METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTALS OF SILICON CARBIDE WITH N-TYPE CONDUCTIVITY
FIELD: crystal growing.SUBSTANCE: invention relates to the technology of growing silicon carbide single crystals with n-type conductivity by sublimation of silicon carbide powder. The method involves placing a monocrystalline silicon carbide substrate 2 in the crucible 4 parallel to the surface of t...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | Avdeev Oleg Valerevich Barash Iosif Solomonovich Usikov Aleksandr Sergeevich Mokhov Evgenij Nikolaevich Makarov Yurij Nikolaevich Ramm Mark Grigorevich Roenkov Aleksandr Dmitrievich |
| description | FIELD: crystal growing.SUBSTANCE: invention relates to the technology of growing silicon carbide single crystals with n-type conductivity by sublimation of silicon carbide powder. The method involves placing a monocrystalline silicon carbide substrate 2 in the crucible 4 parallel to the surface of the polycrystalline silicon carbide powder 3 and heating the silicon carbide powder 3 in an inert gas atmosphere using two coaxially arranged heaters 5, 6, one of which 6 is located on the outside of the crucible 4, and the second 5 - in the central part of the crucible 4, in the placement zone of polycrystalline silicon carbide powder 3, while the upper level X1 of polycrystalline silicon carbide powder 3 is located above the upper end of the heater 5 located in the central part of the crucible 4, the substrate 2 is installed at a distance from the surface of the silicon carbide powder 3, ΔX=X1-X2 =(0.10÷0.20) D, where D is the diameter of the substrate 2, mm, heat treatment of silicon carbide powder 3 is carried out in an inert gas atmosphere at a pressure of 550÷700 mm Hg. and temperature on both heaters 5, 6 of 2200÷2350°C, and then the pressure of the inert gas is reduced to 5.0÷350 mm Hg, the temperature on the external heater 6 to 2050÷2200°C, and the temperature inside the heater 5 to a value of 10÷50°C above that on the external heater 6. The method makes it possible to obtain high-quality silicon carbide crystals with a diameter of more than 100 mm by eliminating polytypic heterogeneity, reducing the density of dislocations, micropores and graphite inclusions. The method also provides for heat treatment of polycrystalline silicon carbide powder evenly throughout the volume in order to homogenize the powder by recrystallizing its dust and fine crystal fractions.EFFECT: growth mode provides a controlled change in the temperature of the substrate center, as well as conditions for a layered growth mechanism that helps reduce the density of dislocations, micropores and eliminate polytypical heterogeneity.1 cl, 2 dwg, 3 tbl
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов карбида кремния с проводимостью n-типа сублимацией порошка карбида кремния. Способ включает размещение в тигле 4 монокристаллической подложки 2 карбида кремния параллельно поверхности порошка 3 поликристаллического карбида кремния и нагревание порошка 3 карбида кремния в атмосфере инертного газа с помощью двух коаксиально расположенных нагревателей 5, 6, один из которых 6 распол |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2770838C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2770838C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2770838C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZPDzdQ3x8HdRcPMPUnAP8g_39HNXCAYSPq4KzkGRwSGOPsEK_m5AIR9PZ38_BWfHICdPF1eFcM8QDwU_3ZDIAKA6fz-XUOcQzzDPkEgeBta0xJziVF4ozc2g4OYa4uyhm1qQH59aXJCYnJqXWhIfFGpkbm5gYWzhbGhMhBIAzakudQ</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTALS OF SILICON CARBIDE WITH N-TYPE CONDUCTIVITY</title><source>esp@cenet</source><creator>Avdeev Oleg Valerevich ; Barash Iosif Solomonovich ; Usikov Aleksandr Sergeevich ; Mokhov Evgenij Nikolaevich ; Makarov Yurij Nikolaevich ; Ramm Mark Grigorevich ; Roenkov Aleksandr Dmitrievich</creator><creatorcontrib>Avdeev Oleg Valerevich ; Barash Iosif Solomonovich ; Usikov Aleksandr Sergeevich ; Mokhov Evgenij Nikolaevich ; Makarov Yurij Nikolaevich ; Ramm Mark Grigorevich ; Roenkov Aleksandr Dmitrievich</creatorcontrib><description>FIELD: crystal growing.SUBSTANCE: invention relates to the technology of growing silicon carbide single crystals with n-type conductivity by sublimation of silicon carbide powder. The method involves placing a monocrystalline silicon carbide substrate 2 in the crucible 4 parallel to the surface of the polycrystalline silicon carbide powder 3 and heating the silicon carbide powder 3 in an inert gas atmosphere using two coaxially arranged heaters 5, 6, one of which 6 is located on the outside of the crucible 4, and the second 5 - in the central part of the crucible 4, in the placement zone of polycrystalline silicon carbide powder 3, while the upper level X1 of polycrystalline silicon carbide powder 3 is located above the upper end of the heater 5 