METHOD FOR PRODUCTION OF MEMRISTOR WITH NANOCONCENTERS OF ELECTRIC FIELD

FIELD: manufacturing technology.SUBSTANCE: invention can be used for producing memristors with dielectric structure. Essence of the invention lies in the fact that a method is proposed for making the memristor by forming a dielectric structure between two electrodes, comprising a zirconium dioxide l...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Zubkov Sergej Yurevich, Sushkov Artem Aleksandrovich, Sharapov Aleksandr Nikolaevich, Tetelbaum David Isaakovich, Gorshkov Oleg Nikolaevich, Antonov Ivan Nikolaevich, Pavlov Dmitrij Alekseevich, Belov Aleksej Ivanovich, Korolev Dmitrij Sergeevich, Mikhajlov Aleksej Nikolaevich
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator Zubkov Sergej Yurevich
Sushkov Artem Aleksandrovich
Sharapov Aleksandr Nikolaevich
Tetelbaum David Isaakovich
Gorshkov Oleg Nikolaevich
Antonov Ivan Nikolaevich
Pavlov Dmitrij Alekseevich
Belov Aleksej Ivanovich
Korolev Dmitrij Sergeevich
Mikhajlov Aleksej Nikolaevich
description FIELD: manufacturing technology.SUBSTANCE: invention can be used for producing memristors with dielectric structure. Essence of the invention lies in the fact that a method is proposed for making the memristor by forming a dielectric structure between two electrodes, comprising a zirconium dioxide layer providing a filarchanical switching mechanism and having a resistive memory, operation of which is stabilized as a result of introduction of electric field to said dielectric structure of nanoconcenters, to combine introduction of electric field nanoconcenters with process of formation of said dielectric structure and amplification in it during resistive switching of oxygen ions flow on surface of one of electrodes made of titanium nitride, successively forming a layer of tantalum oxide and a layer of zirconium dioxide stabilized with yttrium, using magnetron sputtering, wherein when depositing on said tantalum oxide electrode, followed by partial substitution of nitrogen atoms for oxygen atoms, intermediate interface layer of titanium dioxide is formed on surface of said electrode and in areas of said interface layer and deposited layer of tantalum oxide adjacent to surface boundary of their division, nanoconcenters of electric field formed in the form of nanocrystalline inclusions of tantalum are formed.EFFECT: possibility of optimum combination of improved fabricability of said memristor and stabilization of operation of resistive memory of memristor.3 cl, 3 dwg Использование: для изготовления мемристоров с диэлектрической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что предложен способ изготовления мемристора путем формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония и обладающей резистивной памятью, работу которой стабилизируют в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, для совмещения введения наноконцентраторов электрического поля с процессом формирования упомянутой диэлектрической структуры и усиления в ней при резистивном переключении потока ионов кислорода на поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана, последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления, причем при осаждении на указанный электрод оксида тантала, сопровождаемом частичным замещением атомов азота на а
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2706207C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2706207C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2706207C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNykEKwjAQQNFsXIh6h7mAUCvYtUwmJNBkZDrFZSllXIkW6v1RwQO4-vB5axczaWQPgQUuwr5HTVyAA2TKkjr9_GvSCOVcGLkgFSXpvoBaQpWEEBK1futWt_G-2O7XjYNAinFv83OwZR4ne9hrkL5uqlNdNXg4_kHex-EstQ</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD FOR PRODUCTION OF MEMRISTOR WITH NANOCONCENTERS OF ELECTRIC FIELD</title><source>esp@cenet</source><creator>Zubkov Sergej Yurevich ; Sushkov Artem Aleksandrovich ; Sharapov Aleksandr Nikolaevich ; Tetelbaum David Isaakovich ; Gorshkov Oleg Nikolaevich ; Antonov Ivan Nikolaevich ; Pavlov Dmitrij Alekseevich ; Belov Aleksej Ivanovich ; Korolev Dmitrij Sergeevich ; Mikhajlov Aleksej Nikolaevich</creator><creatorcontrib>Zubkov Sergej Yurevich ; Sushkov Artem Aleksandrovich ; Sharapov Aleksandr Nikolaevich ; Tetelbaum David Isaakovich ; Gorshkov Oleg Nikolaevich ; Antonov Ivan Nikolaevich ; Pavlov Dmitrij Alekseevich ; Belov Aleksej Ivanovich ; Korolev Dmitrij Sergeevich ; Mikhajlov Aleksej Nikolaevich</creatorcontrib><description>FIELD: manufacturing technology.SUBSTANCE: invention can be used for producing memristors with dielectric structure. Essence of the invention lies in the fact that a method is proposed for making the memristor by forming a dielectric structure between two electrodes, comprising a zirconium dioxide layer providing a filarchanical switching mechanism and having a resistive memory, operation of which is stabilized as a result of introduction of electric field to said dielectric structure of nanoconcenters, to combine introduction of electric field nanoconcenters with process of formation of said dielectric structure and amplification in it during resistive switching of oxygen ions flow on surface of one of electrodes made of titanium nitride, successively forming a layer of tantalum oxide and a layer of zirconium dioxide stabilized with yttrium, using magnetron sputtering, wherein when depositing on said tantalum oxide electrode, followed by partial substitution of nitrogen atoms for oxygen atoms, intermediate interface layer of titanium dioxide is formed on surface of said electrode and in areas of said interface layer and deposited layer of tantalum oxide adjacent to surface boundary of their division, nanoconcenters of electric field formed in the form of nanocrystalline inclusions of tantalum are formed.EFFECT: possibility of optimum combination of improved fabricability of said memristor and stabilization of operation of resistive memory of memristor.3 cl, 3 dwg Использование: для изготовления мемристоров с диэлектрической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что предложен способ изготовления мемристора путем формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония и обладающей резистивной памятью, работу которой стабилизируют в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, для совмещения введения наноконцентраторов электрического поля с процессом формирования упомянутой диэлектрической структуры и усиления в ней при резистивном переключении потока ионов кислорода на поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана, последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления, причем при осаждении на указанный электрод оксида тантала, сопровождаемом частичным замещением атомов азота на атомы кислорода, формируют на поверхности этого электрода промежуточный интерфейсный слой диоксида титана и в участках указанного интерфейсного слоя и осаждаемого слоя оксида тантала, прилежащих к поверхностной границе их раздела, образуемые при этом наноконцентраторы электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала. Технический результат: обеспечение возможности оптимального сочетания повышенной технологичности изготовления указанного мемристора и стабилизации работы резистивной памяти мемристора. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>ELECTRICITY</subject><creationdate>2019</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20191114&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2706207C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20191114&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2706207C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Zubkov Sergej Yurevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Sushkov Artem Aleksandrovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Sharapov Aleksandr Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Tetelbaum David Isaakovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Gorshkov Oleg Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Antonov Ivan Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Pavlov Dmitrij Alekseevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Belov Aleksej Ivanovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Korolev Dmitrij Sergeevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Mikhajlov Aleksej Nikolaevich</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCTION OF MEMRISTOR WITH NANOCONCENTERS OF ELECTRIC FIELD</title><description>FIELD: manufacturing technology.SUBSTANCE: invention can be used for producing memristors with dielectric structure. Essence of the invention lies in the fact that a method is proposed for making the memristor by forming a dielectric structure between two electrodes, comprising a zirconium dioxide layer providing a filarchanical switching mechanism and having a resistive memory, operation of which is stabilized as a result of introduction of electric field to said dielectric structure of nanoconcenters, to combine introduction of electric field nanoconcenters with process of formation of said dielectric structure and amplification in it during resistive switching of oxygen ions flow on surface of one of electrodes made of titanium nitride, successively forming a layer of tantalum oxide and a layer of zirconium dioxide stabilized with yttrium, using magnetron sputtering, wherein when depositing on said tantalum oxide electrode, followed by partial substitution of nitrogen atoms for oxygen atoms, intermediate interface layer of titanium dioxide is formed on surface of said electrode and in areas of said interface layer and deposited layer of tantalum oxide adjacent to surface boundary of their division, nanoconcenters of electric field formed in the form of nanocrystalline inclusions of tantalum are formed.EFFECT: possibility of optimum combination of improved fabricability of said memristor and stabilization of operation of resistive memory of memristor.3 cl, 3 dwg Использование: для изготовления мемристоров с диэлектрической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что предложен способ изготовления мемристора путем формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония и обладающей резистивной памятью, работу которой стабилизируют в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, для совмещения введения наноконцентраторов электрического поля с процессом формирования упомянутой диэлектрической структуры и усиления в ней при резистивном переключении потока ионов кислорода на поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана, последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления, причем при осаждении на указанный электрод оксида тантала, сопровождаемом частичным замещением атомов азота на атомы кислорода, формируют на поверхности этого электрода промежуточный интерфейсный слой диоксида титана и в участках указанного интерфейсного слоя и осаждаемого слоя оксида тантала, прилежащих к поверхностной границе их раздела, образуемые при этом наноконцентраторы электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала. Технический результат: обеспечение возможности оптимального сочетания повышенной технологичности изготовления указанного мемристора и стабилизации работы резистивной памяти мемристора. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.</description><subject>ELECTRICITY</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2019</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNykEKwjAQQNFsXIh6h7mAUCvYtUwmJNBkZDrFZSllXIkW6v1RwQO4-vB5axczaWQPgQUuwr5HTVyAA2TKkjr9_GvSCOVcGLkgFSXpvoBaQpWEEBK1futWt_G-2O7XjYNAinFv83OwZR4ne9hrkL5uqlNdNXg4_kHex-EstQ</recordid><startdate>20191114</startdate><enddate>20191114</enddate><creator>Zubkov Sergej Yurevich</creator><creator>Sushkov Artem Aleksandrovich</creator><creator>Sharapov Aleksandr Nikolaevich</creator><creator>Tetelbaum David Isaakovich</creator><creator>Gorshkov Oleg Nikolaevich</creator><creator>Antonov Ivan Nikolaevich</creator><creator>Pavlov Dmitrij Alekseevich</creator><creator>Belov Aleksej Ivanovich</creator><creator>Korolev Dmitrij Sergeevich</creator><creator>Mikhajlov Aleksej Nikolaevich</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20191114</creationdate><title>METHOD FOR PRODUCTION OF MEMRISTOR WITH NANOCONCENTERS OF ELECTRIC FIELD</title><author>Zubkov Sergej Yurevich ; Sushkov Artem Aleksandrovich ; Sharapov Aleksandr Nikolaevich ; Tetelbaum David Isaakovich ; Gorshkov Oleg Nikolaevich ; Antonov Ivan Nikolaevich ; Pavlov Dmitrij Alekseevich ; Belov Aleksej Ivanovich ; Korolev Dmitrij Sergeevich ; Mikhajlov Aleksej Nikolaevich</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2706207C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2019</creationdate><topic>ELECTRICITY</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Zubkov Sergej Yurevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Sushkov Artem Aleksandrovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Sharapov Aleksandr Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Tetelbaum David Isaakovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Gorshkov Oleg Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Antonov Ivan Nikolaevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Pavlov Dmitrij Alekseevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Belov Aleksej Ivanovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Korolev Dmitrij Sergeevich</creatorcontrib><creatorcontrib>Mikhajlov Aleksej Nikolaevich</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Zubkov Sergej Yurevich</au><au>Sushkov Artem Aleksandrovich</au><au>Sharapov Aleksandr Nikolaevich</au><au>Tetelbaum David Isaakovich</au><au>Gorshkov Oleg Nikolaevich</au><au>Antonov Ivan Nikolaevich</au><au>Pavlov Dmitrij Alekseevich</au><au>Belov Aleksej Ivanovich</au><au>Korolev Dmitrij Sergeevich</au><au>Mikhajlov Aleksej Nikolaevich</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PRODUCTION OF MEMRISTOR WITH NANOCONCENTERS OF ELECTRIC FIELD</title><date>2019-11-14</date><risdate>2019</risdate><abstract>FIELD: manufacturing technology.SUBSTANCE: invention can be used for producing memristors with dielectric structure. Essence of the invention lies in the fact that a method is proposed for making the memristor by forming a dielectric structure between two electrodes, comprising a zirconium dioxide layer providing a filarchanical switching mechanism and having a resistive memory, operation of which is stabilized as a result of introduction of electric field to said dielectric structure of nanoconcenters, to combine introduction of electric field nanoconcenters with process of formation of said dielectric structure and amplification in it during resistive switching of oxygen ions flow on surface of one of electrodes made of titanium nitride, successively forming a layer of tantalum oxide and a layer of zirconium dioxide stabilized with yttrium, using magnetron sputtering, wherein when depositing on said tantalum oxide electrode, followed by partial substitution of nitrogen atoms for oxygen atoms, intermediate interface layer of titanium dioxide is formed on surface of said electrode and in areas of said interface layer and deposited layer of tantalum oxide adjacent to surface boundary of their division, nanoconcenters of electric field formed in the form of nanocrystalline inclusions of tantalum are formed.EFFECT: possibility of optimum combination of improved fabricability of said memristor and stabilization of operation of resistive memory of memristor.3 cl, 3 dwg Использование: для изготовления мемристоров с диэлектрической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что предложен способ изготовления мемристора путем формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония и обладающей резистивной памятью, работу которой стабилизируют в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, для совмещения введения наноконцентраторов электрического поля с процессом формирования упомянутой диэлектрической структуры и усиления в ней при резистивном переключении потока ионов кислорода на поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана, последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления, причем при осаждении на указанный электрод оксида тантала, сопровождаемом частичным замещением атомов азота на атомы кислорода, формируют на поверхности этого электрода промежуточный интерфейсный слой диоксида титана и в участках указанного интерфейсного слоя и осаждаемого слоя оксида тантала, прилежащих к поверхностной границе их раздела, образуемые при этом наноконцентраторы электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала. Технический результат: обеспечение возможности оптимального сочетания повышенной технологичности изготовления указанного мемристора и стабилизации работы резистивной памяти мемристора. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; rus
recordid cdi_epo_espacenet_RU2706207C1
source esp@cenet
subjects ELECTRICITY
title METHOD FOR PRODUCTION OF MEMRISTOR WITH NANOCONCENTERS OF ELECTRIC FIELD
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-01T09%3A10%3A33IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Zubkov%20Sergej%20Yurevich&rft.date=2019-11-14&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2706207C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true