METHOD FOR PRODUCTION OF TUNNELLING MULTI-GATE FIELD NANOTRANSISTOR WITH SCHOTTKY CONTACTS
FIELD: machine building.SUBSTANCE: invention can be used in semiconductor technology for production of nanotransistors and VLSI. Invention discloses a method of making a tunnel field nanotransistor with Schottky contacts and several control electrodes of gates on a semiconductor substrate using an a...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | Vyurkov Vladimir Vladimirovich Svintsov Dmitrij Aleksandrovich Lukichev Vladimir Fedorovich Rudenko Konstantin Vasilevich Semin Yurij Fedorovich Averkin Sergej Nikolaevich Krivospitskij Anatolij Dmitrievich Myakonkikh Andrej Valerevich |
| description | FIELD: machine building.SUBSTANCE: invention can be used in semiconductor technology for production of nanotransistors and VLSI. Invention discloses a method of making a tunnel field nanotransistor with Schottky contacts and several control electrodes of gates on a semiconductor substrate using an auxiliary dielectric-metal auxiliary layer (AL) deposited on a contact layer of the source/sink which has been deposited on the semiconductor substrate, in which the nanometer slit is formed, followed by formation on its walls and bottom of the first and third control electrodes, their spacers and the gate dielectric by successive deposition in the slit and plasma-chemical etching of the spacer and metal dielectric, and the second control electrode is formed by depositing a metal layer and its PCT into a narrowed by the total width of the first and third control electrodes and their spacers, wherein first a dielectric spacer and a gate insulator of the second control electrode are formed by depositing the dielectric on the side walls of the first and third control electrodes and the bottom of the slot in the aircraft. Simultaneously with control electrodes are formed by using a photoresist mask, an additional layer of metal and a method of dry etching contact pads of three control electrodes, and contact areas of source/drain are created after completion of technological operations of forming control electrodes.EFFECT: technical result: electric alloying with the help of additional gates, which enables to create more sharp p-n junctions than in tunnelling transistors with physical doping; increased steepness of characteristics of tunnel transistors and reduction of their threshold voltage; possibility of changing type of channel conductivity for application of proposed transistors in CMOS technology of digital integrated circuits, simplification of technology of manufacturing of nanotransistors with nanosized gates, absence of technological operations associated with alloying, broader functional capabilities of nanotransistors, high steepness of the subthreshold characteristic owing to increasing the number of control electrodes and enabling operation in the tunnelling transistor mode.14 cl, 10 dwg
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легир |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2717157C2</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2717157C2</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2717157C23</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNy70KwjAUQOEsDqK-w32BDq1I5pCfJpjeK8kNokspEifRQn1_dPABnM7ynbW4DpY9GXCU4JTIFM2BEMgBF0QbY8AehhI5NL1iCy7YaAAVEieFOWT-jufAHrL2xHy8gCZkpTlvxeo-PZa6-3UjwFnWvqnza6zLPN3qs77HVDrZyvYgdbf_g3wAO2IyKQ</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD FOR PRODUCTION OF TUNNELLING MULTI-GATE FIELD NANOTRANSISTOR WITH SCHOTTKY CONTACTS</title><source>esp@cenet</source><creator>Vyurkov Vladimir Vladimirovich ; Svintsov Dmitrij Aleksandrovich ; Lukichev Vladimir Fedorovich ; Rudenko Konstantin Vasilevich ; Semin Yurij Fedorovich ; Averkin Sergej Nikolaevich ; Krivospitskij Anatolij Dmitrievich ; Myakonkikh Andrej Valerevich</creator><creatorcontrib>Vyurkov Vladimir Vladimirovich ; Svintsov Dmitrij Aleksandrovich ; Lukichev Vladimir Fedorovich ; Rudenko Konstantin Vasilevich ; Semin Yurij Fedorovich ; Averkin Sergej Nikolaevich ; Krivospitskij Anatolij Dmitrievich ; Myakonkikh Andrej Valerevich</creatorcontrib><description>FIELD: machine building.SUBSTANCE: invention can be used in semiconductor technology for production of nanotransistors and VLSI. Invention discloses a method of making a tunnel field nanotransistor with Schottky contacts and several control electrodes of gates on a semiconductor substrate using an auxiliary dielectric-metal auxiliary layer (AL) deposited on a contact layer of the source/sink which has been deposited on the semiconductor substrate, in which the nanometer slit is formed, followed by formation on its walls and bottom of the first and third control electrodes, their spacers and the gate dielectric by successive deposition in the slit and plasma-chemical etching of the spacer and metal dielectric, and the second control electrode is formed by depositing a metal layer and its PCT into a narrowed by the total width of the first and third control electrodes and their spacers, wherein first a dielectric spacer and a gate insulator of the second control electrode are formed by depositing the dielectric on the side walls of the first and third control electrodes and the bottom of the slot in the aircraft. Simultaneously with control electrodes are formed by using a photoresist mask, an additional layer of metal and a method of dry etching contact pads of three control electrodes, and contact areas of source/drain are created after completion of technological operations of forming control electrodes.EFFECT: technical result: electric alloying with the help of additional gates, which enables to create more sharp p-n junctions than in tunnelling transistors with physical doping; increased steepness of characteristics of tunnel transistors and reduction of their threshold voltage; possibility of changing type of channel conductivity for application of proposed transistors in CMOS technology of digital integrated circuits, simplification of technology of manufacturing of nanotransistors with nanosized gates, absence of technological operations associated with alloying, broader functional capabilities of nanotransistors, high steepness of the subthreshold characteristic owing to increasing the number of control electrodes and enabling operation in the tunnelling transistor mode.14 cl, 10 dwg
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF ; NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS ; NANOTECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200318&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2717157C2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200318&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2717157C2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Vyurkov Vladimir Vladimirovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Svintsov Dmitrij Aleksandrovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Lukichev Vladimir Fedorovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Rudenko Konstantin Vasilevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Semin Yurij Fedorovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Averkin Sergej Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Krivospitskij Anatolij Dmitrievich</creatorcontrib><creatorcontrib>Myakonkikh Andrej Valerevich</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCTION OF TUNNELLING MULTI-GATE FIELD NANOTRANSISTOR WITH SCHOTTKY CONTACTS</title><description>FIELD: machine building.SUBSTANCE: invention can be used in semiconductor technology for production of nanotransistors and VLSI. Invention discloses a method of making a tunnel field nanotransistor with Schottky contacts and several control electrodes of gates on a semiconductor substrate using an auxiliary dielectric-metal auxiliary layer (AL) deposited on a contact layer of the source/sink which has been deposited on the semiconductor substrate, in which the nanometer slit is formed, followed by formation on its walls and bottom of the first and third control electrodes, their spacers and the gate dielectric by successive deposition in the slit and plasma-chemical etching of the spacer and metal dielectric, and the second control electrode is formed by depositing a metal layer and its PCT into a narrowed by the total width of the first and third control electrodes and their spacers, wherein first a dielectric spacer and a gate insulator of the second control electrode are formed by depositing the dielectric on the side walls of the first and third control electrodes and the bottom of the slot in the aircraft. Simultaneously with control electrodes are formed by using a photoresist mask, an additional layer of metal and a method of dry etching contact pads of three control electrodes, and contact areas of source/drain are created after completion of technological operations of forming control electrodes.EFFECT: technical result: electric alloying with the help of additional gates, which enables to create more sharp p-n junctions than in tunnelling transistors with physical doping; increased steepness of characteristics of tunnel transistors and reduction of their threshold voltage; possibility of changing type of channel conductivity for application of proposed transistors in CMOS technology of digital integrated circuits, simplification of technology of manufacturing of nanotransistors with nanosized gates, absence of technological operations associated with alloying, broader functional capabilities of nanotransistors, high steepness of the subthreshold characteristic owing to increasing the number of control electrodes and enabling operation in the tunnelling transistor mode.14 cl, 10 dwg