located in the central part of the crucible 4, the substrate 2 is installed at a distance from the surface of the silicon carbide powder 3, ΔX=X1-X2 =(0.10÷0.20) D, where D is the diameter of the substrate 2, mm, heat treatment of silicon carbide powder 3 is carried out in an inert gas atmosphere at a pressure of 550÷700 mm Hg. and temperature on both heaters 5, 6 of 2200÷2350°C, and then the pressure of the inert gas is reduced to 5.0÷350 mm Hg, the temperature on the external heater 6 to 2050÷2200°C, and the temperature inside the heater 5 to a value of 10÷50°C above that on the external heater 6. The method makes it possible to obtain high-quality silicon carbide crystals with a diameter of more than 100 mm by eliminating polytypic heterogeneity, reducing the density of dislocations, micropores and graphite inclusions. The method also provides for heat treatment of polycrystalline silicon carbide powder evenly throughout the volume in order to homogenize the powder by recrystallizing its dust and fine crystal fractions.EFFECT: growth mode provides a controlled change in the temperature of the substrate center, as well as conditions for a layered growth mechanism that helps reduce the density of dislocations, micropores and eliminate polytypical heterogeneity.1 cl, 2 dwg, 3 tbl
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов карбида кремния с проводимостью n-типа сублимацией порошка карбида кремния. Способ включает размещение в тигле 4 монокристаллической подложки 2 карбида кремния параллельно поверхности порошка 3 поликристаллического карбида кремния и нагревание порошка 3 карбида кремния в атмосфере инертного газа с помощью двух коаксиально расположенных нагревателей 5, 6, один из которых 6 расположен с внешней стороны тигля 4, а второй 5 - в центральной части тигля 4 в зоне размещения поликристаллического порошка 3 карбида кремния, при этом верхний уровень Х1 поликристаллического порошка 3 карбида кремния располагают выше верхнего торца нагревателя 5, расположенного в центральной части тигля 4, устанавливают подложку 2 на расстоянии от поверхности порошка 3 карбида кремния ΔХ=Х1-Х2=(0,10÷0,20) D, где D - диаметр подложки 2, мм, проводят термическую обработку порошка 3 карбида кремния в атмосфере инертного газа при давлении 550÷700 мм рт.ст. и температуре на обоих нагревателях 5, 6 2200÷2350°С, а затем снижают давление инертного газа до 5,0÷350 мм рт.ст, температуру на внешнем нагревателе 6 до 2050÷2200°С, а температуру на внутреннем нагревателе 5 до значения, на 10÷50°С превышающего температуру на внешнем нагревателе 6. Способ позволяет получить кристаллы карбида кремния высокого качества с диаметром более 100 мм за счет устранения политипной неоднородности, снижения плотности дислокаций, микропор и графитовых включений. Способ также предусматривает термическую обработку поликристаллического порошка карбида кремния равномерно по всему объему с целью гомогенизации порошка счет перекристаллизации его пылевой и мелкокристаллической фракций. Режим роста обеспечивает управляемое изменение температуры центра подложки, а также условия послойного механизма роста, способствующего снижению плотности дислокаций, микропор и устранению политипной неоднородности. 2 ил., 3 табл.</description><language>eng ; rus</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220422&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2770838C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220422&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2770838C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Avdeev Oleg Valerevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Barash Iosif Solomonovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Usikov Aleksandr Sergeevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Mokhov Evgenij Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Makarov Yurij Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Ramm Mark Grigorevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Roenkov Aleksandr Dmitrievich</creatorcontrib><title>METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTALS OF SILICON CARBIDE WITH N-TYPE CONDUCTIVITY</title><description>FIELD: crystal growing.SUBSTANCE: invention relates to the technology of growing silicon carbide single crystals with n-type conductivity by sublimation of silicon carbide powder. The method involves placing a monocrystalline silicon carbide substrate 2 in the crucible 4 parallel to the surface of the polycrystalline silicon carbide powder 3 and heating the silicon carbide powder 3 in an inert gas atmosphere using two coaxially arranged heaters 5, 6, one of which 6 is located on the outside of the crucible 4, and the second 5 - in the central part of the crucible 4, in the placement zone of polycrystalline silicon carbide powder 3, while the upper level X1 of polycrystalline silicon carbide powder 3 is located above the upper end of