METHOD OF CONDUCTING MATERIAL ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF SILICON-CARBON FILMS

FIELD: technological processes.SUBSTANCE: invention relates to the field of electroplating and can be used in the field of microelectronics to create devices, in particular field emission electrodes, ionizers, gas sensors. Method involves the deposition of a silicon-carbon film from an organic silicon and carbon-containing precursor by an electrochemical method, while the silicon-carbon film is formed by electrodeposition from a precursor consisting of hexamethyldisilazane in methyl or ethyl alcohol, on a conductive substrate located on the cathode, on which, relative to the anode, voltage is applied up to 600 V with a current density of up to 70 mA/cm, and the distance between the cathode and the anode is set to 1 cm.EFFECT: obtaining silicon-carbon films having a silicon carbide phase SiC and possessing chemical and mechanical resistance on any electrically conductive materials.1 cl Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в области микроэлектроники для создания устройств, в частности автоэмиссионных электродов, ионисторов, газовых сенсоров. Способ включает осаждение кремний-углеродной пленки из органического кремний и углеродсодержащего прекурсора электрохимическим методом, при этом кремний-углеродную пленку формируют электроосаждением из прекурсора, состоящего из гексаметилдисилазана в метиловом или этиловом спирте, на электропроводящую подложку, расположенную на катоде, на который относительно анода подают напряжение до 600 В с плотностью тока до 70 мА/см, а расстояние между катодом и анодом устанавливают до 1 см. Технический результат: получение кремний-углеродных пленок, имеющих фазу карбида кремния SiC и обладающих химической и механической стойкостью на любых электропроводящих материалах.