METHOD OF PRODUCING A SILICON POROUS MEMBRANE

FIELD: manufacturing technology.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor technology and can be used in making electronic devices in which a porous integrated membrane is required: gas filters in selective gas sensors, gas flow velocity sensors, fuel cells, etc. Method of producing a silicon porous membrane in a monolithic frame includes forming a porous layer by an anode etching of a silicon plate, opening the porous layer from the back side of the silicon plate by mechanical thinning, removing the upper layer with low porosity by ion sputtering with Ar+ ions. Porous layer of silicon plate is formed by anode etching in electrolyte of composition HF:(CH)CO in volume ratio of 1:(2-4), and removal of fine silicon from the bottom of the well on the back side is carried out by ion sputtering with Ar+ ions. Formation of porous layer by anode etching of silicon plate is carried out in single-chamber cell, silicon plates during illumination of anode are illuminated with incandescent lamp from above.EFFECT: creation of mechanically strong silicon porous membranes in monolithic frame with varied dimensions of membrane thickness and pore diameters.3 cl, 1 tbl, 3 dwg Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе изготовления электронных устройств, в которых необходима пористая интегрированная мембрана: газовые фильтры в составе селективных газовых сенсоров, датчики скорости потока газов, топливные элементы и т.п. Способ получения кремниевой пористой мембраны в монолитном обрамлении включает формирование пористого слоя методом анодного травления пластины кремния, вскрытие пористого слоя с тыльной стороны пластины кремния путем механического утонения, удаление верхнего слоя с низкой пористостью методом ионного распыления ионами Ar+. Пористый слой пластины кремния формируют методом анодного травления в электролите состава HF:(CH)CO в объемном соотношении 1:(2-4), а удаление мелкодисперсного кремния со дна лунки с тыльной стороны проводят методом ионного распыления ионами Ar+. Формирование пористого слоя методом анодного травления пластины кремния проводят в однокамерной ячейке, пластины кремния во время анодного травления освещают сверху лампой накаливания. Техническим результатом изобретения является создание механически прочных кремниевых пористых мембран в монолитном обрамлении с варьируемыми размерами толщины мембраны и диаметров пор. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил.