PLANAR SEMICONDUCTOR DETECTOR

FIELD: measuring equipment.SUBSTANCE: planar semiconductor detector is designed to register radiation in nuclear physics, high energy physics, as well as in digital devices that register charged particles, gamma rays and x-rays. Contact electrodes in the form of metallization are made on both sides of the detector. Metallization of the face (facing the source of ionizing radiation) surface has the form of a small-area grid with a strip width of 3-10 microns and with a step of 30-100 microns. Technical result of the invention is to increase the efficiency of registration of ionizing radiation (in particular, soft x-ray) and improving the measurement of the energy of heavy charged particles (in particular, α-particles) by planar detectors based on semiconductor materials by reducing the absorption of ionizing radiation in the material of the front electrode with an insignificant change in the electric field inside the detector.EFFECT: technical result of the invention is to increase the efficiency of registration of ionizing radiation (in particular, soft x-rays) and to improve the measurement of the energy of heavy charged particles.1 cl, 7 dwg Планарный полупроводниковый детектор предназначен для регистрации излучений в ядерной физике, физике высоких энергий, а также в цифровых аппаратах, регистрирующих заряженные частицы, гамма-кванты и рентгеновское излучение. На обеих сторонах детектора выполнены контактные электроды в виде металлизации. Металлизация лицевой (обращенной к источнику ионизирующего излучения) поверхности сформирована в виде сетки малой площади с шириной стрипа 3-10 мкм и с шагом в 30-100 мкм. Техническим результатом изобретения является увеличение эффективности регистрации ионизирующего излучения (в частности, мягкого рентгеновского) и улучшение измерения энергии тяжелых заряженных частиц (в частности, α-частиц) планарными детекторами на основе полупроводниковых материалов путем уменьшения поглощения ионизирующего излучения в материале лицевого электрода при несущественном изменении электрического поля внутри детектора. 7 ил.