METHOD OF TEST OF THERMAL STABILITY OF HOMOGENEOUS CURRENT DISTRIBUTION UNDER PULSE MODES OF OPERATION OF HIGH-POWER BIPOLAR TRANSISTORS

METHOD OF TEST OF THERMAL STABILITY OF HOMOGENEOUS CURRENT DISTRIBUTION UNDER PULSE MODES OF OPERATION OF HIGH-POWER BIPOLAR TRANSISTORS

FIELD: electronics. SUBSTANCE: invention is intended for increase of authenticity of test of thermal stability of homogeneous current distribution under pulse modes of operation of high-power bipolar transistors which is achieved thanks to monitoring of steepness of dependence of voltage between emi...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Kozlov N.A, Rabodzej A.N, Sinkevich V.F
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
MEASURING
MEASURING ELECTRIC VARIABLES
MEASURING MAGNETIC VARIABLES
PHYSICS
TESTING
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator Kozlov N.A
Rabodzej A.N
Sinkevich V.F
description FIELD: electronics. SUBSTANCE: invention is intended for increase of authenticity of test of thermal stability of homogeneous current distribution under pulse modes of operation of high-power bipolar transistors which is achieved thanks to monitoring of steepness of dependence of voltage between emitter and base leads on voltage between collector and base leads for specified amplitude of pulse of emitter current corresponding to examined pulse mode of operation. Thermal stability of homogeneous current distribution under various pulse modes is controlled by measured values of these voltages. Given method can also be used for unspecified form of pulses of emitter current. EFFECT: increased authenticity of test of thermal stability of homogeneous current distribution under pulse modes. 2 dwg, 1 tbl Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для контроля тепловой устойчивости транзисторов в импульсных режимах. Цель изобретения - повышение достоверности контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов - достигается за счет контроля соответствующей исследуемому импульсному режиму работы крутизны зависимости напряжения между эмиттерным и базовым выводами от напряжения между коллекторным и базовым выводами при заданной амплитуде импульсов эмиттерного тока. По измеренным значениям этих напряжений контролируют тепловую устойчивость однородного токораспределения в различных импульсных режимах. Способ может быть также использован при произвольной форме импульсов эмиттерного тока 2 ил., 1 табл.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_SU1290869A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>SU1290869A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_SU1290869A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNjEsKwkAQRLNxIeod-gIBPyBmOUlaZyCZDt09iKsQZFyJBuIhPLYmeABXBVWv3jx516iWSqAjKIpOaZFrU4GoyV3l9DKWlmo6oUcKAkVgRq9QOlF2eVBHHoIvkaEJlSDUVKKML2qQzTSPCneyaUPnL5a7hirDoGy8fC3Eskxmt-4-xNUvFwkcUQubxv7ZxqHvrvERX62EzTZbH_aZ2ez-QD4j2T66</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD OF TEST OF THERMAL STABILITY OF HOMOGENEOUS CURRENT DISTRIBUTION UNDER PULSE MODES OF OPERATION OF HIGH-POWER BIPOLAR TRANSISTORS</title><source>esp@cenet</source><creator>Kozlov N.A ; Rabodzej A.N ; Sinkevich V.F</creator><creatorcontrib>Kozlov N.A ; Rabodzej A.N ; Sinkevich V.F</creatorcontrib><description>FIELD: electronics. SUBSTANCE: invention is intended for increase of authenticity of test of thermal stability of homogeneous current distribution under pulse modes of operation of high-power bipolar transistors which is achieved thanks to monitoring of steepness of dependence of voltage between emitter and base leads on voltage between collector and base leads for specified amplitude of pulse of emitter current corresponding to examined pulse mode of operation. Thermal stability of homogeneous current distribution under various pulse modes is controlled by measured values of these voltages. Given method can also be used for unspecified form of pulses of emitter current. EFFECT: increased authenticity of test of thermal stability of homogeneous current distribution under pulse modes. 2 dwg, 1 tbl Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для контроля тепловой устойчивости транзисторов в импульсных режимах. Цель изобретения - повышение достоверности контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов - достигается за счет контроля соответствующей исследуемому импульсному режиму работы крутизны зависимости напряжения между эмиттерным и базовым выводами от напряжения между коллекторным и базовым выводами при заданной амплитуде импульсов эмиттерного тока. По измеренным значениям этих напряжений контролируют тепловую устойчивость однородного токораспределения в различных импульсных режимах. Способ может быть также использован при произвольной форме импульсов эмиттерного тока 2 ил., 1 табл.</description><language>eng ; rus</language><subject>MEASURING ; MEASURING ELECTRIC VARIABLES ; MEASURING MAGNETIC VARIABLES ; PHYSICS ; TESTING</subject><creationdate>1996</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19961210&amp;DB=EPODOC&amp;CC=SU&amp;NR=1290869A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19961210&amp;DB=EPODOC&amp;CC=SU&amp;NR=1290869A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Kozlov N.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Rabodzej A.N</creatorcontrib><creatorcontrib>Sinkevich V.F</creatorcontrib><title>METHOD OF TEST OF THERMAL STABILITY OF HOMOGENEOUS CURRENT DISTRIBUTION UNDER PULSE MODES OF OPERATION OF HIGH-POWER BIPOLAR TRANSISTORS</title><description>FIELD: electronics. SUBSTANCE: invention is intended for increase of authenticity of test of thermal stability of homogeneous current distribution under pulse modes of operation of high-power bipolar transistors which is achieved thanks to monitoring of steepness of dependence of voltage between emitter and base leads on voltage between collector and base leads for specified amplitude of pulse of emitter current corresponding to examined pulse mode of operation. Thermal stability of homogeneous current distribution under various pulse modes is controlled by measured values of these voltages. Given method can also be used for unspecified form of pulses of emitter current. EFFECT: increased authenticity of test of thermal stability of homogeneous current distribution under pulse modes. 2 dwg, 1 tbl Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для контроля тепловой устойчивости транзисторов в импульсных режимах. Цель изобретения - повышение достоверности контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов - достигается за счет контроля соответствующей исследуемому импульсному режиму работы крутизны зависимости напряжения между эмиттерным и базовым выводами от напряжения между коллекторным и базовым выводами при заданной амплитуде импульсов эмиттерного тока. По измеренным значениям этих напряжений контролируют тепловую устойчивость однородного токораспределения в различных импульсных режимах. Способ может быть также использован при произвольной форме импульсов эмиттерного тока 2 ил., 1 табл.</description><subject>MEASURING</subject><subject>MEASURING ELECTRIC VARIABLES</subject><subject>MEASURING MAGNETIC VARIABLES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>TESTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1996</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjEsKwkAQRLNxIeod-gIBPyBmOUlaZyCZDt09iKsQZFyJBuIhPLYmeABXBVWv3jx516iWSqAjKIpOaZFrU4GoyV3l9DKWlmo6oUcKAkVgRq9QOlF2eVBHHoIvkaEJlSDUVKKML2qQzTSPCneyaUPnL5a7hirDoGy8fC3Eskxmt-4-xNUvFwkcUQubxv7ZxqHvrvERX62EzTZbH_aZ2ez-QD4j2T66</recordid><startdate>19961210</startdate><enddate>19961210</enddate><creator>Kozlov N.A</creator><creator>Rabodzej A.N</creator><creator>Sinkevich V.F</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19961210</creationdate><title>METHOD OF TEST OF THERMAL STABILITY OF HOMOGENEOUS CURRENT DISTRIBUTION UNDER PULSE MODES OF OPERATION OF HIGH-POWER BIPOLAR TRANSISTORS</title><author>Kozlov N.A ; Rabodzej A.N ; Sinkevich V.F</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_SU1290869A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>1996</creationdate><topic>MEASURING</topic><topic>MEASURING ELECTRIC VARIABLES</topic><topic>MEASURING MAGNETIC VARIABLES</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>TESTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Kozlov N.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Rabodzej A.N</creatorcontrib><creatorcontrib>Sinkevich V.F</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Kozlov N.A</au><au>Rabodzej A.N</au><au>Sinkevich V.F</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF TEST OF THERMAL STABILITY OF HOMOGENEOUS CURRENT DISTRIBUTION UNDER PULSE MODES OF OPERATION OF HIGH-POWER BIPOLAR TRANSISTORS</title><date>1996-12-10</date><risdate>1996</risdate><abstract>FIELD: electronics. SUBSTANCE: invention is intended for increase of authenticity of test of thermal stability of homogeneous current distribution under pulse modes of operation of high-power bipolar transistors which is achieved thanks to monitoring of steepness of dependence of voltage between emitter and base leads on voltage between collector and base leads for specified amplitude of pulse of emitter current corresponding to examined pulse mode of operation. Thermal stability of homogeneous current distribution under various pulse modes is controlled by measured values of these voltages. Given method can also be used for unspecified form of pulses of emitter current. EFFECT: increased authenticity of test of thermal stability of homogeneous current distribution under pulse modes. 2 dwg, 1 tbl Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для контроля тепловой устойчивости транзисторов в импульсных режимах. Цель изобретения - повышение достоверности контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов - достигается за счет контроля соответствующей исследуемому импульсному режиму работы крутизны зависимости напряжения между эмиттерным и базовым выводами от напряжения между коллекторным и базовым выводами при заданной амплитуде импульсов эмиттерного тока. По измеренным значениям этих напряжений контролируют тепловую устойчивость однородного токораспределения в различных импульсных режимах. Способ может быть также использован при произвольной форме импульсов эмиттерного тока 2 ил., 1 табл.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; rus
recordid cdi_epo_espacenet_SU1290869A1
source esp@cenet
subjects MEASURING
MEASURING ELECTRIC VARIABLES
MEASURING MAGNETIC VARIABLES
PHYSICS
TESTING
title METHOD OF TEST OF THERMAL STABILITY OF HOMOGENEOUS CURRENT DISTRIBUTION UNDER PULSE MODES OF OPERATION OF HIGH-POWER BIPOLAR TRANSISTORS
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-07T21%3A48%3A12IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Kozlov%20N.A&rft.date=1996-12-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ESU1290869A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true