the heater 5 located in the central part of the crucible 4, the substrate 2 is installed at a distance from the surface of the silicon carbide powder 3, ΔX=X1-X2 =(0.10÷0.20) D, where D is the diameter of the substrate 2, mm, heat treatment of silicon carbide powder 3 is carried out in an inert gas atmosphere at a pressure of 550÷700 mm Hg. and temperature on both heaters 5, 6 of 2200÷2350°C, and then the pressure of the inert gas is reduced to 5.0÷350 mm Hg, the temperature on the external heater 6 to 2050÷2200°C, and the temperature inside the heater 5 to a value of 10÷50°C above that on the external heater 6. The method makes it possible to obtain high-quality silicon carbide crystals with a diameter of more than 100 mm by eliminating polytypic heterogeneity, reducing the density of dislocations, micropores and graphite inclusions. The method also provides for heat treatment of polycrystalline silicon carbide powder evenly throughout the volume in order to homogenize the powder by recrystallizing its dust and fine crystal fractions.EFFECT: growth mode provides a controlled change in the temperature of the substrate center, as well as conditions for a layered growth mechanism that helps reduce the density of dislocations, micropores and eliminate polytypical heterogeneity.1 cl, 2 dwg, 3 tbl
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов карбида кремния с проводимостью n-типа сублимацией порошка карбида кремния. Способ включает размещение в тигле 4 монокристаллической подложки 2 карбида кремния параллельно поверхности порошка 3 поликристаллического карбида кремния и нагревание порошка 3 карбида кремния в атмосфере инертного газа с помощью двух коаксиально расположенных нагревателей 5, 6, один из которых 6 расположен с внешней стороны тигля 4, а второй 5 - в центральной части тигля 4 в зоне размещения поликристаллического порошка 3 карбида кремния, при этом верхний уровень Х1 поликристаллического порошка 3 карбида кремния располагают выше верхнего торца нагревателя 5, расположенного в центральной части тигля 4, устанавливают подложку 2 на расстоянии от поверхности порошка 3 карбида кремния ΔХ=Х1-Х2=(0,10÷0,20) D, где D - диаметр подложки 2, мм, проводят термическую обработку порошка 3 карбида кремния в атмосфере инертного газа при давлении 550÷700 мм рт.ст. и температуре на обоих нагревателях 5, 6 2200÷2350°С, а затем снижают давление инертного газа до 5,0÷350 мм рт.ст, температуру на внешнем нагревателе 6 до 2050÷2200°С, а температуру на внутреннем нагревателе 5 до значения, на 10÷50°С превышающего температуру на внешнем нагревателе 6. Способ позволяет получить кристаллы карбида кремния высокого качества с диаметром более 100 мм за счет устранения политипной неоднородности, снижения плотности дислокаций, микропор и графитовых включений. Способ также предусматривает термическую обработку поликристаллического порошка карбида кремния равномерно по всему объему с целью гомогенизации порошка счет перекристаллизации его пылевой и мелкокристаллической фракций. Режим роста обеспечивает управляемое изменение температуры центра подложки, а также условия послойного механизма роста, способствующего снижению плотности дислокаций, микропор и устранению политипной неоднородности. 2 ил., 3 табл.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPDzdQ3x8HdRcPMPUnAP8g_39HNXCAYSPq4KzkGRwSGOPsEK_m5AIR9PZ38_BWfHICdPF1eFcM8QDwU_3ZDIAKA6fz-XUOcQzzDPkEgeBta0xJziVF4ozc2g4OYa4uyhm1qQH59aXJCYnJqXWhIfFGpkbm5gYWzhbGhMhBIAzakudQ</recordid><startdate>20220422</startdate><enddate>20220422</enddate><creator>Avdeev Oleg Valerevich</creator><creator>Barash Iosif Solomonovich</creator><creator>Usikov Aleksandr Sergeevich</creator><creator>Mokhov Evgenij Nikolaevich</creator><creator>Makarov Yurij Nikolaevich</creator><creator>Ramm Mark Grigorevich</creator><creator>Roenkov Aleksandr Dmitrievich</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20220422</creationdate><title>METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTALS OF SILICON CARBIDE WITH N-TYPE CONDUCTIVITY</title><author>Avdeev Oleg Valerevich ; Barash Iosif Solomonovich ; Usikov Aleksandr Sergeevich ; Mokhov Evgenij Nikolaevich ; Makarov Yurij Nikolaevich ; Ramm Mark Grigorevich ; Roenkov Aleksandr Dmitrievich</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2770838C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2022</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Avdeev Oleg Valerevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Barash Iosif Solomonovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Usikov Aleksandr Sergeevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Mokhov Evgenij Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Makarov Yurij Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Ramm Mark Grigorevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Roenkov Aleksandr Dmitrievich</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Avdeev