at two different values of time intervals between pulses. Both intervals meet condition, whereandare areas under curves of transient currents. At one of temperatures amplitude of pulses is increased till difference ofandreaches maximum. Further on parameters of trap are calculated by found values. EFFECT: increased accuracy in determination of parameters of traps.
Изобретение относится к физическим методам исследования и может быть использовано для определения параметров ловушек в полупроводниковых материалах. Цель изобретения - повышение точности определения параметров. Согласно изобретению, измерение проводят при двух значениях температуры образца. На него подают пары импульсов напряжений, заряжающих ловушки. Длительность импульсов одинакова и превосходит время переходного процесса зарядки ловушек. Измеряют площади под кривыми временной зависимости переходных токов, регистрируемых при зарядке ловушек. Измерение проводят при двух разных значениях временного интервала между импульсами. Причем, при обоих интервалах удовлетворяется условие 0<S,<S, где Sи S- площади под кривыми переходных токов. При одной из температур повышают амплитуды импульсов до тех пор, пока разность Sи Sне достигнет максимума. Далее не найденным величинам рассчитывают параметры ловушек.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1996</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPD0dQ3x8HdR8HdTcHENcQ3y9fRzDPH09wMJBDgGOfqCBINBvJAgx4BgBU8_hWBXX09nfz-XUOcQ_yAFX0egAk9Hn2AeBta0xJziVF4ozc2g4OYa4uyhm1qQH59aXJCYnJqXWhIfHGpobGFqaWzhaGhMhBIA6cQtEQ</recordid><startdate>19960610</startdate><enddate>19960610</enddate><creator>Masloboev Ju.P</creator><creator>Poltoratskij Eh.A</creator><creator>Il'ichev Eh.A</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19960610</creationdate><title>METHOD OF DETERMINATION OF PARAMETERS OF TRAPS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS</title><author>Masloboev Ju.P ; Poltoratskij Eh.A ; Il'ichev Eh.A</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_SU1385938A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>1996</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Masloboev Ju.P</creatorcontrib><creatorcontrib>Poltoratskij Eh.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Il'ichev Eh.A</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Masloboev Ju.P</au><au>Poltoratskij Eh.A</au><au>Il'ichev Eh.A</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF DETERMINATION OF PARAMETERS OF TRAPS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS</title><date>1996-06-10</date><risdate>1996</risdate><abstract>FIELD: electronics, physics. SUBSTANCE: invention relates to physical methods of examinations. Measurement of parameters is conducted at two values of sample temperature. Pairs of pulses of voltages charging traps are fed to sample. Length of pulses is same but exceeds time of transition period of charge of trap. Areas under curves of time dependence of transient currents registered during charge of traps are measured. Measurement is conducted at two different values of time intervals between pulses. Both intervals meet condition, whereandare areas under curves of transient currents. At one of temperatures amplitude of pulses is increased till difference ofandreaches maximum. Further on parameters of trap are calculated by found values. EFFECT: increased accuracy in determination of parameters of traps.
Изобретение относится к физическим методам исследования и может быть использовано для определения параметров ловушек в полупроводниковых материалах. Цель изобретения - повышение точности определения параметров. Согласно изобретению, измерение проводят при двух значениях температуры образца. На него подают пары импульсов напряжений, заряжающих ловушки. Длительность импульсов одинакова и превосходит время переходного процесса зарядки ловушек. Измеряют площади под кривыми временной зависимости переходных токов, регистрируемых при зарядке ловушек. Измерение проводят при двух разных значениях временного интервала между импульсами. Причем, при обоих интервалах удовлетворяется условие 0<S,<S, где Sи S- площади под кривыми переходных токов. При одной из температур повышают амплитуды импульсов до тех пор, пока разность Sи Sне достигнет максимума. Далее не найденным величинам рассчитывают параметры ловушек.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_SU1385938A1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
| title | METHOD OF DETERMINATION OF PARAMETERS OF TRAPS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-20T03%3A41%3A58IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Masloboev%20Ju.P&rft.date=1996-06-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ESU1385938A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |