METHOD OF PRODUCING AN EPITAXIAL FILM OF A MULTILAYER SILICEN INTERCALATED BY EUROPIUM

FIELD: technological processes.SUBSTANCE: invention relates to methods for producing epitaxial thin-film materials, namely to EuSicrystal modification of hP3 (space group N164,) with a structure of intercalated by europium silicene, that can be used to make experiments to study the silicene lattice. Method is based on stabilizing the required EuSiphase by its epitaxial growth on the SrSibuffer layer preformed on Si(001) or Si(111). Method consists in precipitation by molecular beam epitaxy of an atomic strontium flow with pressure P=(0.5÷3)⋅10Torr on the surface of the silicon substrate previously cleaned and heated to T=500±20 °C to form the strontium disilicide film, and in further precipitation of the atomic europium flow with pressure P=(0.5÷10)⋅10Torr on the substrate at a temperature of T=430÷550 °C to form a europium disilicide film with a thickness of not more than 8 nm. Wherein the silicide layers are formed due to the diffusion of atoms.EFFECT: invention allows obtaining homogeneous epitaxial magnetic films not containing extraneous phases, allowing studing the physical properties of two-dimensional silicon lattices with a hexagonal cellular structure.3 cl, 5 dwg, 4 ex Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSiкристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164,) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки. Способ основан на стабилизации требуемой фазы EuSiпутем ее эпитаксиального роста на предварительно сформированном на Si(001) или Si(111) буферном слое SrSi. Способ заключается в осаждении методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного потока стронция с давлением P=(0,5÷3)⋅10торр на предварительно очищенную и нагретую до T=500±20°С поверхность подложки кремния до формирования пленки дисилицида стронция, а затем в осаждении атомарного потока европия с давлением P=(0,5÷10)⋅10торр на подложку при температуре T=430÷550°С до формирования пленки дисилицида европия толщиной не более 8 нм. При этом слои силицидов образуются за счет диффузии атомов. Изобретение позволяет получать однородные, не содержащие посторонних фаз эпитаксиальные магнитные пленки, позволяющие изучать физические свойства двумерных кремниевых решеток с гексагональной ячеистой структурой. 2 з.п. ф-лы, 5 ил., 4 пр.