Oleg Valerevich</au><au>Barash Iosif Solomonovich</au><au>Usikov Aleksandr Sergeevich</au><au>Mokhov Evgenij Nikolaevich</au><au>Makarov Yurij Nikolaevich</au><au>Ramm Mark Grigorevich</au><au>Roenkov Aleksandr Dmitrievich</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTALS OF SILICON CARBIDE WITH N-TYPE CONDUCTIVITY</title><date>2022-04-22</date><risdate>2022</risdate><abstract>FIELD: crystal growing.SUBSTANCE: invention relates to the technology of growing silicon carbide single crystals with n-type conductivity by sublimation of silicon carbide powder. The method involves placing a monocrystalline silicon carbide substrate 2 in the crucible 4 parallel to the surface of the polycrystalline silicon carbide powder 3 and heating the silicon carbide powder 3 in an inert gas atmosphere using two coaxially arranged heaters 5, 6, one of which 6 is located on the outside of the crucible 4, and the second 5 - in the central part of the crucible 4, in the placement zone of polycrystalline silicon carbide powder 3, while the upper level X1 of polycrystalline silicon carbide powder 3 is located above the upper end of the heater 5 located in the central part of the crucible 4, the substrate 2 is installed at a distance from the surface of the silicon carbide powder 3, ΔX=X1-X2 =(0.10÷0.20) D, where D is the diameter of the substrate 2, mm, heat treatment of silicon carbide powder 3 is carried out in an inert gas atmosphere at a pressure of 550÷700 mm Hg. and temperature on both heaters 5, 6 of 2200÷2350°C, and then the pressure of the inert gas is reduced to 5.0÷350 mm Hg, the temperature on the external heater 6 to 2050÷2200°C, and the temperature inside the heater 5 to a value of 10÷50°C above that on the external heater 6. The method makes it possible to obtain high-quality silicon carbide crystals with a diameter of more than 100 mm by eliminating polytypic heterogeneity, reducing the density of dislocations, micropores and graphite inclusions. The method also provides for heat treatment of polycrystalline silicon carbide powder evenly throughout the volume in order to homogenize the powder by recrystallizing its dust and fine crystal fractions.EFFECT: growth mode provides a controlled change in the temperature of the substrate center, as well as conditions for a layered growth mechanism that helps reduce the density of dislocations, micropores and eliminate polytypical heterogeneity.1 cl, 2 dwg, 3 tbl
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов карбида кремния с проводимостью n-типа сублимацией порошка карбида кремния. Способ включает размещение в тигле 4 монокристаллической подложки 2 карбида кремния параллельно поверхности порошка 3 поликристаллического карбида кремния и нагревание порошка 3 карбида кремния в атмосфере инертного газа с помощью двух коаксиально расположенных нагревателей 5, 6, один из которых 6 расположен с внешней стороны тигля 4, а второй 5 - в центральной части тигля 4 в зоне размещения поликристаллического порошка 3 карбида кремния, при этом верхний уровень Х1 поликристаллического порошка 3 карбида кремния располагают выше верхнего торца нагревателя 5, расположенного в центральной части тигля 4, устанавливают подложку 2 на расстоянии от поверхности порошка 3 карбида кремния ΔХ=Х1-Х2=(0,10÷0,20) D, где D - диаметр подложки 2, мм, проводят термическую обработку порошка 3 карбида кремния в атмосфере инертного газа при давлении 550÷700 мм рт.ст. и температуре на обоих нагревателях 5, 6 2200÷2350°С, а затем снижают давление инертного газа до 5,0÷350 мм рт.ст, температуру на внешнем нагревателе 6 до 2050÷2200°С, а температуру на внутреннем нагревателе 5 до значения, на 10÷50°С превышающего температуру на внешнем нагревателе 6. Способ позволяет получить кристаллы карбида кремния высокого качества с диаметром более 100 мм за счет устранения политипной неоднородности, снижения плотности дислокаций, микропор и графитовых включений. Способ также предусматривает термическую обработку поликристаллического порошка карбида кремния равномерно по всему объему с целью гомогенизации порошка счет перекристаллизации его пылевой и мелкокристаллической фракций. Режим роста обеспечивает управляемое изменение температуры центра подложки, а также условия послойного механизма роста, способствующего снижению плотности дислокаций, микропор и устранению политипной неоднородности. 2 ил., 3 табл.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2770838C1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
| title | METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTALS OF SILICON CARBIDE WITH N-TYPE CONDUCTIVITY |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-07T22%3A51%3A31IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Avdeev%20Oleg%20Valerevich&rft.date=2022-04-22&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2770838C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |