METHOD OF PROFILING COMPOSITION AT EPITAXIAL FORMATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE BASED ON SOLID SOLUTIONS
FIELD: technological processes.SUBSTANCE: invention relates to profiling of composition of solid solutions of heteroepitaxial structures at their growth. Method of forming a structure of type ABbased on tellurides of the elements of the second group of the Periodic Table involves measuring ellipsome...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | Shvets Vasilij Aleksandrovich Ikusov Danil Gennadevich Uzhakov Ivan Nikolaevich Dvoretskij Sergej Alekseevich Mikhajlov Nikolaj Nikolaevich |
| description | FIELD: technological processes.SUBSTANCE: invention relates to profiling of composition of solid solutions of heteroepitaxial structures at their growth. Method of forming a structure of type ABbased on tellurides of the elements of the second group of the Periodic Table involves measuring ellipsometric parameters Ψ and Δ at one wavelength of light in the visible region of the spectrum. Prior to measurements carried out with respect to the structure, the profile of which is obtained by means of ellipsometry, the growth rate of the structure is determined. When performing measurements with respect to a structure whose profile is obtained, a time interval of measurements is set, based on the growth rate, at which the thickness of the layer grown during the time interval between the j-th and (j+1)-th measurements, with constant its composition and optical properties is equal to value from 0.2 to 1.5 nm, including specified values. Then, with error of not more than 0.01° and with angle of incidence of light ϕ with value in range from 65 to 70° measurements of ellipsometric parameters Ψand Δ, fixing measurement time t. After measurements, as a result of which the data array {t, Ψ, Δ} is obtained, where j = 1, 2, ...m is the serial number of the measurement, m is the total number of measurements, using the results of determining growth rate and measuring ellipsometric parameters Ψ and Δ during growth, direct calculation of optical constant layers formed during time intervals between each two successive measurements. Composition of each layer is directly calculated between two said measurements, coordinates of layers are determined and distribution profile of composition over the thickness of structure is obtained.EFFECT: high accuracy of determining the distribution profile of the composition - the molar component of the solid solution x, varying from 0 to 1, over the thickness of the formed structure, until spatial resolution of the nanometer scale is achieved, both in thickness and composition, directly during growth; possibility of obtaining profile distribution of composition over thickness from any moment during formation of structure.3 cl, 6 dwg, 3 ex
Изобретение относится к профилированию состава твердых растворов гетероэпитаксиальных структур при их росте. Способ при формировании структуры типа АВна основе теллуридов элементов второй группы таблицы Менделеева включает измерения эллипсометрических параметров Ψ и Δ на одной длине волны света видимой област |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2717359C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2717359C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2717359C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNjEEKwjAURLtxIeod_gVc1CLFZUwT-yHJD8kPdFeKxIWIFur9sRUP4GZmGN7MurhbxS01QBp8II0G3QUkWU8RGcmBYFAeWXQoDGgKVnzrmY_KoiTXJMkUIHKYQwoKziKq-dBBJIPNommZxG2xug2PKe9-vilAK5btPo-vPk_jcM3P_O5DOtRlXR1Psqz-QD5vEjaK</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD OF PROFILING COMPOSITION AT EPITAXIAL FORMATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE BASED ON SOLID SOLUTIONS</title><source>esp@cenet</source><creator>Shvets Vasilij Aleksandrovich ; Ikusov Danil Gennadevich ; Uzhakov Ivan Nikolaevich ; Dvoretskij Sergej Alekseevich ; Mikhajlov Nikolaj Nikolaevich</creator><creatorcontrib>Shvets Vasilij Aleksandrovich ; Ikusov Danil Gennadevich ; Uzhakov Ivan Nikolaevich ; Dvoretskij Sergej Alekseevich ; Mikhajlov Nikolaj Nikolaevich</creatorcontrib><description>FIELD: technological processes.SUBSTANCE: invention relates to profiling of composition of solid solutions of heteroepitaxial structures at their growth. Method of forming a structure of type ABbased on tellurides of the elements of the second group of the Periodic Table involves measuring ellipsometric parameters Ψ and Δ at one wavelength of light in the visible region of the spectrum. Prior to measurements carried out with respect to the structure, the profile of which is obtained by means of ellipsometry, the growth rate of the structure is determined. When performing measurements with respect to a structure whose profile is obtained, a time interval of measurements is set, based on the growth rate, at which the thickness of the layer grown during the time interval between the j-th and (j+1)-th measurements, with constant its composition and optical properties is equal to value from 0.2 to 1.5 nm, including specified values. Then, with error of not more than 0.01° and with angle of incidence of light ϕ with value in range from 65 to 70° measurements of ellipsometric parameters Ψand Δ, fixing measurement time t. After measurements, as a result of which the data array {t, Ψ, Δ} is obtained, where j = 1, 2, ...m is the serial number of the measurement, m is the total number of measurements, using the results of determining growth rate and measuring ellipsometric parameters Ψ and Δ during growth, direct calculation of optical constant layers formed during time intervals between each two successive measurements. Composition of each layer is directly calculated between two said measurements, coordinates of layers are determined and distribution profile of composition over the thickness of structure is obtained.EFFECT: high accuracy of determining the distribution profile of the composition - the molar component of the solid solution x, varying from 0 to 1, over the thickness of the formed structure, until spatial resolution of the nanometer scale is achieved, both in thickness and composition, directly during growth; possibility of obtaining profile distribution of composition over thickness from any moment during formation of structure.3 cl, 6 dwg, 3 ex
Изобретение относится к профилированию состава твердых растворов гетероэпитаксиальных структур при их росте. Способ при формировании структуры типа АВна основе теллуридов элементов второй группы таблицы Менделеева включает измерения эллипсометрических параметров Ψ и Δ на одной длине волны света видимой области спектра. Перед измерениями, проводимыми в отношении структуры, профиль которой получают, посредством эллипсометрии определяют скорость роста структуры. При осуществлении измерений, проводимых в отношении структуры, профиль которой получают, задают, исходя из скорости роста, временной интервал измерений, при котором толщина слоя, выросшего в течение временного интервала между j-м и (j+1)-м измерениями, при постоянстве его состава и оптических свойств равна значению от 0,2 до 1,5 нм, включая указанные значения. Затем проводят с погрешностью не более 0,01° и при угле падения света ϕ со значением в диапазоне от 65 до 70° измерения эллипсометрических параметров Ψи Δ, фиксируя время измерения t. После измерений, в результате которых получают массив данных {t, Ψ, Δ}, где j=1, 2, ... m - порядковый номер выполненного измерения, m - полное число измерений, используя результаты определения скорости роста и измерения эллипсометрических параметров Ψ и Δ в процессе роста, осуществляют прямой расчет оптических постоянных слоев, сформированных на протяжении временных интервалов между каждыми двумя последовательными измерениями. Прямым образом вычисляют состав каждого слоя между двумя указанными измерениями, определяют координаты слоев и получают профиль распределения состава по толщине структуры. В результате обеспечивается: повышение точности определения профиля распределения состава - молярной компоненты твердого раствора x, меняющейся от 0 до 1, по толщине формируемой структуры, вплоть до достижения пространственного разрешения нанометрового масштаба, как по толщине, так и по составу, непосредственно в процессе роста; достижение возможности получения профиля распределения состава по толщине с любого момента в процессе формирования структуры. 2 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 пр.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES ; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF ; MEASURING ; NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS ; NANOTECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TESTING ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200323&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2717359C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200323&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2717359C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Shvets Vasilij Aleksandrovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Ikusov Danil Gennadevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Uzhakov Ivan Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Dvoretskij Sergej Alekseevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Mikhajlov Nikolaj Nikolaevich</creatorcontrib><title>METHOD OF PROFILING COMPOSITION AT EPITAXIAL FORMATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE BASED ON SOLID SOLUTIONS</title><description>FIELD: technological processes.SUBSTANCE: invention relates to profiling of composition of solid solutions of heteroepitaxial structures at their growth. Method of forming a structure of type ABbased on tellurides of the elements of the second group of the Periodic Table involves measuring ellipsometric parameters Ψ and Δ at one wavelength of light in the visible region of the spectrum. Prior to measurements carried out with respect to the structure, the profile of which is obtained by means of ellipsometry, the growth rate of the structure is determined. When performing measurements with respect to a structure whose profile is obtained, a time interval of measurements is set, based on the growth rate, at which the thickness of the layer grown during the time interval between the j-th and (j+1)-th measurements, with constant its composition and optical properties is equal to value from 0.2 to 1.5 nm, including specified values. Then, with error of not more than 0.01° and with angle of incidence of light ϕ with value in range from 65 to 70° measurements of ellipsometric parameters Ψand Δ, fixing measurement time t. After measurements, as a result of which the data array {t, Ψ, Δ} is obtained, where j = 1, 2, ...m is the serial number of the measurement, m is the total number of measurements, using the results of determining growth rate and measuring ellipsometric parameters Ψ and Δ during growth, direct calculation of optical constant layers formed during time intervals between each two successive measurements. Composition of each layer is directly calculated between two said measurements, coordinates of layers are determined and distribution profile of composition over the thickness of structure is obtained.EFFECT: high accuracy of determining the distribution profile of the composition - the molar component of the solid solution x, varying from 0 to 1, over the thickness of the formed structure, until spatial resolution of the nanometer scale is achieved, both in thickness and composition, directly during growth; possibility of obtaining profile distribution of composition over thickness from any moment during formation of structure.3 cl, 6 dwg, 3 ex
Изобретение относится к профилированию состава твердых растворов гетероэпитаксиальных структур при их росте. Способ при формировании структуры типа АВна основе теллуридов элементов второй группы таблицы Менделеева включает измерения эллипсометрических параметров Ψ и Δ на одной длине волны света видимой области спектра. Перед измерениями, проводимыми в отношении структуры, профиль которой получают, посредством эллипсометрии определяют скорость роста структуры. При осуществлении измерений, проводимых в отношении структуры, профиль которой получают, задают, исходя из скорости роста, временной интервал измерений, при котором толщина слоя, выросшего в течение временного интервала между j-м и (j+1)-м измерениями, при постоянстве его состава и оптических свойств равна значению от 0,2 до 1,5 нм, включая указанные значения. Затем проводят с погрешностью не более 0,01° и при угле падения света ϕ со значением в диапазоне от 65 до 70° измерения эллипсометрических параметров Ψи Δ, фиксируя время измерения t. После измерений, в результате которых получают массив данных {t, Ψ, Δ}, где j=1, 2, ... m - порядковый номер выполненного измерения, m - полное число измерений, используя результаты определения скорости роста и измерения эллипсометрических параметров Ψ и Δ в процессе роста, осуществляют прямой расчет оптических постоянных слоев, сформированных на протяжении временных интервалов между каждыми двумя последовательными измерениями. Прямым образом вычисляют состав каждого слоя между двумя указанными измерениями, определяют координаты слоев и получают профиль распределения состава по толщине структуры. В результате обеспечивается: повышение точности определения профиля распределения состава - молярной компоненты твердого раствора x, меняющейся от 0 до 1, по толщине формируемой структуры, вплоть до достижения пространственного разрешения нанометрового масштаба, как по толщине, так и по составу, непосредственно в процессе роста; достижение возможности получения профиля распределения состава по толщине с любого момента в процессе формирования структуры. 2 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 пр.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</subject><subject>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</subject><subject>MEASURING</subject><subject>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</subject><subject>NANOTECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TESTING</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjEEKwjAURLtxIeod_gVc1CLFZUwT-yHJD8kPdFeKxIWIFur9sRUP4GZmGN7MurhbxS01QBp8II0G3QUkWU8RGcmBYFAeWXQoDGgKVnzrmY_KoiTXJMkUIHKYQwoKziKq-dBBJIPNommZxG2xug2PKe9-vilAK5btPo-vPk_jcM3P_O5DOtRlXR1Psqz-QD5vEjaK</recordid><startdate>20200323</startdate><enddate>20200323</enddate><creator>Shvets Vasilij Aleksandrovich</creator><creator>Ikusov Danil Gennadevich</creator><creator>Uzhakov Ivan Nikolaevich</creator><creator>Dvoretskij Sergej Alekseevich</creator><creator>Mikhajlov Nikolaj Nikolaevich</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20200323</creationdate><title>METHOD OF PROFILING COMPOSITION AT EPITAXIAL FORMATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE BASED ON SOLID SOLUTIONS</title><author>Shvets Vasilij Aleksandrovich ; Ikusov Danil Gennadevich ; Uzhakov Ivan Nikolaevich ; Dvoretskij Sergej Alekseevich ; Mikhajlov Nikolaj Nikolaevich</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2717359C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2020</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</topic><topic>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</topic><topic>MEASURING</topic><topic>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</topic><topic>NANOTECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TESTING</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Shvets Vasilij Aleksandrovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Ikusov Danil Gennadevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Uzhakov Ivan Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Dvoretskij Sergej Alekseevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Mikhajlov Nikolaj Nikolaevich</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Shvets Vasilij Aleksandrovich</au><au>Ikusov Danil Gennadevich</au><au>Uzhakov Ivan Nikolaevich</au><au>Dvoretskij Sergej Alekseevich</au><au>Mikhajlov Nikolaj Nikolaevich</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF PROFILING COMPOSITION AT EPITAXIAL FORMATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE BASED ON SOLID SOLUTIONS</title><date>2020-03-23</date><risdate>2020</risdate><abstract>FIELD: technological processes.SUBSTANCE: invention relates to profiling of composition of solid solutions of heteroepitaxial structures at their growth. Method of forming a structure of type ABbased on tellurides of the elements of the second group of the Periodic Table involves measuring ellipsometric parameters Ψ and Δ at one wavelength of light in the visible region of the spectrum. Prior to measurements carried out with respect to the structure, the profile of which is obtained by means of ellipsometry, the growth rate of the structure is determined. When performing measurements with respect to a structure whose profile is obtained, a time interval of measurements is set, based on the growth rate, at which the thickness of the layer grown during the time interval between the j-th and (j+1)-th measurements, with constant its composition and optical properties is equal to value from 0.2 to 1.5 nm, including specified values. Then, with error of not more than 0.01° and with angle of incidence of light ϕ with value in range from 65 to 70° measurements of ellipsometric parameters Ψand Δ, fixing measurement time t. After measurements, as a result of which the data array {t, Ψ, Δ} is obtained, where j = 1, 2, ...m is the serial number of the measurement, m is the total number of measurements, using the results of determining growth rate and measuring ellipsometric parameters Ψ and Δ during growth, direct calculation of optical constant layers formed during time intervals between each two successive measurements. Composition of each layer is directly calculated between two said measurements, coordinates of layers are determined and distribution profile of composition over the thickness of structure is obtained.EFFECT: high accuracy of determining the distribution profile of the composition - the molar component of the solid solution x, varying from 0 to 1, over the thickness of the formed structure, until spatial resolution of the nanometer scale is achieved, both in thickness and composition, directly during growth; possibility of obtaining profile distribution of composition over thickness from any moment during formation of structure.3 cl, 6 dwg, 3 ex
Изобретение относится к профилированию состава твердых растворов гетероэпитаксиальных структур при их росте. Способ при формировании структуры типа АВна основе теллуридов элементов второй группы таблицы Менделеева включает измерения эллипсометрических параметров Ψ и Δ на одной длине волны света видимой области спектра. Перед измерениями, проводимыми в отношении структуры, профиль которой получают, посредством эллипсометрии определяют скорость роста структуры. При осуществлении измерений, проводимых в отношении структуры, профиль которой получают, задают, исходя из скорости роста, временной интервал измерений, при котором толщина слоя, выросшего в течение временного интервала между j-м и (j+1)-м измерениями, при постоянстве его состава и оптических свойств равна значению от 0,2 до 1,5 нм, включая указанные значения. Затем проводят с погрешностью не более 0,01° и при угле падения света ϕ со значением в диапазоне от 65 до 70° измерения эллипсометрических параметров Ψи Δ, фиксируя время измерения t. После измерений, в результате которых получают массив данных {t, Ψ, Δ}, где j=1, 2, ... m - порядковый номер выполненного измерения, m - полное число измерений, используя результаты определения скорости роста и измерения эллипсометрических параметров Ψ и Δ в процессе роста, осуществляют прямой расчет оптических постоянных слоев, сформированных на протяжении временных интервалов между каждыми двумя последовательными измерениями. Прямым образом вычисляют состав каждого слоя между двумя указанными измерениями, определяют координаты слоев и получают профиль распределения состава по толщине структуры. В результате обеспечивается: повышение точности определения профиля распределения состава - молярной компоненты твердого раствора x, меняющейся от 0 до 1, по толщине формируемой структуры, вплоть до достижения пространственного разрешения нанометрового масштаба, как по толщине, так и по составу, непосредственно в процессе роста; достижение возможности получения профиля распределения состава по толщине с любого момента в процессе формирования структуры. 2 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 пр.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2717359C1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF MEASURING NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS NANOTECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING TRANSPORTING |
| title | METHOD OF PROFILING COMPOSITION AT EPITAXIAL FORMATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE BASED ON SOLID SOLUTIONS |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-18T03%3A15%3A16IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Shvets%20Vasilij%20Aleksandrovich&rft.date=2020-03-23&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2717359C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |