METHOD FOR TESTING SECONDARY ELECTRICAL POWER SOURCES OF RADIO ELECTRONIC EQUIPMENT FOR RESISTANCE TO THE EFFECTS OF A PULSE OF GAMMA RADIATION OF SIMULATING INSTALLATIONS

FIELD: electrical engineering.SUBSTANCE: invention relates to the field of electrical engineering, in particular to testing electronic equipment for resistance to pulsed gamma radiation. The technical result consists in taking into account the effect on the output voltage of the secondary electric power source (SEPS) of the increasing consumption currents of the connected blocks of electronic equipment when exposed to pulsed gamma radiation. It is achieved by the sequential irradiation of electronic equipment units with a gamma-radiation pulse and measurement of the amplitude-time characteristics (ATC) of the current consumption and supply voltage of each unit. Based on the results of measurements of these parameters, the ATC of electrical conductivity G1i is calculated, then a small-sized semiconductor model with an amplitude-time characteristic of the radiation electrical conductivity G2i adequate to the value of G1i is selected for each irradiated block. Further, small-sized semiconductor models are additionally connected to the output electrical circuit of the SEPS parallel to the load resistors and irradiated with a pulse of gamma radiation with the specified parameters. The radiation resistance of the power source is estimated by the degree of change in the ATC of the output voltage of the SEPS.EFFECT: increasing consumption currents' effect on the secondary electric power source when exposed to pulsed gamma radiation taken into account.1 cl, 5 dwg Изобретение относится к области электротехники, в частности к испытаниям радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию импульсного гамма-излучения. Технический результат заключается в учете влияния на выходное напряжение источника вторичного электрического питания (ИВЭП) возрастающих токов потребления подключенных блоков радиоэлектронной аппаратуры при воздействии импульсного гамма-излучения. Достигается тем, что производится поочерёдное облучение блоков радиоэлектронной аппаратуры импульсом гамма-излучения и измерение амплитудно-временных характеристик (АВХ) тока потребления и напряжения питания каждого блока. По результатам измерений этих параметров рассчитывают АВХ электрической проводимости G1i, затем подбирают для каждого облученного блока малогабаритную полупроводниковую модель с амплитудно-временной характеристикой радиационной электрической проводимости G2i, адекватной значению G1i. Далее в выходную электрическую цепь ИВЭП параллельно нагрузочным резисторам дополнительно подключают малогаб