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</subject><subject>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</subject><subject>NANOTECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNy70KwjAUQOEsDqK-w32BDq1I5pCfJpjeK8kNokspEifRQn1_dPABnM7ynbW4DpY9GXCU4JTIFM2BEMgBF0QbY8AehhI5NL1iCy7YaAAVEieFOWT-jufAHrL2xHy8gCZkpTlvxeo-PZa6-3UjwFnWvqnza6zLPN3qs77HVDrZyvYgdbf_g3wAO2IyKQ</recordid><startdate>20200318</startdate><enddate>20200318</enddate><creator>Vyurkov Vladimir Vladimirovich</creator><creator>Svintsov Dmitrij Aleksandrovich</creator><creator>Lukichev Vladimir Fedorovich</creator><creator>Rudenko Konstantin Vasilevich</creator><creator>Semin Yurij Fedorovich</creator><creator>Averkin Sergej Nikolaevich</creator><creator>Krivospitskij Anatolij Dmitrievich</creator><creator>Myakonkikh Andrej Valerevich</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20200318</creationdate><title>METHOD FOR PRODUCTION OF TUNNELLING MULTI-GATE FIELD NANOTRANSISTOR WITH SCHOTTKY CONTACTS</title><author>Vyurkov Vladimir Vladimirovich ; Svintsov Dmitrij Aleksandrovich ; Lukichev Vladimir Fedorovich ; Rudenko Konstantin Vasilevich ; Semin Yurij Fedorovich ; Averkin Sergej Nikolaevich ; Krivospitskij Anatolij Dmitrievich ; Myakonkikh Andrej Valerevich</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2717157C23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2020</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</topic><topic>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</topic><topic>NANOTECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Vyurkov Vladimir Vladimirovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Svintsov Dmitrij Aleksandrovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Lukichev Vladimir Fedorovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Rudenko Konstantin Vasilevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Semin Yurij Fedorovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Averkin Sergej Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Krivospitskij Anatolij Dmitrievich</creatorcontrib><creatorcontrib>Myakonkikh Andrej Valerevich</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Vyurkov Vladimir Vladimirovich</au><au>Svintsov Dmitrij Aleksandrovich</au><au>Lukichev Vladimir Fedorovich</au><au>Rudenko Konstantin Vasilevich</au><au>Semin Yurij Fedorovich</au><au>Averkin Sergej Nikolaevich</au><au>Krivospitskij Anatolij Dmitrievich</au><au>Myakonkikh Andrej Valerevich</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PRODUCTION OF TUNNELLING MULTI-GATE FIELD NANOTRANSISTOR WITH SCHOTTKY CONTACTS</title><date>2020-03-18</date><risdate>2020</risdate><abstract>FIELD: machine building.SUBSTANCE: invention can be used in semiconductor technology for production of nanotransistors and VLSI. Invention discloses a method of making a tunnel field nanotransistor with Schottky contacts and several control electrodes of gates on a semiconductor substrate using an auxiliary dielectric-metal auxiliary layer (AL) deposited on a contact layer of the source/sink which has been deposited on the semiconductor substrate, in which the nanometer slit is formed, followed by formation on its walls and bottom of the first and third control electrodes, their spacers and the gate dielectric by successive deposition in the slit and plasma-chemical etching of the spacer and metal dielectric, and the second control electrode is formed by depositing a metal layer and its PCT into a narrowed by the total width of the first and third control electrodes and their spacers, wherein first a dielectric spacer and a gate insulator of the second control electrode are formed by depositing the dielectric on the side walls of the first and third control electrodes and the bottom of the slot in the aircraft. Simultaneously with control electrodes are formed by using a photoresist mask, an additional layer of metal and a method of dry etching contact pads of three control electrodes, and contact areas of source/drain are created after completion of technological operations of forming control electrodes.EFFECT: technical result: electric alloying with the help of additional gates, which enables to create more sharp p-n junctions than in tunnelling transistors with physical doping; increased steepness of characteristics of tunnel transistors and reduction of their threshold voltage; possibility of changing type of channel conductivity for application of proposed transistors in CMOS technology of digital integrated circuits, simplification of technology of manufacturing of nanotransistors with nanosized gates, absence of technological operations associated with alloying, broader functional capabilities of nanotransistors, high steepness of the subthreshold characteristic owing to increasing the number of control electrodes and enabling operation in the tunnelling transistor mode.14 cl, 10 dwg
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2717157C2 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS NANOTECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING |
| title | METHOD FOR PRODUCTION OF TUNNELLING MULTI-GATE FIELD NANOTRANSISTOR WITH SCHOTTKY CONTACTS |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-24T03%3A17%3A54IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Vyurkov%20Vladimir%20Vladimirovich&rft.date=2020-03-18&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2717157C2%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |